Transistores bipolares NPN

Transistor NPN, 9A, TO-247, TO-247FP, 800V. Corrente do coletor: 9A. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247FP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: TV-HA. Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 9A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF ( SOT399 ), 800V. Corrente do coletor: 9A. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PF ( SOT399 ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: VCE(sat) 5.0V. Spec info: adequado para alimentar TVs SONY. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 10A, SOT-199, SOT-199, 800V. Corrente do coletor: 10A. Carcaça: SOT-199. Habitação (conforme ficha técnica): SOT-199. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 10A, SOT-199, SOT-199, 800V. Corrente do coletor: 10A. Carcaça: SOT-199. Habitação (conforme ficha técnica): SOT-199. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: kHz. Função: Comutação de alta tensão e alta velocidade. Ganho máximo de hFE: 13. Ganho mínimo de hFE: 5. Ic(pulso): 25A. Nota: Tensão de isolamento 2500V. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. Spec info: Switching times (16kHz line deflection circuit). Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor de Potência . Tf(máx.): 0.5us. Tf(min): 0.35us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão de saturação VCE(sat): 5V. Vebo: 13.5V

Transistor NPN, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 800V. Corrente do coletor: 10A. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PF. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 10A, SOT-199, SOT-199, 800V. Corrente do coletor: 10A. Carcaça: SOT-199. Habitação (conforme ficha técnica): SOT-199. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: kHz. Função: TV-HA, hi-res (F). Ganho máximo de hFE: 8:1. Ganho mínimo de hFE: 5. Ic(pulso): 25A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. Spec info: MONITOR. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.22us. Tf(min): 0.16us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão de saturação VCE(sat): 5V. Vebo: 13.5V

Transistor NPN, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), SOT-399, 800V. Corrente do coletor: 10A. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-399. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 64kHz. Função: Monitor TV-HA, hi-res, Visol--2500V. Ganho máximo de hFE: 10. Ganho mínimo de hFE: 5. Ic(pulso): 25A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor de potência de silício. Tf(máx.): 0.25us. Tf(min): 0.12us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão de saturação VCE(sat): 5V. Vebo: 13.5V

Transistor NPN, 12A, SOT-199, SOT-199, 800V. Corrente do coletor: 12A. Carcaça: SOT-199. Habitação (conforme ficha técnica): SOT-199. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: CTV-HA Hi-re. Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. Spec info: (F). Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 12A, TO-247, TO-247, 800V. Corrente do coletor: 12A. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: CTV-HA Hi-re. Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 12A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3P(H)IS, 800V. Corrente do coletor: 12A. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P(H)IS. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. BE diodo: NINCS. Custo): 145pF. Diodo CE: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: CTV-HA Hi-re. Ic(pulso): 30A. Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.35us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1.1V

Transistor NPN, 12A, SOT-199, 800V. Corrente do coletor: 12A. Carcaça: SOT-199. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: CRT-HA hi-re. Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. Spec info: SOT199 (F). Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 12A, 800V. Corrente do coletor: 12A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: CRT-HA hi-re. Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. RoHS: sim. Spec info: SOT399 (F). Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 12A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), SOT-399, 800V. Corrente do coletor: 12A. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-399. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: CRT-HA hi-re (F). Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 12A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), SOT-399, 800V. Corrente do coletor: 12A. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-399. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: CRT-HA hi-re (F). Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 16A, 800V. Corrente do coletor: 16A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: monitor. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. Spec info: 1.4...1.8us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 8A, 825V. Corrente do coletor: 8A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 825V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: TV-HA. Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. Spec info: Ts 4.8us, Tf 0.4us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1700V

Transistor NPN, 8A, 825V. Corrente do coletor: 8A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 825V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: TV-HA. Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. Spec info: 4.8us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1700V

Transistor NPN, 10A, 825V. Corrente do coletor: 10A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 825V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: TV-HA. Nota: MONITOR. Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. Spec info: 7.4us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1700V

Transistor NPN, 12A, 1700V. Corrente do coletor: 12A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 1700V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: Transistor de Potência . Nota: MONITOR 16KHz. Spec info: Rbe 70 Ohms, SOT199 (TO-247F). Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 12A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), SOT-399, 1700V. Corrente do coletor: 12A. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-399. Tensão do coletor/emissor Vceo: 1700V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: kHz. Função: MONITOR 16KHz. Ic(pulso): 30A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor de Potência . Tf(máx.): 0.3us. Tf(min): 0.14us. Tipo de transistor: NPN. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Vebo: 7.5V

Transistor NPN, 12A, 825V. Corrente do coletor: 12A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 825V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: TV-HA. Nota: MONITOR. Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. Spec info: 2.5us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1700V

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-3, 6A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-3. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 6A. RoHS: NINCS. Família de componentes: Transistor bipolar NPN. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 160V/100V. Dissipação máxima Ptot [W]: 25W

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-3, 6A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-3. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 6A. RoHS: NINCS. Família de componentes: Transistor bipolar NPN. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 280V/150V. Dissipação máxima Ptot [W]: 25W

Transistor NPN, 600V, 10A, TO-3. Tensão coletor-emissor VCEO: 600V. Corrente do coletor: 10A. Carcaça: TO-3. Tipo de transistor: Transistor de potência Darlington . Polaridade: NPN. Tipo: Transistor Darlington. Potência: 175W. Frequência máxima: 10MHz. Colecionador DC/ganho de base hfe min.: 150

Transistor NPN, 7A, TO-220, TO-220, 200V. Corrente do coletor: 7A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 200V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 6 MHz. Função: TV-HA. Ganho máximo de hFE: 20. Ganho mínimo de hFE: 12:1. Ic(pulso): 15A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 60W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 400V. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Vebo: 6V