Transistores bipolares NPN

Transistor NPN, 12A, TO-3PFM ( 13-16A1A ), TO-3PFM, 700V. Corrente do coletor: 12A. Carcaça: TO-3PFM ( 13-16A1A ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PFM. Tensão do coletor/emissor Vceo: 700V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: kHz. Função: Saída de deflexão horizontal. Ganho máximo de hFE: 30. Ganho mínimo de hFE: 10. Ic(pulso): 24A. Marcação na caixa: C5449. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. Spec info: Comutação de alta velocidade. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Planar Triplo Difuso . Tf(máx.): 0.2us. Tf(min): 0.15us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão de saturação VCE(sat): 5V. Vebo: 6V

Transistor NPN, 70mA, SSFP 1.4x0.8x0.6mm, 10V. Corrente do coletor: 70mA. Habitação (conforme ficha técnica): SSFP 1.4x0.8x0.6mm. Tensão do coletor/emissor Vceo: 10V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 7GHz. Função: VHF/UHF. Ganho máximo de hFE: 200. Ganho mínimo de hFE: 90. Marcação na caixa: LN. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.1W. Spec info: serigrafia/código SMD LN. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 20V

Transistor NPN, 17A, TO-264 ( TOP-3L ), TOP-3L, 1500V. Corrente do coletor: 17A. Carcaça: TO-264 ( TOP-3L ). Habitação (conforme ficha técnica): TOP-3L. Tensão do coletor/emissor Vceo: 1500V. Transistor Darlington?: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Função: Samsung Monitor 19 inch. Ganho máximo de hFE: 12:1. Ganho mínimo de hFE: 6. Ic(pulso): 30A. Marcação na caixa: C5583. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 150W. RoHS: sim. Spec info: Tipo mesa de difusão tripla . Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.2us. Tf(min): 0.2us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão de saturação VCE(sat): 3V

Transistor NPN, 15A, 800V. Corrente do coletor: 15A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: hi-res, monitor 19. Nota: hFE 22...45 (Vce sat 3V, Vbe sat 1.5V). Spec info: Triple diffusion mesa tipe. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1700V

Transistor NPN, 12A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PMLH, 800V. Corrente do coletor: 12A. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PMLH. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Resistor BE: sim. Diodo CE: sim. Transistor Darlington?: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: kHz. Função: alta velocidade. Ganho máximo de hFE: 11. Ganho mínimo de hFE: 3. Ic(pulso): 36A. Marcação na caixa: C5696. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 85W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor de silício planar triplo difuso . Tf(máx.): 0.3us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1600V. Tensão de saturação VCE(sat): 3V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PMLH, 800V. Corrente do coletor: 8A. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PMLH. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: kHz. Função: alta velocidade, CTV-HA. Ganho máximo de hFE: 7. Ganho mínimo de hFE: 5. Ic(pulso): 16A. Marcação na caixa: C5698. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 65W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.2us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão de saturação VCE(sat): 3V. Vebo: 5V

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-251, 7.5A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-251. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 7.5A. RoHS: sim. Família de componentes: Transistor bipolar NPN. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 50V. Frequência de corte ft [MHz]: 400 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 15W

Transistor NPN, 5A, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 80V. Corrente do coletor: 5A. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 400 MHz. Função: conversor DC-DC, fonte de alimentação TFT . Ganho máximo de hFE: 560. Ganho mínimo de hFE: 200. Ic(pulso): 7.5A. Número de terminais: 2. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 15W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) 2SA2039. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tf(máx.): 35 ns. Tf(min): 35 ns. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.135V. Vebo: 6V

Transistor NPN, 8A, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 80V. Corrente do coletor: 8A. Carcaça: TO-251 ( I-Pak ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-251AA ( I-PAK ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 100dB. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 330 MHz. Função: conversor DC-DC, fonte de alimentação TFT . Ganho máximo de hFE: 560. Ganho mínimo de hFE: 200. Ic(pulso): 11A. Marcação na caixa: C5707. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 15W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) 2SA2040. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 25 ns. Tf(min): 25 ns. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.11V

Transistor NPN, 8A, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 80V. Corrente do coletor: 8A. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 330 MHz. Função: conversor DC-DC, fonte de alimentação TFT . Ganho máximo de hFE: 560. Ganho mínimo de hFE: 200. Ic(pulso): 11A. Marcação na caixa: C5707T. Número de terminais: 2. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 15W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) 2SA2040FA. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: Transistor de Silício Planar Epitaxial . Tf(máx.): 25 ns. Tf(min): 25 ns. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.11V. Vebo: 6V

Transistor NPN, 21A, 700V. Corrente do coletor: 21A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 700V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: Comutação de alta velocidade. Nota: Vce(sat) 3Vmax. Spec info: Icp 10A/64kHz, 8A/100kHz. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 20A, 800V. Corrente do coletor: 20A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: Ultrahigh-Definition CRT Display Horizontal Def.Ou. Nota: hFE 4...7 (Vce sat 3V, Vbe sat 1.5V). Spec info: Transistor de silício planar triplo difuso . Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1600V

Transistor NPN, 12A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 800V. Corrente do coletor: 12A. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PF. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Transistor Darlington?: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Ic(pulso): 24A. Marcação na caixa: C5803. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 70W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.3us. Tf(min): 0.1us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão de saturação VCE(sat): 3V

Transistor NPN, 22A, TO-264 ( TOP-3L ), 2-21F2A, 750V. Corrente do coletor: 22A. Carcaça: TO-264 ( TOP-3L ). Habitação (conforme ficha técnica): 2-21F2A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 750V. Transistor Darlington?: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 2 MHz. Função: Para deflexão horizontal de alta resolução, HD TV. Ganho máximo de hFE: 60. Ganho mínimo de hFE: 5. Ic(pulso): 44A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 200W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Tipo MESA Tripla Difusão . Tf(máx.): 0.1us. Tf(min): 0.1us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1700V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.5V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 23A, TO-264 ( TOP-3L ), 2-21F2A, 750V. Corrente do coletor: 23A. Carcaça: TO-264 ( TOP-3L ). Habitação (conforme ficha técnica): 2-21F2A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 750V. Transistor Darlington?: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 2 MHz. Função: Para deflexão horizontal de alta resolução, HD TV. Ganho máximo de hFE: 55. Ganho mínimo de hFE: 4.5. Ic(pulso): 46A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 210W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Tipo MESA Tripla Difusão . Tf(máx.): 0.15us. Tf(min): 0.1us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1700V. Tensão de saturação VCE(sat): 3V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 6A, TO-220FP, TO-220F, 1500V. Corrente do coletor: 6A. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão do coletor/emissor Vceo: 1500V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: CRT-HA (F). Pd (dissipação de energia, máx.): 30W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 20A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PMLH, 800V. Corrente do coletor: 20A. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PMLH. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: kHz. Função: Ultrahigh-Definition CRT Display, High-speed.. Ganho máximo de hFE: 15. Ganho mínimo de hFE: 4. Ic(pulso): 40A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 100W. RoHS: sim. Spec info: Horizontal Deflection Output Applications. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.2us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1700V. Tensão de saturação VCE(sat): 3V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 15A, TO-220, TO-220F-3SG, 50V. Corrente do coletor: 15A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F-3SG. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. BE diodo: NINCS. Custo): 85pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 195 MHz. Função: Drivers de relé, drivers de lâmpadas, drivers de motor. Ganho máximo de hFE: 560. Ganho mínimo de hFE: 200. Ic(pulso): 20A. Marcação na caixa: C6082. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 23W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) 2SA2210. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.2V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.4V. Vebo: 6V

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-92, 200mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 200mA. RoHS: NINCS. Família de componentes: Transistor bipolar NPN. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 50V/30V. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.25W

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-92, 50mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 50mA. RoHS: NINCS. Família de componentes: Transistor bipolar NPN. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 30V/25V. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.25W

Transistor NPN, 0.03A, 15V. Corrente do coletor: 0.03A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 15V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 600 MHz. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.12W. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, soldagem PCB, A21/B, 50mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: A21/B. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 50mA. RoHS: NINCS. Família de componentes: Transistor bipolar NPN. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 40V/30V. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.1W

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-92, 30mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 30mA. RoHS: NINCS. Família de componentes: Transistor bipolar NPN. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 30V/25V. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.2W

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-92, 50mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 50mA. RoHS: NINCS. Família de componentes: Transistor bipolar NPN. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 30V/25V. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.2W

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-92, 100mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: NINCS. Família de componentes: Transistor bipolar NPN. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 30V/25V. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.2W