Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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Transistor NPN, 3A, TO-220FP, TO-220FN, 60V - 2SD2396

Transistor NPN, 3A, TO-220FP, TO-220FN, 60V - 2SD2396
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Transistor NPN, 3A, TO-220FP, TO-220FN, 60V - 2SD2396. Transistor NPN, 3A, TO-220FP, TO-220FN, 60V. Corrente do coletor: 3A. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. BE diodo: NINCS. Custo): 55pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 40 MHz. Ganho máximo de hFE: 2000. Ganho mínimo de hFE: 1000. Ic(pulso): 6A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 30W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.3V. Vebo: 6V. Produto original do fabricante ROHM. Quantidade em estoque atualizada em 09/06/2025, 20:25.

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2SC4495

2SC4495

Transistor NPN, 3A, TO-220FP, FM20 (TO220F), 50V. Corrente do coletor: 3A. Carcaça: TO-220FP. Habit...
2SC4495
Transistor NPN, 3A, TO-220FP, FM20 (TO220F), 50V. Corrente do coletor: 3A. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): FM20 (TO220F). Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. BE diodo: NINCS. Custo): 30pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 40 MHz. Função: High hFE, LOW Vce(sat). Pd (dissipação de energia, máx.): 25W. Tecnologia: Transistor planar difuso triplo NPN. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.5V
2SC4495
Transistor NPN, 3A, TO-220FP, FM20 (TO220F), 50V. Corrente do coletor: 3A. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): FM20 (TO220F). Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. BE diodo: NINCS. Custo): 30pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 40 MHz. Função: High hFE, LOW Vce(sat). Pd (dissipação de energia, máx.): 25W. Tecnologia: Transistor planar difuso triplo NPN. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.5V
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