Transistores bipolares NPN

Transistor NPN, 5A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 700V. Corrente do coletor: 5A. Carcaça: TO-3 ( TO-204 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3. Tensão do coletor/emissor Vceo: 700V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 12A, 350V. Corrente do coletor: 12A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 350V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: TV-HA. Pd (dissipação de energia, máx.): 85W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 700V

Transistor NPN, 5A, 700V. Corrente do coletor: 5A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 700V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 8A, TO-247, TO-247FP, 700V. Corrente do coletor: 8A. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247FP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 700V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: TV-HA. Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 8A, 700V. Corrente do coletor: 8A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 700V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: TV-HA. Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. RoHS: sim. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 8A, TO-247, TO-247, 700V. Corrente do coletor: 8A. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Tensão do coletor/emissor Vceo: 700V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: (F). Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Spec info: 33 Ohms

Transistor NPN, 9A, TO-247, TO-247FP, 800V. Corrente do coletor: 9A. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247FP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: TV-HA. Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 9A, TO-3PF ( SOT399 ), 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corrente do coletor: 9A. Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PF ( SOT399 ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: VCE(sat) 5.0V. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Spec info: adequado para alimentar TVs SONY

Transistor NPN, 10A, SOT-199, SOT-199, 800V. Corrente do coletor: 10A. Carcaça: SOT-199. Habitação (conforme ficha técnica): SOT-199. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 10A, SOT-199, SOT-199, 800V. Corrente do coletor: 10A. Carcaça: SOT-199. Habitação (conforme ficha técnica): SOT-199. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: kHz. Ganho máximo de hFE: 13. Ganho mínimo de hFE: 5. Ic(pulso): 25A. Nota: Tensão de isolamento 2500V. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor de Potência . Tf(máx.): 0.5us. Tf(min): 0.35us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão de saturação VCE(sat): 5V. Vebo: 13.5V. Função: Comutação de alta tensão e alta velocidade. Spec info: Switching times (16kHz line deflection circuit)

Transistor NPN, 10A, TO-3PF, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corrente do coletor: 10A. Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PF. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 10A, SOT-199, SOT-199, 800V. Corrente do coletor: 10A. Carcaça: SOT-199. Habitação (conforme ficha técnica): SOT-199. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Material semicondutor: silício. FT: kHz. Ganho máximo de hFE: 8:1. Ganho mínimo de hFE: 5. Ic(pulso): 25A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.22us. Tf(min): 0.16us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão de saturação VCE(sat): 5V. Vebo: 13.5V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Spec info: MONITOR. Função: TV-HA, hi-res (F)

Transistor NPN, 10A, SOT-399, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corrente do coletor: 10A. Habitação (conforme ficha técnica): SOT-399. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Material semicondutor: silício. FT: 64kHz. Ganho máximo de hFE: 10. Ganho mínimo de hFE: 5. Ic(pulso): 25A. Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor de potência de silício. Tf(máx.): 0.25us. Tf(min): 0.12us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão de saturação VCE(sat): 5V. Vebo: 13.5V. Número de terminais: 3. Função: Monitor TV-HA, hi-res, Visol--2500V. Quantidade por caixa: 1. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 12A, SOT-199, SOT-199, 800V. Corrente do coletor: 12A. Carcaça: SOT-199. Habitação (conforme ficha técnica): SOT-199. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Material semicondutor: silício. Função: CTV-HA Hi-re. Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Quantidade por caixa: 1. Spec info: (F)

Transistor NPN, 12A, TO-247, TO-247, 800V. Corrente do coletor: 12A. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Material semicondutor: silício. Função: CTV-HA Hi-re. Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Quantidade por caixa: 1

Transistor NPN, 12A, TO-3P(H)IS, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corrente do coletor: 12A. Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P(H)IS. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Custo): 145pF. Material semicondutor: silício. Função: CTV-HA Hi-re. Ic(pulso): 30A. Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.35us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1.1V. Quantidade por caixa: 1. BE diodo: NINCS. Diodo CE: sim

Transistor NPN, 12A, SOT-199, 800V. Corrente do coletor: 12A. Carcaça: SOT-199. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Material semicondutor: silício. Função: CRT-HA hi-re. Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Quantidade por caixa: 1. Spec info: SOT199 (F)

Transistor NPN, 12A, 800V. Corrente do coletor: 12A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Material semicondutor: silício. Função: CRT-HA hi-re. Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. RoHS: sim. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Quantidade por caixa: 1. Spec info: SOT399 (F)

Transistor NPN, 12A, SOT-399, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corrente do coletor: 12A. Habitação (conforme ficha técnica): SOT-399. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Material semicondutor: silício. Função: CRT-HA hi-re (F). Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Quantidade por caixa: 1

Transistor NPN, 12A, SOT-399, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corrente do coletor: 12A. Habitação (conforme ficha técnica): SOT-399. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Material semicondutor: silício. Função: CRT-HA hi-re (F). Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1

Transistor NPN, 16A, 800V. Corrente do coletor: 16A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Material semicondutor: silício. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Quantidade por caixa: 1. Spec info: 1.4...1.8us

Transistor NPN, 8A, 825V. Corrente do coletor: 8A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 825V. Material semicondutor: silício. Função: TV-HA. Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1700V. Quantidade por caixa: 1. Spec info: Ts 4.8us, Tf 0.4us

Transistor NPN, 8A, 825V. Corrente do coletor: 8A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 825V. Material semicondutor: silício. Função: TV-HA. Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1700V. Quantidade por caixa: 1. Spec info: 4.8us

Transistor NPN, 10A, 825V. Corrente do coletor: 10A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 825V. Material semicondutor: silício. Função: TV-HA. Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1700V. Nota: MONITOR. Quantidade por caixa: 1. Spec info: 7.4us

Transistor NPN, 12A, 1700V. Corrente do coletor: 12A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 1700V. Material semicondutor: silício. Função: Transistor de Potência . Tipo de transistor: NPN. Nota: MONITOR 16KHz. Quantidade por caixa: 1. Spec info: Rbe 70 Ohms, SOT199 (TO-247F)