Transistores bipolares NPN

Transistor NPN, 4A, TO-126F, TO-126F, 45V. Corrente do coletor: 4A. Carcaça: TO-126F. Habitação (conforme ficha técnica): TO-126F. Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Pd (dissipação de energia, máx.): 36W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), SOT-32, 60V. Corrente do coletor: 4A. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-32. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Transistor Darlington?: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Função: NF-L. Ganho máximo de hFE: 130. Ganho mínimo de hFE: 20. Ic(pulso): 7A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 36W. Spec info: transistor complementar (par) BD440. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.8V

Transistor NPN, 80V, 4A, TO-126. Tensão coletor-emissor VCEO: 80V. Corrente do coletor: 4A. Carcaça: TO-126. Tipo de transistor: transistor de potência NPN . Polaridade: NPN. Potência: 36W. Frequência máxima: 3MHz

Transistor NPN, 4A, TO-126F, TO-126F, 80V, 80V, 4A, TO-126. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 4A. Carcaça: TO-126F. Habitação (conforme ficha técnica): TO-126F. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Tensão coletor-emissor VCEO: 80V. Corrente do coletor: 4A. Carcaça: TO-126. Marcação do fabricante: BD441G. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 80V. Frequência de corte ft [MHz]: 3 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 36W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Tipo de transistor: NPN. Tipo de transistor: transistor de potência NPN . Polaridade: NPN. Potência: 36W. Frequência máxima: 3MHz

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-220AB, 8A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 8A. RoHS: sim. Família de componentes: Transistor de potência Darlington NPN. Carcaça (padrão JEDEC): TO-220AB. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BD649. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 120V. Dissipação máxima Ptot [W]: 62.5W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, 10A, 45V. Corrente do coletor: 10A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Função: NF-L. Pd (dissipação de energia, máx.): 75W. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-126, 4A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-126. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 4A. RoHS: sim. Família de componentes: Transistor de potência Darlington NPN. Carcaça (padrão JEDEC): SOT-32. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BD677. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 60V. Dissipação máxima Ptot [W]: 40W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-126, 4A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-126. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 4A. RoHS: sim. Família de componentes: Transistor de potência Darlington NPN. Carcaça (padrão JEDEC): SOT-32. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BD677A. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 60V. Dissipação máxima Ptot [W]: 40W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-225, 4A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-225. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 4A. RoHS: sim. Família de componentes: Transistor de potência Darlington NPN. Carcaça (padrão JEDEC): TO-225. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BD677AG. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 60V. Dissipação máxima Ptot [W]: 40W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-126, 4A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-126. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 4A. RoHS: sim. Família de componentes: Transistor de potência Darlington NPN. Carcaça (padrão JEDEC): SOT-32. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BD679. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 80V. Dissipação máxima Ptot [W]: 40W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V. Corrente do coletor: 4A. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). Habitação (conforme ficha técnica): TO-126. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. BE diodo: NINCS. Resistor BE: R1 typ=15k Ohms, R2 typ=100 Ohms. Diodo CE: sim. Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 10 MHz. Ganho mínimo de hFE: 750. Ic(pulso): 6A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) BD680A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -...+150°C. Vcbo: 80V. Tensão de saturação VCE(sat): 2.8V

Transistor NPN, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 100V, 100V, TO-126. Corrente do coletor: 4A. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). Habitação (conforme ficha técnica): TO-126. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Tensão coletor-emissor VCEO: 100V. Carcaça: TO-126. Material semicondutor: silício. FT: 10 MHz. Ganho máximo de hFE: 750. Ic(pulso): 6A. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. Spec info: transistor complementar (par) BD682. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2.5V. Vebo: 5V. Tipo de transistor: Transistor de potência Darlington . Polaridade: NPN. Tipo: Transistor Darlington. Diodo embutido: sim. Potência: 40W

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-225, 4A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-225. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 4A. RoHS: sim. Família de componentes: Transistor de potência Darlington NPN. Carcaça (padrão JEDEC): TO-225. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BD681G. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 100V. Dissipação máxima Ptot [W]: 40W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, 4A, 80V. Corrente do coletor: 4A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 50 MHz. Função: NF-L. Pd (dissipação de energia, máx.): 15W. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-220, 10A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 10A. RoHS: sim. Família de componentes: transistor de potência NPN . Carcaça (padrão JEDEC): TO-220. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BD809G. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 80V. Frequência de corte ft [MHz]: 1.5 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 90W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, 15A, TO-220, TO-220, 100V. Corrente do coletor: 15A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. RoHS: sim. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Função: Potência Linear e Comutação. Ganho máximo de hFE: 250. Ganho mínimo de hFE: 40. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 90W. Spec info: transistor complementar (par) BD912. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Vebo: 5V. Resistor B: transistor de potência NPN . Resistor BE: 100V. C (pol.): 15A. Custo): 90W

Transistor NPN, 15A, TO-220, TO-220, 100V. Corrente do coletor: 15A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Função: NF/L. Pd (dissipação de energia, máx.): 90W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) BD912. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, Soldagem PCB (SMD), SOT-223, 3A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-223. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 3A. RoHS: sim. Família de componentes: transistor de potência NPN . Carcaça (padrão JEDEC): TO-264. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BDP949. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 60V. Frequência de corte ft [MHz]: 100 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 3W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, 12A, TO-220, TO-220, 120V. Corrente do coletor: 12A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 120V. BE diodo: sim. Diodo CE: sim. Transistor Darlington?: 1. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 10 MHz. Função: hFE 1000. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. Spec info: transistor complementar (par) BDT64C. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-247, 10A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-247. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 10A. RoHS: sim. Família de componentes: Transistor de potência Darlington NPN. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BDV65BG. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 100V. Dissipação máxima Ptot [W]: 125W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-220, 15A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 15A. RoHS: sim. Família de componentes: Transistor de potência Darlington NPN. Carcaça (padrão JEDEC): TO-220. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BDW42G. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 100V. Frequência de corte ft [MHz]: 4 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 85W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, soldagem PCB, SOT-93, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), SOT-93, 100V. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: SOT-93. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 15A. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-93. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. RoHS: sim. Família de componentes: Transistor de potência Darlington NPN. Carcaça (padrão JEDEC): SOT-93. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BDW83C. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 100V. Dissipação máxima Ptot [W]: 125W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Frequência de corte ft [MHz]: hFE 750 (@3V, 6A). Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 15A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 100V. Corrente do coletor: 15A. Carcaça: TO-3PN ( 2-16C1B ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 1 MHz. Ganho máximo de hFE: 20000. Ganho mínimo de hFE: 750. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 150W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) BDW84C. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 7us. Tf(min): 0.9us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 2.5V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 15A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 120V. Corrente do coletor: 15A. Carcaça: TO-3PN ( 2-16C1B ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 120V. Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 1 MHz. Função: hFE 750 (@3V, 6A). Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) BDW84D. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 12A, 12A, TO-220, TO-220AB, 100V, 100V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 12A. Corrente do coletor: 12A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Tensão coletor-emissor VCEO: 100V. RoHS: sim. Marcação do fabricante: BDW93C. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 100V. Dissipação máxima Ptot [W]: 80W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Frequência de corte ft [MHz]: 20 MHz. Ic(pulso): 15A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 80W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 2V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 3V. Tipo de transistor: Transistor de potência Darlington . Polaridade: NPN. Tipo: Transistor Darlington. Potência: 80W