Transistores bipolares NPN

Transistor NPN, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 140V. Corrente do coletor: 10A. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P. Tensão do coletor/emissor Vceo: 140V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 20 MHz. Pd (dissipação de energia, máx.): 80W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 200V. Função: NF/L. Spec info: transistor complementar (par) 2SA1695

Transistor NPN, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 140V. Corrente do coletor: 10A. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P. Tensão do coletor/emissor Vceo: 140V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 20 MHz. Pd (dissipação de energia, máx.): 80W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 200V. Função: NF/L. Spec info: transistor complementar (par) 2SA1695

Transistor NPN, 3A, TO-220FP, FM20 (TO220F), 50V. Corrente do coletor: 3A. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): FM20 (TO220F). Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Custo): 30pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 40 MHz. Função: High hFE, LOW Vce(sat). Pd (dissipação de energia, máx.): 25W. Tecnologia: Transistor planar difuso triplo NPN. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.5V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 3A, TO-220FP, TO-220F, 550V. Corrente do coletor: 3A. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão do coletor/emissor Vceo: 550V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 6 MHz. Função: Transistor de comutação de alta tensão. Ganho máximo de hFE: 30. Ganho mínimo de hFE: 10. Ic(pulso): 6A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 30W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Planar Triplo Difuso . Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 900V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.2V. Vebo: 7V

Transistor NPN, 10A, 600V. Corrente do coletor: 10A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: (F). Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), SOT-93, 600V. Corrente do coletor: 10A. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-93. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: Alta resolução . Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Spec info: MONITOR

Transistor NPN, soldagem PCB, D35/B, 100mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: D35/B. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: NINCS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 30 v. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.2W

Transistor NPN, 1.5A, SC-71, SC-71, 160V. Corrente do coletor: 1.5A. Carcaça: SC-71. Habitação (conforme ficha técnica): SC-71. Tensão do coletor/emissor Vceo: 160V. Custo): 14pF. Condicionamento: rolo. Unidade de condicionamento: 2500. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 120 MHz. Ganho máximo de hFE: 400. Ganho mínimo de hFE: 200. Ic(pulso): 2.5A. Marcação na caixa: 12.9k Ohms. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 1W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 80 ns. Tf(min): 80 ns. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 180V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.13V. Vebo: 6V. Spec info: transistor complementar (par) 2SA1770. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 10mA, 1500V. Corrente do coletor: 10mA. Tensão do coletor/emissor Vceo: 1500V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Nota: Ic 10mA/30mApp. Pd (dissipação de energia, máx.): 2W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Função: foco dinâmico, comutação de alta tensão. Spec info: TO-220FI (Forming)

Transistor NPN, 10mA, 1800V. Corrente do coletor: 10mA. Tensão do coletor/emissor Vceo: 1800V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Nota: Ic 10mA/30mApp. Pd (dissipação de energia, máx.): 2W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 2000V. Função: foco dinâmico. Spec info: TO-220FI

Transistor NPN, 2A, SOT-89, 50V. Corrente do coletor: 2A. Carcaça: SOT-89. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Custo): 25pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 210 MHz. Função: Io-sat. Ganho máximo de hFE: 270. Ganho mínimo de hFE: 120. Nota: serigrafia/código SMD DK. Marcação na caixa: DK. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.13V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.35V. Vebo: 6V. Spec info: transistor complementar (par) 2SA1797. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 50mA, 1200V. Corrente do coletor: 50mA. Tensão do coletor/emissor Vceo: 1200V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 5.5 MHz. Função: Aplicativos de foco dinâmico para TV. Nota: Aplicações de comutação de alta tensão . Pd (dissipação de energia, máx.): 10W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Spec info: TO-220F

Transistor NPN, 5A, 80V. Corrente do coletor: 5A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 30 MHz. Função: HI-FI NF-E. Pd (dissipação de energia, máx.): 55W. Tipo de transistor: NPN. Nota: (F). Spec info: transistor complementar (par) 2SA1803

Transistor NPN, 6A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 1500V. Corrente do coletor: 6A. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P. Tensão do coletor/emissor Vceo: 1500V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: MONITOR. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 6A, TO-3PFM ( 13-16A1A ), TO-3PFM, 1500V. Corrente do coletor: 6A. Carcaça: TO-3PFM ( 13-16A1A ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PFM. Tensão do coletor/emissor Vceo: 1500V. Quantidade por caixa: 1. Compatibilidade: CVM4967A. Material semicondutor: silício. FT: kHz. Função: Display-HA, Hi-res. Ganho máximo de hFE: 25. Ic(pulso): 16A. Equivalentes: SAMSUNG 891 464744AA. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Tripla Difusão . Tf(máx.): 0.4us. Tipo de transistor: NPN. Tensão de saturação VCE(sat): 2V. Vebo: 6V. Spec info: MONITOR

Transistor NPN, 10A, TO-3PF, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corrente do coletor: 10A. Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PF. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: Display-HA. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Spec info: MONITOR

Transistor NPN, 7A, 600V. Corrente do coletor: 7A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: Alta resolução . Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Spec info: Monitor VGA

Transistor NPN, 7A, TO-3FP, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corrente do coletor: 7A. Habitação (conforme ficha técnica): TO-3FP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: TV-HA. Pd (dissipação de energia, máx.): 60W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 7A, TO-3PF ( SOT399 / 2-16E3A ), TO3PML, 800V. Corrente do coletor: 7A. Carcaça: TO-3PF ( SOT399 / 2-16E3A ). Habitação (conforme ficha técnica): TO3PML. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: TV-HA. Ganho máximo de hFE: 8:1. Ganho mínimo de hFE: 3. Ic(pulso): 16A. Pd (dissipação de energia, máx.): 60W. Tecnologia: Transistor de silício planar triplo difuso . Tf (tipo): 0.1us. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -...+150°C. Vcbo: 1500V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 5V. Vebo: 7V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 1A, TO-220FP, 2-10R1A, 230V. Corrente do coletor: 1A. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): 2-10R1A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 230V. Custo): 20pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Função: NF-L. Ganho máximo de hFE: 320. Ganho mínimo de hFE: 100. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 20W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -...+150°C. Vcbo: 230V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1.5V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) 2SA1837. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 1A, TO-220FP, TO-220F, 230V. Corrente do coletor: 1A. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão do coletor/emissor Vceo: 230V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Função: NF-L. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 20W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 10A, 800V. Corrente do coletor: 10A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Custo): 220pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: Alta resolução . Pd (dissipação de energia, máx.): 70W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Spec info: MONITOR

Transistor NPN, 8A, TO-3PFM, 1500V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corrente do coletor: 8A. Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PFM. Tensão do coletor/emissor Vceo: 1500V. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: Alta resolução . Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Spec info: MONITOR

Transistor NPN, 7A, TO-3PF, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corrente do coletor: 7A. Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PF. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 4 MHz. Função: Display-HA. Pd (dissipação de energia, máx.): 80W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Spec info: MONITOR (F). Diodo CE: sim

Transistor NPN, 7A, 800V. Corrente do coletor: 7A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: Display-HA. Nota: MONITOR. Pd (dissipação de energia, máx.): 80W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V