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Transistor NPN, 10A, 600V - 2SD1548

Transistor NPN, 10A, 600V - 2SD1548
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Transistor NPN, 10A, 600V - 2SD1548. Transistor NPN, 10A, 600V. Corrente do coletor: 10A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: CTV-HA (isolado). Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1400V. Quantidade em estoque atualizada em 21/04/2025, 07:25.

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Transistor NPN, 10A, TO-3PF, 750V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corrente do coletor: 10A. Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PF. Tensão do coletor/emissor Vceo: 750V. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Condicionamento: tubo de plástico. Material semicondutor: silício. FT: kHz. Função: Deflexão horizontal do display colorido de alta tensão . Ganho máximo de hFE: 8:1. Ganho mínimo de hFE: 5. Ic(pulso): 20A. Marcação na caixa: J6810. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 60W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão de saturação VCE(sat): 3V. Vebo: 6V. Número de terminais: 3. Nota: serigrafia . Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 30. Spec info: High Switching Speed tF(typ.)=0.1uS
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Transistor NPN, 10A, TO-3PF, 750V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corrente do coletor: 10A. Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PF. Tensão do coletor/emissor Vceo: 750V. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Condicionamento: tubo de plástico. Material semicondutor: silício. FT: kHz. Função: Deflexão horizontal do display colorido de alta tensão . Ganho máximo de hFE: 8:1. Ganho mínimo de hFE: 5. Ic(pulso): 20A. Marcação na caixa: J6810. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 60W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão de saturação VCE(sat): 3V. Vebo: 6V. Número de terminais: 3. Nota: serigrafia . Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 30. Spec info: High Switching Speed tF(typ.)=0.1uS
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Transistor NPN, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), SOT-93, 600V. Corrente do coletor: 10A. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-93. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: Alta resolução . Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Spec info: MONITOR
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Transistor NPN, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), SOT-93, 600V. Corrente do coletor: 10A. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-93. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: Alta resolução . Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Spec info: MONITOR
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Transistor NPN, 10A, 600V. Corrente do coletor: 10A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Nota: MONITOR. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Função: HA, Hi-res. Diodo CE: sim
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