Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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Transistor NPN, 5A, TO-220FP, TO-220F, 500V - BUL312FP

Transistor NPN, 5A, TO-220FP, TO-220F, 500V - BUL312FP
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Transistor NPN, 5A, TO-220FP, TO-220F, 500V - BUL312FP. Transistor NPN, 5A, TO-220FP, TO-220F, 500V. Corrente do coletor: 5A. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão do coletor/emissor Vceo: 500V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: kHz. Função: Comutação rápida de alta tensão. Ganho máximo de hFE: 13.5. Ganho mínimo de hFE: 8:1. Ic(pulso): 10A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 36W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 150 ns. Tf(min): 80 ns. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1150V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Vebo: 9V. Produto original do fabricante Stmicroelectronics. Quantidade em estoque atualizada em 09/06/2025, 16:25.

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Transistor NPN, 5A, TO-220FP, TO-220F, 600V. Corrente do coletor: 5A. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. BE diodo: NINCS. Resistor BE: 50. Custo): 156pF. Diodo CE: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 13 MHz. Função: circuitos de comutação . Ganho máximo de hFE: 35. Ganho mínimo de hFE: 18. Ic(pulso): 10A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 35W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 175 ns. Tf(min): 110 ns. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+175°C. Vcbo: 1200V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.83V. Vebo: 10V
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