Transistores bipolares NPN

Transistor NPN, 0.15A, TO-92, TO-92, 60V. Corrente do coletor: 0.15A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Material semicondutor: silício. FT: 130 MHz. Função: uso geral. Marcação na caixa: C3198. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.4W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 150mA, TO-92, TO-92, 50V. Corrente do coletor: 150mA. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Resistor B: NINCS. Resistor BE: soldagem PCB. C (pol.): TO-92. Custo): 3.5pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 80 MHz. Função: uso geral. Ganho máximo de hFE: 700. Ganho mínimo de hFE: 70. Temperatura: +125°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.2W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 50V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.1V. Vebo: 5V. Número de terminais: 3. Spec info: substituição KTA1267. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 2A, TO-92, TO-92MOD ( 2-5J1A ), 40V. Corrente do coletor: 2A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92MOD ( 2-5J1A ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 40V. Material semicondutor: silício. FT: 200 MHz. Função: Hi-Beta, lo-sat.. Ganho mínimo de hFE: 500. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.9W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Tipo Epitaxial . Tf(máx.): 1.2us. Tf(min): 1us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 40V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.3V. Vebo: 7V. Número de terminais: 3. Nota: 9mm. Quantidade por caixa: 1

Transistor NPN, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), SOT-93, 230V. Corrente do coletor: 15A. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-93. Tensão do coletor/emissor Vceo: 230V. Custo): 250pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 60 MHz. Ganho máximo de hFE: 140. Ganho mínimo de hFE: 40. Pd (dissipação de energia, máx.): 130W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 230V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) 2SA1294. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 17A, 230V. Corrente do coletor: 17A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 230V. Material semicondutor: silício. FT: 60 MHz. Pd (dissipação de energia, máx.): 200W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Spec info: transistor complementar (par) 2SA1295

Transistor NPN, 12A, TO-247, TO-247, 160V. Corrente do coletor: 12A. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Tensão do coletor/emissor Vceo: 160V. Material semicondutor: silício. FT: 30 MHz. Função: NF-E HI-FI. Pd (dissipação de energia, máx.): 120W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Quantidade por caixa: 1. Spec info: transistor complementar (par) 2SA1301

Transistor NPN, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 200V. Corrente do coletor: 15A. Carcaça: TO-264 ( TOP-3L ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-264. Tensão do coletor/emissor Vceo: 200V. Material semicondutor: silício. FT: 30 MHz. Função: NF-E HI-FI. Pd (dissipação de energia, máx.): 150W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Spec info: transistor complementar (par) 2SA1302. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 14A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 150V. Corrente do coletor: 14A. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P. Tensão do coletor/emissor Vceo: 150V. Material semicondutor: silício. FT: 60 MHz. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Quantidade por caixa: 1. Spec info: transistor complementar (par) 2SA1303

Transistor NPN, 1.5A, TO-220FP, 160V. Corrente do coletor: 1.5A. Carcaça: TO-220FP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 160V. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Função: transistor de pacote isolado . Ganho máximo de hFE: 240. Ganho mínimo de hFE: 70. Pd (dissipação de energia, máx.): 20W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 160V. Vebo: 5V. Quantidade por caixa: 1. Spec info: transistor complementar (par) 2SA1306

Transistor NPN, 5A, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 80V. Corrente do coletor: 5A. Carcaça: TO-251 ( I-Pak ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-251AA ( I-PAK ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Material semicondutor: silício. FT: 120 MHz. Ganho máximo de hFE: 240. Ganho mínimo de hFE: 70. Ic(pulso): 8A. Marcação na caixa: C3303. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 20W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Tipo Epitaxial (Processo PCT) . Tf(máx.): 0.1us. Tf(min): 0.1us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.2V. Vebo: 7V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1

Transistor NPN, 5A, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 100V. Corrente do coletor: 5A. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( D-PAK ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Material semicondutor: silício. FT: 120 MHz. Ic(pulso): 8A. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.2V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.4V. Vebo: 8V. Quantidade por caixa: 1. Função: NF/SL. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 0.7A, 180V. Corrente do coletor: 0.7A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 180V. Material semicondutor: silício. FT: 120 MHz. Função: Aplicações de comutação de alta tensão . Pd (dissipação de energia, máx.): 0.7W. Tipo de transistor: NPN. Nota: hFE 140...280. Quantidade por caixa: 1. Spec info: transistor complementar (par) 2SA1319

Transistor NPN, 5A, 500V. Corrente do coletor: 5A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 500V. Material semicondutor: silício. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 900V. Quantidade por caixa: 1

Transistor NPN, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 20V. Corrente do coletor: 0.1A. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 20V. Material semicondutor: silício. Função: UHF. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.2W. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: NPN. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-92, 200mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 200mA. RoHS: NINCS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 60V/50V. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.4W

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-92, 200mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 200mA. RoHS: NINCS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 60V/50V. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.4W

Transistor NPN, 0.1A, 50V. Corrente do coletor: 0.1A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Material semicondutor: silício. Tipo de transistor: NPN. Quantidade por caixa: 1

Transistor NPN, 0.1A, TO-92, TO-92, 50V. Corrente do coletor: 0.1A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Material semicondutor: silício. Função: 250 MHz. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Quantidade por caixa: 1

Transistor NPN, 0.05A, TO-126F, TO-126F, 150V. Corrente do coletor: 0.05A. Carcaça: TO-126F. Habitação (conforme ficha técnica): TO-126F. Tensão do coletor/emissor Vceo: 150V. Material semicondutor: silício. FT: 200 MHz. Função: NF-L. Pd (dissipação de energia, máx.): 5W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Quantidade por caixa: 1. Spec info: transistor complementar (par) 2SA1360

Transistor NPN, 3A, TO-220, TO-220AB, 800V. Corrente do coletor: 3A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Material semicondutor: silício. FT: 15 MHz. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1100V. Função: hFE 15...30. Quantidade por caixa: 1

Transistor NPN, 3A, TO-220, TO-220AB, 800V. Corrente do coletor: 3A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Material semicondutor: silício. FT: 15 MHz. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1100V. Função: hFE 20...40. Quantidade por caixa: 1

Transistor NPN, 6A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3PB, 800V. Corrente do coletor: 6A. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PB. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Material semicondutor: silício. FT: 15 MHz. Função: Aplicações de reguladores de comutação. Ganho máximo de hFE: 40. Ganho mínimo de hFE: 10. Ic(pulso): 20A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 100W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor de silício planar triplo difuso . Tf(máx.): 0.3us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1100V. Tensão de saturação VCE(sat): 2V. Vebo: 7V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1

Transistor NPN, 0.1A, TO-92, SC-51 ( MP ), 200V. Corrente do coletor: 0.1A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): SC-51 ( MP ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 200V. Custo): 1.7pF. Transistor Darlington?: NINCS. Material semicondutor: silício. FT: 150 MHz. Ganho máximo de hFE: 320. Ganho mínimo de hFE: 40. Ic(pulso): 0.2A. Marcação na caixa: C3467. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 1W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 200V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.6V. Vebo: 5V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Nota: 9mm de altura. Spec info: VCB=30V, f=1MHz, Cob 1.7pF, Cre 1.2pF. Função: Video, Hi-def. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-92, 50mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 50mA. RoHS: NINCS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 120V/100V. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.5W

Transistor NPN, 0.1A, TO-126F, TO-126, 300V. Corrente do coletor: 0.1A. Carcaça: TO-126F. Habitação (conforme ficha técnica): TO-126. Tensão do coletor/emissor Vceo: 300V. Custo): 2.6pF. Transistor Darlington?: NINCS. Material semicondutor: silício. FT: 150 MHz. Ganho máximo de hFE: 120. Ganho mínimo de hFE: 60. Ic(pulso): 0.2A. Marcação na caixa: C3503-D. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 7W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor de Silício Epitaxial . Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 300V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.6V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Função: Amplificador de tensão de áudio, definição CRT, saída de vídeo. Spec info: transistor complementar (par) 2SA1381. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS