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Transistor NPN, 21A, 700V - 2SC5717

Transistor NPN, 21A, 700V - 2SC5717
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Transistor NPN, 21A, 700V - 2SC5717. Transistor NPN, 21A, 700V. Corrente do coletor: 21A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 700V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: Comutação de alta velocidade. Nota: Vce(sat) 3Vmax. Spec info: Icp 10A/64kHz, 8A/100kHz. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Produto original do fabricante Toshiba. Quantidade em estoque atualizada em 25/07/2025, 17:25.

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Transistor NPN, 15A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PML, 800V. Corrente do coletor: 15A. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PML. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: kHz. Função: Ultrahigh-Definition CRT Display. Ganho máximo de hFE: 30. Ganho mínimo de hFE: 4. Ic(pulso): 35A. Marcação na caixa: C5302. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 75W. Spec info: velocidade rápida (tf = 100ns tipo). Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor de silício planar triplo difuso . Tf(máx.): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão de saturação VCE(sat): 5V. Vebo: 6V
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Transistor NPN, 15A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PML, 800V. Corrente do coletor: 15A. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PML. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: kHz. Função: Ultrahigh-Definition CRT Display. Ganho máximo de hFE: 30. Ganho mínimo de hFE: 4. Ic(pulso): 35A. Marcação na caixa: C5302. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 75W. Spec info: velocidade rápida (tf = 100ns tipo). Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor de silício planar triplo difuso . Tf(máx.): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão de saturação VCE(sat): 5V. Vebo: 6V
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