Transistores bipolares NPN

Transistor NPN, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), ISOWATT218FX, 700V. Corrente do coletor: 8A. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Habitação (conforme ficha técnica): ISOWATT218FX. Tensão do coletor/emissor Vceo: 700V. Resistor BE: 42 Ohms. Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 2. Material semicondutor: silício. FT: kHz. Ganho máximo de hFE: 230. Ganho mínimo de hFE: 60. Ic(pulso): 10A. Número de terminais: 2. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 62W. RoHS: sim. Spec info: ICM--(tp < 5ms). Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.8us. Tf(min): 0.2us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1400V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.6V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), ISOWATT218, 700V. Corrente do coletor: 8A. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Habitação (conforme ficha técnica): ISOWATT218. Tensão do coletor/emissor Vceo: 700V. Resistor BE: 260 Ohms. Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 2. Material semicondutor: silício. Função: hFE 60...230, caixa de plástico isolada. Ic(pulso): 10A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 62W. Spec info: tempo de queda 0,8us. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1400V. Vebo: 5V

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-247, 15A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-247. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 15A. RoHS: sim. Família de componentes: transistor NPN de alta tensão. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BU941ZP. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 350V. Dissipação máxima Ptot [W]: 155W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

Transistor NPN, 15A, 400V. Corrente do coletor: 15A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 400V. Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: S-L. Nota: >300. Pd (dissipação de energia, máx.): 65W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 500V

Transistor NPN, 10A, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 350V. Corrente do coletor: 10A. Carcaça: D2PAK ( TO-263 ). Habitação (conforme ficha técnica): D2PAK ( TO-263 ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 350V. Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: tempo de queda 625ns. Ganho máximo de hFE: 3400. Ganho mínimo de hFE: 500. Spec info: 360-450V Clamping. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 0.5A, D-PAK ( TO-252 ), 450V. Corrente do coletor: 0.5A. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 450V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 20 MHz. Pd (dissipação de energia, máx.): 20W. Spec info: HV-POWER. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1000V

Transistor NPN, 30A, TO-247, TO-247, 450V. Corrente do coletor: 30A. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Tensão do coletor/emissor Vceo: 450V. Transistor Darlington?: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: kHz. Ic(pulso): 60A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 200W. RoHS: sim. Spec info: Transistor de potência de comutação rápida de alta tensão. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Tecnologia Planar Multi Epitaxial de Alta Tensão . Tf(máx.): 0.1us. Tf(min): 0.05us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.8V. Vebo: 7V

Transistor NPN, 14A, ISOWATT218FX, TO-218-ISO, 700V. Corrente do coletor: 14A. Carcaça: ISOWATT218FX. Habitação (conforme ficha técnica): TO-218-ISO. Tensão do coletor/emissor Vceo: 700V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: kHz. Função: Comutação rápida de alta tensão. Ganho máximo de hFE: 14. Ganho mínimo de hFE: 7. Ic(pulso): 18A. Nota: hi-res, monitor 19. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 70W. Spec info: Icmax--18A <5mS. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 220 ns. Tf(min): 110 ns. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.5V. Vebo: 10V

Transistor NPN, 16A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-218 ( SOT93 ), 700V. Corrente do coletor: 16A. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-218 ( SOT93 ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 700V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: kHz. Função: Transistor de comutação rápida de alta tensão. Ganho máximo de hFE: 14. Ganho mínimo de hFE: 5. Ic(pulso): 22A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 200W. Spec info: Icm.22A <5ms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 210 ns. Tf(min): 110 ns. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.5V. Vebo: 10V

Transistor NPN, 5A, 700V. Corrente do coletor: 5A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 700V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: Alta resolução . Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. Spec info: MONITOR. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 5A, ISOWATT218FX, ISOWATT218, 700V. Corrente do coletor: 5A. Carcaça: ISOWATT218FX. Habitação (conforme ficha técnica): ISOWATT218. Tensão do coletor/emissor Vceo: 700V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: kHz. Função: Alta resolução . Ganho máximo de hFE: 9. Ganho mínimo de hFE: 2.5. Ic(pulso): 12A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 44W. Spec info: MONITOR. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 400 ns. Tf(min): 200 ns. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.5V. Vebo: 10V

Transistor NPN, 8A, ISOWATT218, ISOWATT218, 700V. Corrente do coletor: 8A. Carcaça: ISOWATT218. Habitação (conforme ficha técnica): ISOWATT218. Tensão do coletor/emissor Vceo: 700V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: Alta resolução . Ganho máximo de hFE: 6. Ganho mínimo de hFE: 4. Ic(pulso): 15A. Pd (dissipação de energia, máx.): 60W. Spec info: MONITOR. Tf (tipo): 190 ns. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1700V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1.5V. Vebo: 10V

Transistor NPN, 10A, 700V. Corrente do coletor: 10A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 700V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: Alta resolução . Nota: MONITOR. Pd (dissipação de energia, máx.): 57W. Spec info: Ts 2.1/3.1us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 4A, 400V. Corrente do coletor: 4A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 400V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: alta tensão, comutação rápida. Ganho máximo de hFE: 32. Ganho mínimo de hFE: 10. Ic(pulso): 8A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 70W. Spec info: TO-220. Tf (tipo): 0.2us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1.5V

Transistor NPN, 4A, TO-220, TO-220, 800V. Corrente do coletor: 4A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: comutação rápida de alta tensão, para comutação de fontes de alimentação. Ganho máximo de hFE: 40. Ganho mínimo de hFE: 10. Ic(pulso): 6A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 90W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 720 ns. Tf(min): 450 ns. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1600V. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 3V. Vebo: 9V

Transistor NPN, 5A, TO-220, TO-220, 500V. Corrente do coletor: 5A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 500V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: kHz. Função: Troca rápida para troca de fontes de alimentação. Ganho máximo de hFE: 14. Ganho mínimo de hFE: 6. Ic(pulso): 10A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 75W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 150us. Tf(min): 80us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Vebo: 9V

Transistor NPN, 5A, TO-220FP, TO-220F, 500V. Corrente do coletor: 5A. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão do coletor/emissor Vceo: 500V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: kHz. Função: Comutação rápida de alta tensão. Ganho máximo de hFE: 13.5. Ganho mínimo de hFE: 8:1. Ic(pulso): 10A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 36W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 150 ns. Tf(min): 80 ns. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1150V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Vebo: 9V

Transistor NPN, 5A, TO-220, TO-220, 450V. Corrente do coletor: 5A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 450V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: SMPS S-L. Ic(pulso): 10A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 80W. Spec info: Comutação de alta velocidade . Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 100 ns. Tf(min): 0.8us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 800V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1.1V. Vebo: 9V

Transistor NPN, 4A, TO-220, TO-220, 450V. Corrente do coletor: 4A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 450V. Transistor Darlington?: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: Comutação rápida para fonte de alimentação comutada. Ganho máximo de hFE: 10. Ganho mínimo de hFE: 4. Ic(pulso): 8A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 70W. RoHS: sim. Spec info: IFMS 8A, tp <5 ms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 100 ns. Tf(min): 50 ns. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 850V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.13V. Vebo: 9V

Transistor NPN, 7A, 450V. Corrente do coletor: 7A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 450V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: SMPS S-L. Pd (dissipação de energia, máx.): 75W. Spec info: Comutação de alta velocidade . Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1000V

Transistor NPN, 5A, TO-220, TO220AB CASE 221A-09, 400V. Corrente do coletor: 5A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO220AB CASE 221A-09. Tensão do coletor/emissor Vceo: 400V. BE diodo: NINCS. Custo): 50pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 12 MHz. Função: SMPS S-L. Ganho máximo de hFE: 34. Ganho mínimo de hFE: 14. Ic(pulso): 10A. Pd (dissipação de energia, máx.): 75W. RoHS: sim. Spec info: Comutação de alta velocidade . Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.15V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.4V. Vebo: 9V

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-220, 5A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 5A. RoHS: sim. Família de componentes: transistor NPN de alta tensão. Carcaça (padrão JEDEC): TO-220. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BUL45D2G. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 400V. Frequência de corte ft [MHz]: 13 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 75W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, 5A, TO-220, TO220AB CASE 221A-09, 400V. Corrente do coletor: 5A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO220AB CASE 221A-09. Tensão do coletor/emissor Vceo: 400V. BE diodo: NINCS. Custo): 50pF. Diodo CE: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 13 MHz. Função: Transistor de potência NPN bipolar de alta velocidade e alto ganho. Ganho máximo de hFE: 34. Ganho mínimo de hFE: 22. Ic(pulso): 10A. Pd (dissipação de energia, máx.): 75W. RoHS: sim. Spec info: Built-in Efficient Antisaturation Network. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.28V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.4V. Vebo: 12V

Transistor NPN, 4A, 500V. Corrente do coletor: 4A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 500V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: SMPS S-L. Pd (dissipação de energia, máx.): 65W. Spec info: alta velocidade. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1000V

Transistor NPN, 1.2A, TO-126F, TO-126F, 400V. Corrente do coletor: 1.2A. Carcaça: TO-126F. Habitação (conforme ficha técnica): TO-126F. Tensão do coletor/emissor Vceo: 400V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: kHz. Função: Comutação de alta velocidade. Ganho máximo de hFE: 40. Ganho mínimo de hFE: 5. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 25W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 1us. Tf(min): 1us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 600V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Vebo: 9V