Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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Transistor NPN, 5A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 800V - 2SD1398-SAN

Transistor NPN, 5A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 800V - 2SD1398-SAN
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Transistor NPN, 5A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 800V - 2SD1398-SAN. Transistor NPN, 5A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 800V. Corrente do coletor: 5A. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 30. Transistor Darlington?: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Ganho mínimo de hFE: 8:1. Ic(pulso): 16A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Planar Triplo Difuso . Tf(máx.): 0.7us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão de saturação VCE(sat): 5V. Vebo: 7V. Quantidade em estoque atualizada em 21/04/2025, 07:25.

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Transistor NPN, 5A, TO-3PML, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corrente do coletor: 5A. Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PML. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: kHz. Função: Amplificador de saída de deflexão horizontal para TV em cores.. Ganho máximo de hFE: 10. Ganho mínimo de hFE: 5. Ic(pulso): 20A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 60W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.3us. Tf(min): 0.1us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão de saturação VCE(sat): 5V. Vebo: 6V
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Transistor NPN, 5A, TO-3PML, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corrente do coletor: 5A. Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PML. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: kHz. Função: Amplificador de saída de deflexão horizontal para TV em cores.. Ganho máximo de hFE: 10. Ganho mínimo de hFE: 5. Ic(pulso): 20A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 60W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.3us. Tf(min): 0.1us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão de saturação VCE(sat): 5V. Vebo: 6V
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Transistor NPN, 5A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 800V. Corrente do coletor: 5A. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 80W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V
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