Transistores bipolares NPN

Transistor NPN, TO3, 120V. Carcaça: TO3. Tensão coletor-emissor VCEO: 120V. Tipo: Transistor Darlington. Polaridade: NPN. Potência: 200W. VCBO de tensão-base do coletor: 120V. Tipo de montagem: Montagem do chassi. Largura de banda MHz: 4MHz. Colecionador DC/ganho de base hfe min.: 200. Corrente máxima 1: 30A. Série: MJ11016

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-3, 30A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-3. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 30A. RoHS: sim. Família de componentes: Transistor de potência Darlington NPN. Carcaça (padrão JEDEC): TO-204AA. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: MJ11016G. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 120V. Dissipação máxima Ptot [W]: 200W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +200°C

Transistor NPN, 50A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO-204 ), 120V. Corrente do coletor: 50A. Carcaça: TO-3 ( TO-204 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3 ( TO-204 ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 120V. Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: hFE 1000 (IC=25Adc, VCE=5Vdc, RBE=1K). Ganho máximo de hFE: 18000. Ganho mínimo de hFE: 1000. Ic(pulso): 100A. Pd (dissipação de energia, máx.): 300W. Spec info: transistor complementar (par) MJ11033. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 120V. Tensão de saturação VCE(sat): 2.5V

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-3, 50A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-3. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 50A. RoHS: sim. Família de componentes: Transistor de potência Darlington NPN. Carcaça (padrão JEDEC): TO-204AA. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: MJ11032G. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 120V. Dissipação máxima Ptot [W]: 300W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +200°C

Transistor NPN, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 140V, 20A. Carcaça: TO-3 ( TO-204 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3. Tensão do coletor/emissor Vceo: 140V. Corrente do coletor: 20A. RoHS: sim. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 250W. Spec info: transistor complementar (par) MJ15004. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+200°C. Vcbo: 140V. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Vebo: 5V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 2 MHz. Função: Transistor de Potência . Ganho máximo de hFE: 150. Ganho mínimo de hFE: 25

Transistor NPN, 15A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 120V. Corrente do coletor: 15A. Carcaça: TO-3 ( TO-204 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3. Tensão do coletor/emissor Vceo: 120V. BE diodo: NINCS. Resistor BE: 70. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 0.8 MHz. Pd (dissipação de energia, máx.): 180W. Spec info: Motorola. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 200V

Transistor NPN, 15A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 120V. Corrente do coletor: 15A. Carcaça: TO-3 ( TO-204 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3. Tensão do coletor/emissor Vceo: 120V. BE diodo: NINCS. Resistor BE: 70. Diodo CE: NINCS. Transistor Darlington?: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 0.8 MHz. Ganho máximo de hFE: 70. Ganho mínimo de hFE: 10. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 180W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) MJ15016. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 6us. Tf(min): 4us. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+200°C. Vcbo: 200V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.1V. Vebo: 7V

Transistor NPN, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 200V. Corrente do coletor: 16A. Carcaça: TO-3 ( TO-204 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3. Tensão do coletor/emissor Vceo: 200V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 4 MHz. Pd (dissipação de energia, máx.): 250W. Spec info: transistor complementar (par) MJ15023. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 350V

Transistor NPN, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 200V. Corrente do coletor: 16A. Carcaça: TO-3 ( TO-204 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3. Tensão do coletor/emissor Vceo: 200V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 4 MHz. Função: Áudio de alta potência. Ganho máximo de hFE: 60. Ganho mínimo de hFE: 15. Ic(pulso): 30A. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 250W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) MJ15023. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+200°C. Vcbo: 350V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.4V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 250V. Corrente do coletor: 16A. Carcaça: TO-3 ( TO-204 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3. Tensão do coletor/emissor Vceo: 250V. BE diodo: NINCS. Custo): 1.6pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 4 MHz. Função: Áudio de alta potência. Ganho máximo de hFE: 60. Ganho mínimo de hFE: 15. Ic(pulso): 30A. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 250W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) MJ15025. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+200°C. Vcbo: 400V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.4V. Vebo: 5V

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-3, 16A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-3. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 16A. RoHS: sim. Família de componentes: transistor NPN de alta tensão. Carcaça (padrão JEDEC): TO-204AA. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: MJ15024G. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 250V. Frequência de corte ft [MHz]: 4 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 250W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +200°C

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-3, 16A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-3. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 16A. RoHS: sim. Família de componentes: transistor NPN de alta tensão. Carcaça (padrão JEDEC): TO-204AA. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: MJ21194G. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 250V. Frequência de corte ft [MHz]: 4 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 250W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +200°C

Transistor NPN, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO-204AA ), 250V. Corrente do coletor: 16A. Carcaça: TO-3 ( TO-204 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3 ( TO-204AA ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 250V. BE diodo: NINCS. Custo): 2pF. Diodo CE: NINCS. Transistor Darlington?: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 4 MHz. Ganho máximo de hFE: 75. Ganho mínimo de hFE: 25. Ic(pulso): 30A. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 250W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) MJ21195. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 400V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.4V

Transistor NPN, 30A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 100V. Corrente do coletor: 30A. Carcaça: TO-3 ( TO-204 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. BE diodo: NINCS. C (pol.): 30pF. Custo): 8.5pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 2 MHz. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 200W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-3, 30A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-3. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 30A. RoHS: sim. Família de componentes: transistor de potência NPN . Carcaça (padrão JEDEC): TO-204AA. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: MJ802G. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 90V. Frequência de corte ft [MHz]: 2 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 200W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +200°C

Transistor NPN, Soldagem PCB (SMD), D-PAK, 8A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: D-PAK. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 8A. RoHS: sim. Família de componentes: transistor de potência NPN . Carcaça (padrão JEDEC): TO-252. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: J44H11. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 80V. Frequência de corte ft [MHz]: 85 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 20W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, Soldagem PCB (SMD), D-PAK, 8A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: D-PAK. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 8A. RoHS: sim. Família de componentes: transistor de potência NPN . Carcaça (padrão JEDEC): TO-252. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: J44H11. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 80V. Frequência de corte ft [MHz]: 85 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 20W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220AB, 400V. Corrente do coletor: 8A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão do coletor/emissor Vceo: 400V. BE diodo: NINCS. Custo): 80pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 14 MHz. Função: circuitos de comutação . Ganho máximo de hFE: 40. Ganho mínimo de hFE: 8:1. Ic(pulso): 16A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 80W. RoHS: sim. Spec info: Comutação de alta velocidade. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor de potência bipolar . Tf(máx.): 0.7us. Tf(min): 0.23us. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 700V. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Vebo: 9V

Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220AB, 400V. Corrente do coletor: 8A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão do coletor/emissor Vceo: 400V. BE diodo: NINCS. Custo): 3pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 14 MHz. Função: circuitos de comutação . Ganho máximo de hFE: 40. Ganho mínimo de hFE: 8:1. Ic(pulso): 16A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 80W. RoHS: sim. Spec info: Comutação de alta velocidade. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor de potência bipolar . Tf(máx.): 0.7us. Tf(min): 0.23us. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 700V. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Vebo: 9V

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-220, 8A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 8A. RoHS: sim. Família de componentes: transistor NPN de alta tensão. Carcaça (padrão JEDEC): TO-220. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: MJE13007G. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 400V. Frequência de corte ft [MHz]: 4 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 80W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-220, 12A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 12A. RoHS: sim. Família de componentes: transistor NPN de alta tensão. Carcaça (padrão JEDEC): TO-220. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: MJE13009G. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 400V. Frequência de corte ft [MHz]: 4 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 100W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220, 150V. Corrente do coletor: 8A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 150V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 30 MHz. Função: para amplificador de áudio. Ganho máximo de hFE: 40. Ganho mínimo de hFE: 20. Ic(pulso): 16A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) MJE15031. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 150V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220AB, 150V. Corrente do coletor: 8A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão do coletor/emissor Vceo: 150V. Material semicondutor: silício. FT: 30 MHz. Função: para amplificador de áudio. Ganho máximo de hFE: 40. Ganho mínimo de hFE: 20. Ic(pulso): 16A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) MJE15031G. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 150V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-220, 8A, TO-220AB, 250V. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 8A. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão do coletor/emissor Vceo: 250V. RoHS: sim. Família de componentes: transistor NPN de alta tensão. Carcaça (padrão JEDEC): TO-220. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: MJE15032G. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 250V. Frequência de corte ft [MHz]: 30 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 50W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. Spec info: transistor complementar (par) MJE15033. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 250V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 4A, TO-220, TO-220AB, 350V. Corrente do coletor: 4A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão do coletor/emissor Vceo: 350V. BE diodo: NINCS. Custo): 2.5pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 30 MHz. Função: hFE=100 (Min) @ IC=0.5Adc. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. Spec info: transistor complementar (par) MJE15035G. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN