Transistor NPN, 2A, SOT-89, 50V - 2SC4672C6Q
| Quantidade | sem IVA | IVA incl. |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 1.30€ | 1.60€ |
| 5 - 9 | 1.23€ | 1.51€ |
| 10 - 24 | 1.17€ | 1.44€ |
| 25 - 35 | 1.10€ | 1.35€ |
| Quantidade | U.P | |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 1.30€ | 1.60€ |
| 5 - 9 | 1.23€ | 1.51€ |
| 10 - 24 | 1.17€ | 1.44€ |
| 25 - 35 | 1.10€ | 1.35€ |
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Transistor NPN, 2A, SOT-89, 50V - 2SC4672C6Q. Transistor NPN, 2A, SOT-89, 50V. Corrente do coletor: 2A. Carcaça: SOT-89. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Custo): 25pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 210 MHz. Função: Io-sat. Ganho máximo de hFE: 270. Ganho mínimo de hFE: 120. Nota: serigrafia/código SMD DK. Marcação na caixa: DK. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.13V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.35V. Vebo: 6V. Spec info: transistor complementar (par) 2SA1797. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 21/04/2025, 00:25.
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Transistor NPN, 3A, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89, 50V. Corrente do coletor: 3A. Carcaça: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-89. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 150 MHz. Ganho máximo de hFE: 280. Ganho mínimo de hFE: 140. Ic(pulso): 6A. Marcação na caixa: DG. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: Transistores de silício planares epitaxiais . Tf(máx.): 35 ns. Tf(min): 35 ns. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.35V. Vebo: 6V. Função: Comutação de alta corrente, tensão de baixa saturação . Spec info: serigrafia/código SMD DG
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