Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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Transistor NPN, 5A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 800V - 2SD1398

Transistor NPN, 5A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 800V - 2SD1398
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Transistor NPN, 5A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 800V. Corrente do coletor: 5A. Carcaça: TO-3P (...
2SD1398-SAN
Transistor NPN, 5A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 800V. Corrente do coletor: 5A. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 30. Transistor Darlington?: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Ganho mínimo de hFE: 8:1. Ic(pulso): 16A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Planar Triplo Difuso . Tf(máx.): 0.7us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão de saturação VCE(sat): 5V. Vebo: 7V
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Transistor NPN, 5A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 800V. Corrente do coletor: 5A. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 30. Transistor Darlington?: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Ganho mínimo de hFE: 8:1. Ic(pulso): 16A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Planar Triplo Difuso . Tf(máx.): 0.7us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão de saturação VCE(sat): 5V. Vebo: 7V
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