Transistores bipolares NPN

Transistor NPN, 0.1A, TO-92, SC-51 ( MP ), 200V. Corrente do coletor: 0.1A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): SC-51 ( MP ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 200V. BE diodo: NINCS. Custo): 1.7pF. Diodo CE: NINCS. Transistor Darlington?: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 150 MHz. Função: Video, Hi-def. Ganho máximo de hFE: 320. Ganho mínimo de hFE: 40. Ic(pulso): 0.2A. Nota: 9mm de altura. Marcação na caixa: C3467. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 1W. Spec info: VCB=30V, f=1MHz, Cob 1.7pF, Cre 1.2pF. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 200V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.6V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 0.1A, TO-126F, TO-126, 300V. Corrente do coletor: 0.1A. Carcaça: TO-126F. Habitação (conforme ficha técnica): TO-126. Tensão do coletor/emissor Vceo: 300V. BE diodo: NINCS. Custo): 2.6pF. Diodo CE: NINCS. Transistor Darlington?: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 150 MHz. Função: Amplificador de tensão de áudio, definição CRT, saída de vídeo. Ganho máximo de hFE: 120. Ganho mínimo de hFE: 60. Ic(pulso): 0.2A. Marcação na caixa: C3503-D. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 7W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) 2SA1381. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor de Silício Epitaxial . Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 300V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.6V

Transistor NPN, 15A, TO-3P ( TO3P ), TO3P-3L, 180V. Corrente do coletor: 15A. Carcaça: TO-3P ( TO3P ). Habitação (conforme ficha técnica): TO3P-3L. Tensão do coletor/emissor Vceo: 180V. BE diodo: NINCS. Custo): 250pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 50 MHz. Função: para amplificadores de áudio Hi-Fi. Ganho máximo de hFE: 180. Ganho mínimo de hFE: 50. Pd (dissipação de energia, máx.): 130W. Spec info: transistor complementar (par) 2SA1386A. Tecnologia: Transistor Planar Epitaxial NPN. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 180V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 700mA, TO-92, SC-43B, TO92, 25V. Corrente do coletor: 700mA. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): SC-43B, TO92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 25V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 250MHz. Função: Hi-beta. Ganho máximo de hFE: 3200. Ganho mínimo de hFE: 800. Ic(pulso): 1A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 25V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.14V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.3V. Vebo: 15V

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-92, 100mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: NINCS. Família de componentes: Transistor bipolar NPN. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 50V. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.4W

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-92, 100mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: NINCS. Família de componentes: Transistor bipolar NPN. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 50V. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.4W

Transistor NPN, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 800V. Corrente do coletor: 10A. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: TV-HA. Pd (dissipação de energia, máx.): 150W. Spec info: Hi-deflect (MONITOR). Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 800V. Corrente do coletor: 10A. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: TV-HA. Pd (dissipação de energia, máx.): 150W. Spec info: Hi-deflect (MONITOR). Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 0.5A, 80V. Corrente do coletor: 0.5A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 120 MHz. Função: Aplicações de drives de baixa frequência. Nota: hFE 140...280. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.6W. Spec info: transistor complementar (par) 2SA1480. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-98, 100mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-98. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: NINCS. Família de componentes: Transistor bipolar NPN. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 30V/18V. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.2W

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-98, 100mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-98. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: NINCS. Família de componentes: Transistor bipolar NPN. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 35V/30V. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.2W

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-98, 100mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-98. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: NINCS. Família de componentes: Transistor bipolar NPN. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 35V/30V. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.2W

Transistor NPN, TO-220FP, TO-220F. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Quantidade por caixa: 1. Função: S-L. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-92, 50mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 50mA. RoHS: NINCS. Família de componentes: Transistor bipolar NPN. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 25V/16V. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.4W

Transistor NPN, 0.2A, 200V. Corrente do coletor: 0.2A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 200V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 400 MHz. Função: Hi-def. Pd (dissipação de energia, máx.): 15W. Spec info: transistor complementar (par) 2SA1476. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-92, 500mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 500mA. RoHS: NINCS. Família de componentes: Transistor bipolar NPN. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 50V/20V. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.5W

Transistor NPN, 5A, TO-220FP, TO-220F, 550V. Corrente do coletor: 5A. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão do coletor/emissor Vceo: 550V. C (pol.): 4pF. Custo): 10pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 900V

Transistor NPN, 2A, TO-126F, TO-126LP, 30 v. Corrente do coletor: 2A. Carcaça: TO-126F. Habitação (conforme ficha técnica): TO-126LP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 30 v. Resistor B: 22. Resistor BE: 22. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 260 MHz. Função: hFE 800. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.5W. Spec info: Hi-Ube, lo-sat.. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-98, 20mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-98. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 20mA. RoHS: NINCS. Família de componentes: Transistor bipolar NPN. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 40V/30V. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.1W

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-98, 50mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-98. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 50mA. RoHS: NINCS. Família de componentes: Transistor bipolar NPN. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 40V. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.2W

Transistor NPN, 0.05A, 75V. Corrente do coletor: 0.05A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 75V. Resistor B: 47. Resistor BE: 10. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 300 MHz. Função: TV-ZF-E. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.3W. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 3A, TO-220FP, MF20 TO220F, 60V. Corrente do coletor: 3A. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): MF20 TO220F. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. BE diodo: NINCS. Custo): 50pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 15 MHz. Função: Driver para solenóide e motor. Ganho mínimo de hFE: 500. Pd (dissipação de energia, máx.): 25W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.5V. Vebo: 6V

Transistor NPN, 8A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 160V. Corrente do coletor: 8A. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P. Tensão do coletor/emissor Vceo: 160V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 20 MHz. Pd (dissipação de energia, máx.): 80W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3PB, 200V. Corrente do coletor: 15A. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PB. Tensão do coletor/emissor Vceo: 200V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 20 MHz. Marcação na caixa: C3856. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 130W. Spec info: transistor complementar (par) 2SA1492. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 5A, 800V. Corrente do coletor: 5A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: TV-HA. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. Spec info: MONITOR. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V