Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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Transistor NPN, 12A, TO-3P(H)IS, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A) - BU2525DX

Transistor NPN, 12A, TO-3P(H)IS, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A) - BU2525DX
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Transistor NPN, 12A, TO-3P(H)IS, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A) - BU2525DX. Transistor NPN, 12A, TO-3P(H)IS, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corrente do coletor: 12A. Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P(H)IS. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Custo): 145pF. Material semicondutor: silício. Função: CTV-HA Hi-re. Ic(pulso): 30A. Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.35us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1.1V. Quantidade por caixa: 1. BE diodo: NINCS. Diodo CE: sim. Quantidade em estoque atualizada em 21/04/2025, 09:25.

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Transistor NPN, 12A, SOT-399, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corrente do coletor: 12A. Habitação ...
BU2527DX
Transistor NPN, 12A, SOT-399, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corrente do coletor: 12A. Habitação (conforme ficha técnica): SOT-399. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Material semicondutor: silício. Função: CRT-HA hi-re (F). Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Quantidade por caixa: 1
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Transistor NPN, 12A, SOT-399, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corrente do coletor: 12A. Habitação (conforme ficha técnica): SOT-399. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Material semicondutor: silício. Função: CRT-HA hi-re (F). Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Quantidade por caixa: 1
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2SC5696
Transistor NPN, 12A, TO-3PMLH, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corrente do coletor: 12A. Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PMLH. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Transistor Darlington?: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: kHz. Função: alta velocidade. Ganho máximo de hFE: 11. Ganho mínimo de hFE: 3. Ic(pulso): 36A. Marcação na caixa: C5696. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 85W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor de silício planar triplo difuso . Tf(máx.): 0.3us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1600V. Tensão de saturação VCE(sat): 3V. Vebo: 5V. Resistor BE: sim. Diodo CE: sim
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Transistor NPN, 12A, TO-3PMLH, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corrente do coletor: 12A. Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PMLH. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Transistor Darlington?: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: kHz. Função: alta velocidade. Ganho máximo de hFE: 11. Ganho mínimo de hFE: 3. Ic(pulso): 36A. Marcação na caixa: C5696. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 85W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor de silício planar triplo difuso . Tf(máx.): 0.3us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1600V. Tensão de saturação VCE(sat): 3V. Vebo: 5V. Resistor BE: sim. Diodo CE: sim
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