Transistor NPN, 3A, TO-220FP, 2-10R1A, 60V - 2SD2012

Transistor NPN, 3A, TO-220FP, 2-10R1A, 60V - 2SD2012. Transistor NPN, 3A, TO-220FP, 2-10R1A, 60V. Corrente do coletor: 3A. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): 2-10R1A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. BE diodo: NINCS. Custo): 35pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Ganho máximo de hFE: 300. Ganho mínimo de hFE: 100. Marcação na caixa: D2012. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 25W. Spec info: transistor complementar (par) 2SB1366. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Silicon NPN Triple Diffused Type. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.4V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1V. Vebo: 7V. Quantidade em estoque atualizada em 09/06/2025, 20:25.