Transistores bipolares NPN

Transistor NPN, 8A, 600V. Corrente do coletor: 8A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: HA, Hi-res. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. Spec info: MONITOR. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1400V

Transistor NPN, 8A, 600V. Corrente do coletor: 8A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: HA, Hi-res. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. Spec info: MONITOR. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, soldagem PCB, M31/J, 12A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: M31/J. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 12A. RoHS: NINCS. Família de componentes: Transistor bipolar NPN. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 180V. Dissipação máxima Ptot [W]: 130W

Transistor NPN, 15A, 800V. Corrente do coletor: 15A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: HA hi-def.. Pd (dissipação de energia, máx.): 180W. Spec info: MONITOR. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 0.2A, TO-92, TO-92, 400V. Corrente do coletor: 0.2A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 400V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 70 MHz. Função: Aplicações de driver de alta tensão. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.6W. Spec info: hFE 100...200. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 15A, TO-247, TO-247, 450V. Corrente do coletor: 15A. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Tensão do coletor/emissor Vceo: 450V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: S-L. Pd (dissipação de energia, máx.): 130W. Spec info: 500/2200ns. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 600V

Transistor NPN, 0.065A, 10V. Corrente do coletor: 0.065A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 10V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: UHF. Spec info: 9000MHZ. Potência: 200mW. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 20V. Vebo: 1.5V

Transistor NPN, 7A, TO-220, TO-220AB, 400V. Corrente do coletor: 7A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão do coletor/emissor Vceo: 400V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 20 MHz. Função: Aplicações de reguladores de comutação. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. Spec info: 2SD4106M. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 500V

Transistor NPN, 10A, TO-220, TO-220AB, 400V. Corrente do coletor: 10A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão do coletor/emissor Vceo: 400V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 20 MHz. Função: Velocidade de comutação rápida. Ganho máximo de hFE: 50. Ganho mínimo de hFE: 15. Ic(pulso): 20A. Marcação na caixa: C4107. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 60W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.3us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 500V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.8V

Transistor NPN, 7A, TO-220FP, TO-220F, 120V. Corrente do coletor: 7A. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão do coletor/emissor Vceo: 120V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 30 MHz. Função: Conversor de tensão CC/CC. Ganho máximo de hFE: 220. Ganho mínimo de hFE: 70. Ic(pulso): 14A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 30W. RoHS: sim. Spec info: COB--110pF (VCB=10V, f=1MHzC). Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 200V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V

Transistor NPN, 0.7A, TO-92, TO-92, 30 v. Corrente do coletor: 0.7A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 30 v. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 270 MHz. Função: hFE1 1500, hFE2 600 . Pd (dissipação de energia, máx.): 0.6W. Spec info: Lo-Sat Vce(sat)<0.5V. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, Soldagem PCB (SMD), SMV-5, 0.15A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SMV-5. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 0.15A. RoHS: sim. Família de componentes: transistor bipolar NPN duplo. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 5. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 50V. Frequência de corte ft [MHz]: 80 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.3W

Transistor NPN, 3A, 800V. Corrente do coletor: 3A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 8 MHz. Função: (F). Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1200V. Vebo: 7V

Transistor NPN, 3A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 800V. Corrente do coletor: 3A. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 8 MHz. Função: Transistor de potência de comutação. Pd (dissipação de energia, máx.): 80W. Spec info: Série HFX. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1200V

Transistor NPN, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 800V. Corrente do coletor: 10A. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: S-L. Ic(pulso): 20A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 150W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1200V

Transistor NPN, 10A, TO-247, TO-247, 150V. Corrente do coletor: 10A. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Tensão do coletor/emissor Vceo: 150V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 20 MHz. Função: S-L. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 100W. Spec info: transistor complementar (par) 2SA1633. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 0.3A, 30 v. Corrente do coletor: 0.3A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 30 v. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: Amplificador de banda larga VHF. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.6W. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 2A, TO-220FP, FM20 (TO220F), 200V. Corrente do coletor: 2A. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): FM20 (TO220F). Tensão do coletor/emissor Vceo: 200V. BE diodo: NINCS. Custo): 35pF. Diodo CE: NINCS. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 15 MHz. Função: Transistor NPN de alta tensão para aplicações de áudio e de uso geral.. Ganho mínimo de hFE: 60. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 25W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) 2SA1668. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -...+150°C. Vcbo: 200V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1V. Vebo: 6V

Transistor NPN, 8A, 120V. Corrente do coletor: 8A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 120V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 20 MHz. Função: transistor de pacote isolado . Pd (dissipação de energia, máx.): 75W. Spec info: transistor complementar (par) 2SA1671. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 160V

Transistor NPN, 10A, 140V. Corrente do coletor: 10A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 140V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 20 MHz. Função: transistor de pacote isolado . Pd (dissipação de energia, máx.): 80W. Spec info: transistor complementar (par) 2SA1672. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 180V

Transistor NPN, 15A, 160V. Corrente do coletor: 15A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 160V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 20 MHz. Função: transistor de pacote isolado . Pd (dissipação de energia, máx.): 85W. Spec info: transistor complementar (par) 2SA1673. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 200V

Transistor NPN, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PML, 800V. Corrente do coletor: 8A. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PML. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 15 MHz. Função: SMPS. Pd (dissipação de energia, máx.): 60W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1100V

Transistor NPN, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 140V. Corrente do coletor: 10A. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P. Tensão do coletor/emissor Vceo: 140V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 20 MHz. Função: NF/L. Pd (dissipação de energia, máx.): 80W. Spec info: transistor complementar (par) 2SA1695. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 200V

Transistor NPN, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 140V. Corrente do coletor: 10A. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P. Tensão do coletor/emissor Vceo: 140V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 20 MHz. Função: NF/L. Pd (dissipação de energia, máx.): 80W. Spec info: transistor complementar (par) 2SA1695. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 200V

Transistor NPN, 3A, TO-220FP, FM20 (TO220F), 50V. Corrente do coletor: 3A. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): FM20 (TO220F). Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. BE diodo: NINCS. Custo): 30pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 40 MHz. Função: High hFE, LOW Vce(sat). Pd (dissipação de energia, máx.): 25W. Tecnologia: Transistor planar difuso triplo NPN. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.5V