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Transistor NPN, 3A, TO-220, TO-220, 800V - KSC5027-O

Transistor NPN, 3A, TO-220, TO-220, 800V - KSC5027-O
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Transistor NPN, 3A, TO-220, TO-220, 800V - KSC5027-O. Transistor NPN, 3A, TO-220, TO-220, 800V. Corrente do coletor: 3A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. BE diodo: NINCS. Custo): 60pF. Diodo CE: NINCS. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 15 MHz. Função: Comutação de alta velocidade. Ganho máximo de hFE: 40. Ganho mínimo de hFE: 20. Ic(pulso): 10A. Marcação na caixa: KSC5027 (O). Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.3us. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: 0...+150°C. Vcbo: 1100V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2V. Produto original do fabricante Fairchild. Quantidade em estoque atualizada em 09/06/2025, 08:25.

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Transistor NPN, 4A, TO-220, TO-220, 800V. Corrente do coletor: 4A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: comutação rápida de alta tensão, para comutação de fontes de alimentação. Ganho máximo de hFE: 40. Ganho mínimo de hFE: 10. Ic(pulso): 6A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 90W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 720 ns. Tf(min): 450 ns. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1600V. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 3V. Vebo: 9V
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Transistor NPN, 4A, TO-220, TO-220, 800V. Corrente do coletor: 4A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: comutação rápida de alta tensão, para comutação de fontes de alimentação. Ganho máximo de hFE: 40. Ganho mínimo de hFE: 10. Ic(pulso): 6A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 90W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 720 ns. Tf(min): 450 ns. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1600V. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 3V. Vebo: 9V
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