Transistores bipolares NPN

Transistor NPN, 10A, 600V. Corrente do coletor: 10A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Diodo CE: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: HA, Hi-res. Nota: MONITOR. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 20A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264 ( 2-21F2A ), 600V. Corrente do coletor: 20A. Carcaça: TO-264 ( TOP-3L ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-264 ( 2-21F2A ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 1.7 MHz. Ganho máximo de hFE: 30. Ganho mínimo de hFE: 10. Ic(pulso): 40A. Pd (dissipação de energia, máx.): 200W. Spec info: Monitor -HA. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1700V. Tensão de saturação VCE(sat): 3V

Transistor NPN, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), 2-16E3A, 600V. Corrente do coletor: 8A. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Habitação (conforme ficha técnica): 2-16E3A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 2 MHz. Função: Horizontal Deflection Output, high speed Switch. Ganho máximo de hFE: 25. Ganho mínimo de hFE: 8:1. Ic(pulso): 16A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Tipo MESA Tripla Difusão . Tf(máx.): 0.3us. Tf(min): 0.15us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão de saturação VCE(sat): 5V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), 2-16E3A, 600V. Corrente do coletor: 8A. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Habitação (conforme ficha técnica): 2-16E3A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Transistor Darlington?: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 2 MHz. Função: operação rápida, para deflexão horizontal (TV). Ganho máximo de hFE: 25. Ganho mínimo de hFE: 8:1. Ic(pulso): 16A. Marcação na caixa: C5149. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. Spec info: Tipo MESA Tripla Difusão . Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.5us. Tf(min): 0.2us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão de saturação VCE(sat): 5V

Transistor NPN, 10A, 700V. Corrente do coletor: 10A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 700V. Diodo CE: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: VCE(sat) 3V max. Nota: MONITOR, HA,Hi-res, fT--2MHz. Spec info: TO-3P (Plastic). Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1700V

Transistor NPN, 2A, TO-220FP, TO-220F, 180V. Corrente do coletor: 2A. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão do coletor/emissor Vceo: 180V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 200 MHz. Função: TV, SL. Ganho máximo de hFE: 320. Ganho mínimo de hFE: 50. Marcação na caixa: C5171. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 20W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) 2SA1930 . Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Tipo Epitaxial . Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 180V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.16V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 8A, 120V. Corrente do coletor: 8A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 120V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 30 MHz. Função: HI-FI. Pd (dissipação de energia, máx.): 80W. Spec info: transistor complementar (par) 2SA1940. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 10A, TO-3PN ( 2-16C1B ), 2-16C1B, 140V. Corrente do coletor: 10A. Carcaça: TO-3PN ( 2-16C1B ). Habitação (conforme ficha técnica): 2-16C1B. Tensão do coletor/emissor Vceo: 140V. BE diodo: NINCS. Custo): 170pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 30 MHz. Função: Amplificador de potência HI-FI. Ganho máximo de hFE: 160. Ganho mínimo de hFE: 80. Marcação na caixa: C5198 O. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 100W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) 2SA1941. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Planar Triplo Difuso . Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 140V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.3V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264 ( 2-21F1A ), 230V. Corrente do coletor: 15A. Carcaça: TO-264 ( TOP-3L ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-264 ( 2-21F1A ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 230V. BE diodo: NINCS. Custo): 200pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 30 MHz. Função: Amplificador de potência HI-FI. Ganho máximo de hFE: 160. Ganho mínimo de hFE: 80. Marcação na caixa: C5200 (Q). Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 150W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) 2SA1943. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Planar Triplo Difuso . Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -...+150°C. Vcbo: 230V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.4V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), 2-16C1A, 230V. Corrente do coletor: 15A. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): 2-16C1A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 230V. BE diodo: NINCS. Custo): 200pF. Diodo CE: NINCS. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 30. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 30 MHz. Função: HI-FI. Ganho máximo de hFE: 160. Ganho mínimo de hFE: 5. Marcação na caixa: C5242. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 130W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) 2SA1962 . Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 230V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.4V

Transistor NPN, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TOP-3L, 1700V. Corrente do coletor: 15A. Carcaça: TO-264 ( TOP-3L ). Habitação (conforme ficha técnica): TOP-3L. Tensão do coletor/emissor Vceo: 1700V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Função: Comutação de alta velocidade. Ganho máximo de hFE: 12:1. Ganho mínimo de hFE: 5. Ic(pulso): 30A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 200W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Tipo mesa de difusão tripla . Tf(máx.): 0.2us. Tf(min): 0.12us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1700V. Tensão de saturação VCE(sat): 3V. Vebo: 6V

Transistor NPN, 12A, 800V. Corrente do coletor: 12A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Diodo CE: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: Display-HA. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. Spec info: MONITOR. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PML, 800V. Corrente do coletor: 8A. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PML. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. BE diodo: NINCS. Resistor BE: 43 Ohms. Diodo CE: sim. Transistor Darlington?: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Ganho máximo de hFE: 25. Ganho mínimo de hFE: 15. Ic(pulso): 16A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 60W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf (tipo): 0.1 ns. Tf(máx.): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -...+150°C. Vcbo: 1500V. Tensão de saturação VCE(sat): 5V. Vebo: 6V

Transistor NPN, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PML, 800V. Corrente do coletor: 8A. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PML. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Transistor Darlington?: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Ganho máximo de hFE: 30. Ganho mínimo de hFE: 20. Ic(pulso): 16A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 60W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão de saturação VCE(sat): 5V

Transistor NPN, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PML, 800V. Corrente do coletor: 10A. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PML. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Transistor Darlington?: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: Para deflexão horizontal de alta resolução. Ganho máximo de hFE: 30. Ganho mínimo de hFE: 20. Ic(pulso): 25A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 70W. RoHS: sim. Spec info: Display-HA MONITOR. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -...+150°C. Vcbo: 1500V. Tensão de saturação VCE(sat): 5V

Transistor NPN, 20A, 800V. Corrente do coletor: 20A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Diodo CE: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Pd (dissipação de energia, máx.): 120W. Spec info: 8.729.033.99. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 15A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PML, 800V. Corrente do coletor: 15A. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PML. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: kHz. Função: Ultrahigh-Definition CRT Display. Ganho máximo de hFE: 30. Ganho mínimo de hFE: 4. Ic(pulso): 35A. Marcação na caixa: C5302. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 75W. Spec info: velocidade rápida (tf = 100ns tipo). Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor de silício planar triplo difuso . Tf(máx.): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão de saturação VCE(sat): 5V. Vebo: 6V

Transistor NPN, soldagem PCB, D35/B, 20mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: D35/B. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 20mA. RoHS: NINCS. Família de componentes: Transistor bipolar NPN. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 30V/20V. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.1W

Transistor NPN, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264 ( 2-21F1A ), 230V. Corrente do coletor: 15A. Carcaça: TO-264 ( TOP-3L ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-264 ( 2-21F1A ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 230V. Diodo CE: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 30 MHz. Pd (dissipação de energia, máx.): 180W. Spec info: transistor complementar (par) 2SA1987. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 150mA, TO-92, TO-92S, 50V. Corrente do coletor: 150mA. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92S. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Diodo CE: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 200 MHz. Função: uso geral. Ic(pulso): 400mA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.2W. Spec info: transistor complementar (par) 2SA608. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Vebo: 6V

Transistor NPN, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 600V. Corrente do coletor: 8A. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PF. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 30. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 1.7 MHz. Função: High Switching, Horizontal Deflection out. Ganho máximo de hFE: 35. Ganho mínimo de hFE: 4.3. Ic(pulso): 16A. Marcação na caixa: C5386. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. RoHS: sim. Spec info: MONITOR Hi-res. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Tipo MESA Tripla Difusão . Tf(máx.): 0.3us. Tf(min): 0.15us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão de saturação VCE(sat): 3V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 10A, 600V. Corrente do coletor: 10A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: VCE(sat) 3V max. Nota: Tipo MESA Tripla Difusão . Spec info: MONITOR, Hi-res (F). Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 14A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 600V. Corrente do coletor: 14A. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PF. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 64kHz. Função: Monitor HA,hi-res, fH--64KHz. Ic(pulso): 28A. Pd (dissipação de energia, máx.): 60W. Spec info: VCE(sat) max. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 14A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3FP, 600V. Corrente do coletor: 14A. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3FP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. BE diodo: NINCS. Custo): 190pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 2 MHz. Função: HA, Hi-res. Ic(pulso): 28A. Pd (dissipação de energia, máx.): 60W. Spec info: fH--64KHz. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf (tipo): 0.15us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 3V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PFM, 1500V. Corrente do coletor: 8A. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PFM. Tensão do coletor/emissor Vceo: 1500V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 64kHz. Função: CTV/Monitor Horizntal Deflection Output. Ganho máximo de hFE: 25. Ganho mínimo de hFE: 5. Ic(pulso): 16A. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. Spec info: Silicon NPN Triple Diffused. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Tensão de saturação VCE(sat): 5V