Transistores bipolares NPN

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-98, 20mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-98. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 20mA. RoHS: NINCS. Família de componentes: Transistor bipolar NPN. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 40V/30V. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.1W

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-98, 20mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-98. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 20mA. RoHS: NINCS. Família de componentes: Transistor bipolar NPN. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 40V/30V. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.1W

Transistor NPN, 0.2A, TO-92, TO-92, 60V. Corrente do coletor: 0.2A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Diodo CE: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 200 MHz. Ganho máximo de hFE: 232. Ganho mínimo de hFE: 50. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.4W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+125°C. Vcbo: 45V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.15V. Vebo: 5V

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-92, 50mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 50mA. RoHS: NINCS. Família de componentes: Transistor bipolar NPN. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 50V/25V. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.25W

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-92, 50mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 50mA. RoHS: NINCS. Família de componentes: Transistor bipolar NPN. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 50V/25V. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.25W

Transistor NPN, 0.5A, TO-92, TO-92, 40V. Corrente do coletor: 0.5A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 40V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-92, 100mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: NINCS. Família de componentes: Transistor bipolar NPN. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 40V/35V. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.25W

Transistor NPN, soldagem PCB, A21/B, 30mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: A21/B. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 30mA. RoHS: NINCS. Família de componentes: Transistor bipolar NPN. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 15V/10V. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.12W

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-3, 1A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-3. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 1A. RoHS: NINCS. Família de componentes: Transistor bipolar NPN. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 1000V/500V. Dissipação máxima Ptot [W]: 22W

Transistor NPN, 0.2A, 60V. Corrente do coletor: 0.2A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 220 MHz. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.3W. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 0.05A, 50V. Corrente do coletor: 0.05A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 200 MHz. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.3W. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 0.7A, 20V. Corrente do coletor: 0.7A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 20V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 250 MHz. Função: lo-sat . Pd (dissipação de energia, máx.): 0.25W. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 8A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 140V. Corrente do coletor: 8A. Carcaça: TO-3PN ( 2-16C1B ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 140V. BE diodo: NINCS. Custo): 120pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 15 MHz. Função: Amplificador de potência de áudio, conversor DC-DC. Ganho máximo de hFE: 200. Ganho mínimo de hFE: 60. Ic(pulso): 16A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 80W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) 2SB817. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 160V. Vebo: 6V

Transistor NPN, 12A, TO-220, TO-220AB, 50V. Corrente do coletor: 12A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 10 MHz. Função: inversores de alta velocidade, conversores, low-sat. Ganho máximo de hFE: 280. Ganho mínimo de hFE: 70. Ic(pulso): 15A. Marcação na caixa: D1062. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. Spec info: transistor complementar (par) 2SB826. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 1.2us. Tf(min): 0.4us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.4V. Vebo: 6V

Transistor NPN, 10A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 110V. Corrente do coletor: 10A. Carcaça: TO-3 ( TO-204 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3. Tensão do coletor/emissor Vceo: 110V. Custo): 200pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 1 MHz. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 100W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 130V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.5V. Vebo: 10V

Transistor NPN, 4A, TO-220, TO-220, 50V. Corrente do coletor: 4A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Ganho máximo de hFE: 230. Ganho mínimo de hFE: 60. RoHS: NINCS. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 70V

Transistor NPN, 1A, 30 v. Corrente do coletor: 1A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 30 v. Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 150 MHz. Pd (dissipação de energia, máx.): 1W. Spec info: substituir. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 0.1A, 30 v. Corrente do coletor: 0.1A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 30 v. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.4W. Spec info: substituir. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 2A, TO-92, TO-92MOD ( 2-5J1A ), 50V. Corrente do coletor: 2A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92MOD ( 2-5J1A ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. BE diodo: NINCS. Custo): 12pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 150 MHz. Ganho máximo de hFE: 400. Ganho mínimo de hFE: 200. Ic(pulso): 4A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 1W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) 2SB892. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Darlington de Silício Planar Epitaxial . Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.15V. Vebo: 6V

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-3, 10A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-3. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 10A. RoHS: NINCS. Família de componentes: transistor NPN de alta tensão. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 2SD1279. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 600V. Frequência de corte ft [MHz]: 3 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 50W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, soldagem PCB, M37/J, 7A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: M37/J. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 7A. RoHS: NINCS. Família de componentes: Transistor bipolar NPN. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 120V. Dissipação máxima Ptot [W]: 70W

Transistor NPN, 8A, 120V. Corrente do coletor: 8A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 120V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 60 MHz. Pd (dissipação de energia, máx.): 80W. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 0.5A, 25V. Corrente do coletor: 0.5A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 25V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 200 MHz. Função: 2.32k Ohms. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 0.5A, 25V. Corrente do coletor: 0.5A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 25V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 200 MHz. Função: Io-sat. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.6W. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 5A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 800V. Corrente do coletor: 5A. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 80W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V