Transistores bipolares NPN

Transistor NPN, Soldagem PCB (SMD), SOT-89, 50mA. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-89. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 50mA. RoHS: NINCS. Carcaça (padrão JEDEC): TO-243. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: DA. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 250V. Frequência de corte ft [MHz]: 60 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 1.1W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor de potência NPN

Transistor NPN, 0.5A, 300V. Corrente do coletor: 0.5A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 300V. Material semicondutor: silício. FT: 45 MHz. Pd (dissipação de energia, máx.): 10W. Tipo de transistor: NPN. Quantidade por caixa: 1

Transistor NPN, 25mA, 15V. Corrente do coletor: 25mA. Tensão do coletor/emissor Vceo: 15V. Material semicondutor: silício. Função: UHF-V M/O. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.36W. Tipo de transistor: NPN. Quantidade por caixa: 1

Transistor NPN, 50mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 300V. Corrente do coletor: 50mA. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23. Tensão do coletor/emissor Vceo: 300V. Transistor Darlington?: NINCS. Material semicondutor: silício. FT: 60 MHz. Função: Amplificador de VÍDEO.. Ganho mínimo de hFE: 50. Ic(pulso): 100mA. Marcação na caixa: 1V. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.25W. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 300V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.6V. Quantidade por caixa: 1. Spec info: impressão de tela/código SMD

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-202, 100mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-202. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: NINCS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 160V. Dissipação máxima Ptot [W]: 1.8W

Transistor NPN, 50mA, 275V. Corrente do coletor: 50mA. Tensão do coletor/emissor Vceo: 275V. Material semicondutor: silício. FT: 90MHz. Id(im): 300mA. Pd (dissipação de energia, máx.): 7W. RoHS: NINCS. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 300V. Vebo: 5V. Quantidade por caixa: 1

Transistor NPN, 100mA, TO-92, TO-92, 20V. Corrente do coletor: 100mA. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 20V. Material semicondutor: silício. FT: 700 MHz. Função: VHF TV-IF. Ganho máximo de hFE: 40. Ganho mínimo de hFE: 35. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 30 v. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Vebo: 3V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1

Transistor NPN, 150mA, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 15V. Corrente do coletor: 150mA. Carcaça: SOT-223 ( TO-226 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-223. Tensão do coletor/emissor Vceo: 15V. Material semicondutor: silício. FT: 7GHz. Função: Transistor de banda larga VHF/UHF-A 7GHz. Ganho máximo de hFE: 130. Ganho mínimo de hFE: 80. Pd (dissipação de energia, máx.): 1W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+175°C. Vcbo: 25V. Vebo: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1

Transistor NPN, 200mA, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 15V. Corrente do coletor: 200mA. Carcaça: SOT-223 ( TO-226 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-223. Tensão do coletor/emissor Vceo: 15V. Custo): 0.7pF. Material semicondutor: silício. FT: 7GHz. Função: Para amplificador de antena VHF/UHF e aplicações de comunicação RF. Ganho máximo de hFE: 250. Ganho mínimo de hFE: 60. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 2W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -60...+150°C. Vcbo: 20V. Vebo: 3V. Número de terminais: 4. Quantidade por caixa: 1. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 50mA, SOT-143, SOT-143B, 10V. Corrente do coletor: 50mA. Carcaça: SOT-143. Habitação (conforme ficha técnica): SOT-143B. Tensão do coletor/emissor Vceo: 10V. C (pol.): 1.3pF. Custo): 0.7pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 8GHz. Função: UHF wideband transistor. Ganho máximo de hFE: 100. Ganho mínimo de hFE: 60. Marcação na caixa: V3%. Pd (dissipação de energia, máx.): 300mW (total 380mW). RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -60...+150°C. Vcbo: 20V. Vebo: 2.5V. Número de terminais: 4. Spec info: serigrafia/código CMS V3. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 50mA, SOT-143, SOT-143B, 10V. Corrente do coletor: 50mA. Carcaça: SOT-143. Habitação (conforme ficha técnica): SOT-143B. Tensão do coletor/emissor Vceo: 10V. C (pol.): 1.3pF. Custo): 0.7pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 8GHz. Função: UHF wideband transistor. Ganho máximo de hFE: 100. Ganho mínimo de hFE: 60. Marcação na caixa: %MW. Pd (dissipação de energia, máx.): 300mW (total 380mW). RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 20V. Vebo: 2.5V. Número de terminais: 4. Spec info: serigrafia/código SMD MW. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 0.1A, TO-126, 300V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Corrente do coletor: 0.1A. Habitação (conforme ficha técnica): TO-126. Tensão do coletor/emissor Vceo: 300V. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). Material semicondutor: silício. FT: 60 MHz. Função: VID-L. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.8W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 300V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1

Transistor NPN, 80mA, SOT-143, SOT-143, 12V. Corrente do coletor: 80mA. Carcaça: SOT-143. Habitação (conforme ficha técnica): SOT-143. Tensão do coletor/emissor Vceo: 12V. C (pol.): 0.9pF. Custo): 0.28pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 8GHz. Função: UHF wideband transistor. Ganho máximo de hFE: 140. Ganho mínimo de hFE: 70. Marcação na caixa: RCs. Pd (dissipação de energia, máx.): 580mW (total 380mW). RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 20V. Vebo: 2V. Número de terminais: 4. Spec info: serigrafia/código SMD RCs. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 0.3A, 100V. Corrente do coletor: 0.3A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Material semicondutor: silício. Função: Alta resolução . Pd (dissipação de energia, máx.): 3W. Tipo de transistor: NPN. Quantidade por caixa: 1. Spec info: transistor complementar (par) BFQ252. Nota: Tc.=115°C

Transistor NPN, 0.15A, 25V. Corrente do coletor: 0.15A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 25V. Material semicondutor: silício. Função: UHF-A. Tipo de transistor: NPN. Quantidade por caixa: 1

Transistor NPN, 1.25A, 36V. Corrente do coletor: 1.25A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 36V. Material semicondutor: silício. FT: 175 MHz. Pd (dissipação de energia, máx.): 4W. Tipo de transistor: NPN. Quantidade por caixa: 1

Transistor NPN, Soldagem PCB (SMD), SOT-23, 210mA. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 210mA. RoHS: sim. Carcaça (padrão JEDEC): TO-236. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: R7s. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 15V. Frequência de corte ft [MHz]: 5GHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.7W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, 0.045A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 20V. Corrente do coletor: 0.045A. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23. Tensão do coletor/emissor Vceo: 20V. C (pol.): 0.64pF. Custo): 0.23pF. Material semicondutor: silício. FT: 5GHz. Função: Transistor de banda larga de 5 GHz (UHF-A). Ganho máximo de hFE: 140. Ganho mínimo de hFE: 70. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.28W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 15V. Vebo: 2.5V. Quantidade por caixa: 1. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 25mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 15V. Corrente do coletor: 25mA. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 15V. C (pol.): 1.2pF. Custo): 0.6pF. Condicionamento: rolo. Material semicondutor: silício. FT: 5GHz. Função: Transistor de banda larga de 5 GHz (UHF-A). Ganho máximo de hFE: 135. Ganho mínimo de hFE: 65. Marcação na caixa: P2p. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.3W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 20V. Vebo: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Nota: serigrafia/código SMD P2P. Unidade de condicionamento: 3000. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, Soldagem PCB (SMD), SOT-23, 25mA. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 25mA. RoHS: sim. Carcaça (padrão JEDEC): TO-236. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: P2. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 15V. Frequência de corte ft [MHz]: 5GHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.3W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, Soldagem PCB (SMD), SOT-23, 45mA. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 45mA. RoHS: sim. Carcaça (padrão JEDEC): TO-236. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: GFs. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 15V. Frequência de corte ft [MHz]: 5GHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.28W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, 35mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 12V. Corrente do coletor: 35mA. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 12V. Condicionamento: rolo. Material semicondutor: silício. FT: 6GHz. Função: UHF-A, RF wideband amplifiers and oscillators.. Ganho máximo de hFE: 90. Ganho mínimo de hFE: 40. Marcação na caixa: R2. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.3W. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 15V. Vebo: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 3000. Spec info: SMD R2. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 100mA, SOT-37 ( TO-50 ), SOT-37 ( TO-50 ), 15V. Corrente do coletor: 100mA. Carcaça: SOT-37 ( TO-50 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-37 ( TO-50 ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 15V. Material semicondutor: silício. FT: 5GHz. Função: Amplificador de RF até faixa de GHz para amplificador de antena.. Ganho máximo de hFE: 150. Ganho mínimo de hFE: 25. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 700W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: Transistor RF Planar . Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 20V. Vebo: 2.5V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1

Transistor NPN, 25mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 15V. Corrente do coletor: 25mA. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 15V. Material semicondutor: silício. FT: 2.8GHz. Função: VHF-UHF 3GHz wideband transistor. Ganho máximo de hFE: 90. Ganho mínimo de hFE: 25. Ic(pulso): 50mA. Marcação na caixa: E2. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 300mW. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 25V. Vebo: 2.5V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1

Transistor NPN, 25mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 20V. Corrente do coletor: 25mA. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 20V. Material semicondutor: silício. FT: 450 MHz. Função: Circuito de película espessa e fina IF e VHF . Ganho máximo de hFE: 140. Ganho mínimo de hFE: 40. Ic(pulso): 25mA. Marcação na caixa: G1*. Pd (dissipação de energia, máx.): 200mW. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 30 v. Vebo: 4 v. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Nota: serigrafia/código SMD G1p, G1t, G1W