Transistores bipolares NPN

Transistor NPN, 4A, 400V. Corrente do coletor: 4A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 400V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: alta tensão, comutação rápida. Ganho máximo de hFE: 32. Ganho mínimo de hFE: 10. Ic(pulso): 8A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 70W. Spec info: TO-220. Tf (tipo): 0.2us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1.5V

Transistor NPN, 4A, TO-220, TO-220, 800V. Corrente do coletor: 4A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: comutação rápida de alta tensão, para comutação de fontes de alimentação. Ganho máximo de hFE: 40. Ganho mínimo de hFE: 10. Ic(pulso): 6A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 90W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 720 ns. Tf(min): 450 ns. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1600V. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 3V. Vebo: 9V

Transistor NPN, 5A, TO-220, TO-220, 500V. Corrente do coletor: 5A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 500V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: kHz. Função: Troca rápida para troca de fontes de alimentação. Ganho máximo de hFE: 14. Ganho mínimo de hFE: 6. Ic(pulso): 10A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 75W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 150us. Tf(min): 80us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Vebo: 9V

Transistor NPN, 5A, TO-220FP, TO-220F, 500V. Corrente do coletor: 5A. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão do coletor/emissor Vceo: 500V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: kHz. Função: Comutação rápida de alta tensão. Ganho máximo de hFE: 13.5. Ganho mínimo de hFE: 8:1. Ic(pulso): 10A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 36W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 150 ns. Tf(min): 80 ns. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1150V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Vebo: 9V

Transistor NPN, 5A, TO-220, TO-220, 450V. Corrente do coletor: 5A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 450V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: SMPS S-L. Ic(pulso): 10A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 80W. Spec info: Comutação de alta velocidade . Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 100 ns. Tf(min): 0.8us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 800V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1.1V. Vebo: 9V

Transistor NPN, 4A, TO-220, TO-220, 450V. Corrente do coletor: 4A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 450V. Transistor Darlington?: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: Comutação rápida para fonte de alimentação comutada. Ganho máximo de hFE: 10. Ganho mínimo de hFE: 4. Ic(pulso): 8A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 70W. RoHS: sim. Spec info: IFMS 8A, tp <5 ms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 100 ns. Tf(min): 50 ns. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 850V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.13V. Vebo: 9V

Transistor NPN, 7A, 450V. Corrente do coletor: 7A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 450V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: SMPS S-L. Pd (dissipação de energia, máx.): 75W. Spec info: Comutação de alta velocidade . Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1000V

Transistor NPN, 5A, TO-220, TO220AB CASE 221A-09, 400V. Corrente do coletor: 5A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO220AB CASE 221A-09. Tensão do coletor/emissor Vceo: 400V. BE diodo: NINCS. Custo): 50pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 12 MHz. Função: SMPS S-L. Ganho máximo de hFE: 34. Ganho mínimo de hFE: 14. Ic(pulso): 10A. Pd (dissipação de energia, máx.): 75W. RoHS: sim. Spec info: Comutação de alta velocidade . Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.15V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.4V. Vebo: 9V

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-220, 5A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 5A. RoHS: sim. Família de componentes: transistor NPN de alta tensão. Carcaça (padrão JEDEC): TO-220. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BUL45D2G. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 400V. Frequência de corte ft [MHz]: 13 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 75W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, 5A, TO-220, TO220AB CASE 221A-09, 400V. Corrente do coletor: 5A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO220AB CASE 221A-09. Tensão do coletor/emissor Vceo: 400V. BE diodo: NINCS. Custo): 50pF. Diodo CE: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 13 MHz. Função: Transistor de potência NPN bipolar de alta velocidade e alto ganho. Ganho máximo de hFE: 34. Ganho mínimo de hFE: 22. Ic(pulso): 10A. Pd (dissipação de energia, máx.): 75W. RoHS: sim. Spec info: Built-in Efficient Antisaturation Network. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.28V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.4V. Vebo: 12V

Transistor NPN, 4A, 500V. Corrente do coletor: 4A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 500V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: SMPS S-L. Pd (dissipação de energia, máx.): 65W. Spec info: alta velocidade. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1000V

Transistor NPN, 1.2A, TO-126F, TO-126F, 400V. Corrente do coletor: 1.2A. Carcaça: TO-126F. Habitação (conforme ficha técnica): TO-126F. Tensão do coletor/emissor Vceo: 400V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: kHz. Função: Comutação de alta velocidade. Ganho máximo de hFE: 40. Ganho mínimo de hFE: 5. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 25W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 1us. Tf(min): 1us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 600V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Vebo: 9V

Transistor NPN, 5A, TO-220, TO-220, 450V. Corrente do coletor: 5A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 450V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: kHz. Função: Comutação rápida de alta tensão. Ganho máximo de hFE: 35. Ganho mínimo de hFE: 10. Ic(pulso): 10A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 83W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 4us. Tf(min): 0.8us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.3V. Vebo: 9V

Transistor NPN, 5A, TO-220FP, TO-220F, 450V. Corrente do coletor: 5A. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão do coletor/emissor Vceo: 450V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: S-L. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 20W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1000V

Transistor NPN, 5A, TO-220FP, TO-220F, 450V. Corrente do coletor: 5A. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão do coletor/emissor Vceo: 450V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: S-L. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 20W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1000V

Transistor NPN, 5A, TO-220FP, TO-220F ( SOT186A ), 450V. Corrente do coletor: 5A. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F ( SOT186A ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 450V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Ganho máximo de hFE: 35. Ganho mínimo de hFE: 10. Ic(pulso): 10A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 32W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor de Potência . Tf(máx.): 160 ns. Tf(min): 145 ns. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -...+150°C. Vcbo: 1000V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.25V

Transistor NPN, 5A, TO-220FP, TO-220F, 450V. Corrente do coletor: 5A. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão do coletor/emissor Vceo: 450V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: S-L. Pd (dissipação de energia, máx.): 32W. Spec info: Tf 170ns. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1000V

Transistor NPN, 10A, TO-220FP, TO-220F, 450V. Corrente do coletor: 10A. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão do coletor/emissor Vceo: 450V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 10 MHz. Pd (dissipação de energia, máx.): 23W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1000V

Transistor NPN, 6A, TO-220, TO-220, 450V. Corrente do coletor: 6A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 450V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 10 MHz. Pd (dissipação de energia, máx.): 110W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1000V

Transistor NPN, 6A, TO-220FP, TO-220F, 450V. Corrente do coletor: 6A. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão do coletor/emissor Vceo: 450V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 10 MHz. Função: alta tensão, alta velocidade. Ganho máximo de hFE: 35. Ganho mínimo de hFE: 10. Ic(pulso): 12A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 33W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.8us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.5V. Vebo: 9V

Transistor NPN, 6A, TO-220FP, TO-220F, 450V. Corrente do coletor: 6A. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão do coletor/emissor Vceo: 450V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 10 MHz. Função: S-L. Pd (dissipação de energia, máx.): 33W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1000V

Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220, 450V. Corrente do coletor: 8A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 450V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 10 MHz. Função: S-L. Pd (dissipação de energia, máx.): 100W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1000V

Transistor NPN, 4A, 350V. Corrente do coletor: 4A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 350V. Diodo CE: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 9 MHz. Função: S-L, SN. Pd (dissipação de energia, máx.): 55W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 600V

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-3, 50A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-3. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 50A. RoHS: sim. Família de componentes: transistor NPN de alta tensão. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BUV20. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 125V. Frequência de corte ft [MHz]: 8 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 250W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +200°C

Transistor NPN, 20A, TO-220, TO-220 CASE 221A, 190V. Corrente do coletor: 20A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220 CASE 221A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 190V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: Projetado para aplicações de alta velocidade. Ic(pulso): 30A. Pd (dissipação de energia, máx.): 85W. RoHS: sim. Tf(máx.): 150 ns. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+175°C. Vcbo: 180V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.6V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1.5V. Vebo: 7V