Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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Transistor NPN, 15A, TO-3P ( TO3P ), TO3P-3L, 180V - 2SC3519A

Transistor NPN, 15A, TO-3P ( TO3P ), TO3P-3L, 180V - 2SC3519A
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Transistor NPN, 15A, TO-3P ( TO3P ), TO3P-3L, 180V - 2SC3519A. Transistor NPN, 15A, TO-3P ( TO3P ), TO3P-3L, 180V. Corrente do coletor: 15A. Carcaça: TO-3P ( TO3P ). Habitação (conforme ficha técnica): TO3P-3L. Tensão do coletor/emissor Vceo: 180V. BE diodo: NINCS. Custo): 250pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 50 MHz. Função: para amplificadores de áudio Hi-Fi. Ganho máximo de hFE: 180. Ganho mínimo de hFE: 50. Pd (dissipação de energia, máx.): 130W. Spec info: transistor complementar (par) 2SA1386A. Tecnologia: Transistor Planar Epitaxial NPN. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 180V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2V. Vebo: 5V. Produto original do fabricante Sanken. Quantidade em estoque atualizada em 08/06/2025, 18:25.

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Transistor NPN, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), SOT-93, 230V. Corrente do coletor: 15A. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-93. Tensão do coletor/emissor Vceo: 230V. BE diodo: NINCS. Custo): 250pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 60 MHz. Ganho máximo de hFE: 140. Ganho mínimo de hFE: 40. Pd (dissipação de energia, máx.): 130W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) 2SA1294. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 230V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2V. Vebo: 5V
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