Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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Transistor NPN, 2A, TO-220, TO-220, 450V - BUX85

Transistor NPN, 2A, TO-220, TO-220, 450V - BUX85
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Transistor NPN, 2A, TO-220, TO-220, 450V - BUX85. Transistor NPN, 2A, TO-220, TO-220, 450V. Corrente do coletor: 2A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 450V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 4 MHz. Função: S-L. Ganho máximo de hFE: 50. Ganho mínimo de hFE: 30. Ic(pulso): 3A. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.8V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1V. Produto original do fabricante ON Semiconductor. Quantidade em estoque atualizada em 01/08/2025, 10:25.

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Transistor NPN, 5A, TO-220, TO-220, 500V. Corrente do coletor: 5A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 500V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: kHz. Função: Troca rápida para troca de fontes de alimentação. Ganho máximo de hFE: 14. Ganho mínimo de hFE: 6. Ic(pulso): 10A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 75W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 150us. Tf(min): 80us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Vebo: 9V
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