Transistores bipolares NPN

Transistor NPN, 200mA, TO-220, TO-220, 300V. Corrente do coletor: 200mA. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 300V. Diodo CE: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 80 MHz. Função: Saída cromática de TV em cores (VID-L). Ganho máximo de hFE: 140. Ganho mínimo de hFE: 70. Marcação na caixa: C1507 O. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 15W. Spec info: fT--40...80MHz, VCE=30V, IC=10mA. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 300V. Tensão de saturação VCE(sat): 2V. Vebo: 7V

Transistor NPN, 200mA, TO-220, TO-220, 300V. Corrente do coletor: 200mA. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 300V. Diodo CE: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 80 MHz. Função: Saída cromática de TV em cores (VID-L). Ganho máximo de hFE: 240. Ganho mínimo de hFE: 120. Marcação na caixa: C1507 Y. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 15W. Spec info: fT--40...80MHz, VCE=30V, IC=10mA. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 300V. Tensão de saturação VCE(sat): 2V. Vebo: 7V

Transistor NPN, 50mA, TO-92, TO-92 3L (AMMO), 120V. Corrente do coletor: 50mA. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92 3L (AMMO). Tensão do coletor/emissor Vceo: 120V. BE diodo: NINCS. Custo): 1.6pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 110 MHz. Função: Amplificador de áudio HI-FI. Ganho máximo de hFE: 600. Ganho mínimo de hFE: 300. Marcação na caixa: C1845. Equivalentes: 2SC1845. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) KSA992. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 120V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.07V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.3V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 0.7A, TO-92, TO-92, 30 v. Corrente do coletor: 0.7A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 30 v. Diodo CE: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 170 MHz. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.6W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 1.5A, TO-220, TO-220, 150V. Corrente do coletor: 1.5A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 150V. BE diodo: NINCS. Custo): 50pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 4 MHz. Função: Saída de deflexão vertical da TV. Ganho máximo de hFE: 125. Ganho mínimo de hFE: 60. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 25W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) KSA940. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 150V. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 1.5A, TO-220, TO-220, 150V. Corrente do coletor: 1.5A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 150V. BE diodo: NINCS. Custo): 50pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 4 MHz. Função: Saída de deflexão vertical da TV. Ganho máximo de hFE: 125. Ganho mínimo de hFE: 40. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 25W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) KSA940. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 150V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 0.05A, TO-92, TO-92L (9mm magas), 150V. Corrente do coletor: 0.05A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92L (9mm magas). Tensão do coletor/emissor Vceo: 150V. BE diodo: NINCS. Custo): 3.5pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Ganho máximo de hFE: 140. Ganho mínimo de hFE: 70. Marcação na caixa: C2310 O. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.8W. RoHS: NINCS. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor de Silício Epitaxial . Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 200V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.5V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 0.05A, TO-92, TO-92L (9mm magas), 150V. Corrente do coletor: 0.05A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92L (9mm magas). Tensão do coletor/emissor Vceo: 150V. BE diodo: NINCS. Custo): 3.5pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Ganho máximo de hFE: 240. Ganho mínimo de hFE: 120. Marcação na caixa: C2310 Y. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.8W. RoHS: NINCS. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor de Silício Epitaxial . Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 200V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.5V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 2A, 30 v. Corrente do coletor: 2A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 30 v. Resistor B: 10. BE diodo: NINCS. Resistor BE: 10. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 120 MHz. Pd (dissipação de energia, máx.): 1W. Spec info: TO-92M (hauteur 9mm). Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 0.1A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 300V. Corrente do coletor: 0.1A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92M ( 9mm ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 300V. Resistor B: 10. BE diodo: NINCS. Resistor BE: 10. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 50 MHz. Função: 0501-000367. Pd (dissipação de energia, máx.): 1W. Spec info: 9mm de altura. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 0.7A, TO-92, TO-92L ( SC-51 ) ( 9mm ), 60V. Corrente do coletor: 0.7A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92L ( SC-51 ) ( 9mm ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Custo): 60pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 50 MHz. Função: hFE 120...240. Pd (dissipação de energia, máx.): 1W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 80V

Transistor NPN, 3A, TO-220, TO-220, 800V. Corrente do coletor: 3A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. BE diodo: NINCS. Custo): 60pF. Diodo CE: NINCS. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 15 MHz. Função: Comutação de alta velocidade. Ganho máximo de hFE: 40. Ganho mínimo de hFE: 20. Ic(pulso): 10A. Marcação na caixa: KSC5027 (O). Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.3us. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: 0...+150°C. Vcbo: 1100V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2V

Transistor NPN, 3A, TO-220FP, TO-220F, 800V. Corrente do coletor: 3A. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. BE diodo: NINCS. Custo): 60pF. Diodo CE: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 15 MHz. Função: Comutação de alta velocidade. Ganho máximo de hFE: 30. Ganho mínimo de hFE: 15. Ic(pulso): 10A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.3us. Tf(min): 0.5us. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: 0...+150°C. Vcbo: 1100V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2V. Vebo: 7V

Transistor NPN, 0.1A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 900V. Corrente do coletor: 0.1A. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). Habitação (conforme ficha técnica): TO-126. Tensão do coletor/emissor Vceo: 900V. BE diodo: NINCS. Resistor BE: 10. Diodo CE: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: Dyn Focus. Pd (dissipação de energia, máx.): 4W. Spec info: HV switch. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 8A, 800V. Corrente do coletor: 8A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. BE diodo: NINCS. Resistor BE: 10. Diodo CE: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: Alta resolução . Nota: MONITOR. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 7A, TO-3PF (SOT399), TO-3PF, 800V. Corrente do coletor: 7A. Carcaça: TO-3PF (SOT399). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PF. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. BE diodo: NINCS. Resistor BE: 10. Diodo CE: sim. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 30. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: kHz. Função: High Switching 0.1us. Ganho máximo de hFE: 22. Ganho mínimo de hFE: 8:1. Ic(pulso): 16A. Marcação na caixa: C5386. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. RoHS: sim. Spec info: VEBO 6V. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor de silício planar triplo difuso . Tf(máx.): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão de saturação VCE(sat): 4.2V. Vebo: 6V

Transistor NPN, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 800V. Corrente do coletor: 10A. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PF. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. BE diodo: NINCS. Custo): 80pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: CRT-HA (F). Pd (dissipação de energia, máx.): 60W. Spec info: Monitor 68KHz. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 800V. Corrente do coletor: 10A. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PF. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. BE diodo: NINCS. Custo): 90pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: CRT-HA (F). Pd (dissipação de energia, máx.): 60W. Spec info: Rbe 50 Ohms, monitor 69kHz. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 12A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 800V. Corrente do coletor: 12A. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PF. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Transistor Darlington?: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: CRT-HA (F). Ganho máximo de hFE: 40. Ganho mínimo de hFE: 15. Ic(pulso): 24A. Marcação na caixa: C5803. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 70W. Spec info: For C-Monitor (85KHz). Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.3us. Tf(min): 0.1us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão de saturação VCE(sat): 3V

Transistor NPN, 0.03A, 35V. Corrente do coletor: 0.03A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 35V. BE diodo: NINCS. Custo): 12pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 250 MHz. Função: FM-V/M/O/IF. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.25W. Spec info: 12149301860. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 0.03A, 35V. Corrente do coletor: 0.03A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 35V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 250 MHz. Função: FM-V/M/O/IF. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.25W. Spec info: 62137301900. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 0.05A, 30 v. Corrente do coletor: 0.05A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 30 v. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Nota: hFE 350...700. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.25W. Spec info: 0501-000394. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 150mA, TO-92, TO-92, 50V. Corrente do coletor: 150mA. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. BE diodo: NINCS. Pinagem: 1. C (pol.): 1.5pF. Custo): 11pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 300 MHz. Ganho máximo de hFE: 400. Ganho mínimo de hFE: 200. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.25W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) KSA733. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.15V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 150mA, TO-92, TO-92, 50V. Corrente do coletor: 150mA. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. BE diodo: NINCS. Pinagem: 1. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 300 MHz. Ganho máximo de hFE: 240. Ganho mínimo de hFE: 120. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.25W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) KSA733. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.15V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 3A, TO-220FP, TO-220, 60V. Corrente do coletor: 3A. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. BE diodo: NINCS. Custo): 35pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Ganho máximo de hFE: 320. Ganho mínimo de hFE: 150. Marcação na caixa: D2012-G. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 25W. Spec info: transistor complementar (par) KSB1366 . Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Silicon NPN Triple Diffused Type. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55°C a +150°C. Vcbo: 60V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.4V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1V. Vebo: 7V