Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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Transistor NPN, 0.8A, TO-92, TO-92, 45V - BC33716

Transistor NPN, 0.8A, TO-92, TO-92, 45V - BC33716
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10 - 24 0.77€ 0.95€
25 - 49 0.72€ 0.89€
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Transistor NPN, 0.8A, TO-92, TO-92, 45V - BC33716. Transistor NPN, 0.8A, TO-92, TO-92, 45V. Corrente do coletor: 0.8A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V. Custo): 12pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Ganho máximo de hFE: 250. Ganho mínimo de hFE: 100. Ic(pulso): 1A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Planar Epitaxial . Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.7V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) BC327-16. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 21/04/2025, 12:25.

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Transistor NPN, 0.8A, TO-92, TO-92, 45V. Corrente do coletor: 0.8A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V. Custo): 15pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 210 MHz. Ganho máximo de hFE: 630. Ganho mínimo de hFE: 100. Ic(pulso): 1A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Planar Epitaxial . Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.7V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) BC327-25. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
BC337-25
Transistor NPN, 0.8A, TO-92, TO-92, 45V. Corrente do coletor: 0.8A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V. Custo): 15pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 210 MHz. Ganho máximo de hFE: 630. Ganho mínimo de hFE: 100. Ic(pulso): 1A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Planar Epitaxial . Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.7V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) BC327-25. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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Transistor NPN, soldagem PCB, TO-92, 800mA, TO-92, 45V. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 800mA. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V. RoHS: sim. Carcaça (padrão JEDEC): TO-226. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BC337-40. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 45V. Frequência de corte ft [MHz]: 100 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.625W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor NPN . Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Planar Epitaxial . Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.7V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) BC327-40
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