Transistores bipolares NPN

Transistor NPN, 0.1A, 50V. Corrente do coletor: 0.1A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Tipo de transistor: NPN. Spec info: TO-92M

Transistor NPN, 0.1A, 50V. Corrente do coletor: 0.1A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Tipo de transistor: NPN. Spec info: TO-92M

Transistor NPN, 0.7A, 140V. Corrente do coletor: 0.7A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 140V. Custo): 2.6pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.8W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 160V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 200mA, TO-220, TO-220, 300V. Corrente do coletor: 200mA. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 300V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 80 MHz. Função: Saída cromática de TV em cores (VID-L). Ganho máximo de hFE: 140. Ganho mínimo de hFE: 70. Marcação na caixa: C1507 O. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 15W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 300V. Tensão de saturação VCE(sat): 2V. Vebo: 7V. Spec info: fT--40...80MHz, VCE=30V, IC=10mA. Diodo CE: sim

Transistor NPN, 200mA, TO-220, TO-220, 300V. Corrente do coletor: 200mA. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 300V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 80 MHz. Função: Saída cromática de TV em cores (VID-L). Ganho máximo de hFE: 240. Ganho mínimo de hFE: 120. Marcação na caixa: C1507 Y. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 15W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 300V. Tensão de saturação VCE(sat): 2V. Vebo: 7V. Spec info: fT--40...80MHz, VCE=30V, IC=10mA. Diodo CE: sim

Transistor NPN, 50mA, TO-92, TO-92 3L (AMMO), 120V. Corrente do coletor: 50mA. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92 3L (AMMO). Tensão do coletor/emissor Vceo: 120V. Custo): 1.6pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 110 MHz. Função: Amplificador de áudio HI-FI. Ganho máximo de hFE: 600. Ganho mínimo de hFE: 300. Marcação na caixa: C1845. Equivalentes: 2SC1845. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 120V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.07V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.3V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) KSA992. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 0.7A, TO-92, TO-92, 30 v. Corrente do coletor: 0.7A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 30 v. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 170 MHz. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.6W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Diodo CE: sim

Transistor NPN, 1.5A, TO-220, TO-220, 150V. Corrente do coletor: 1.5A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 150V. Custo): 50pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 4 MHz. Função: Saída de deflexão vertical da TV. Ganho máximo de hFE: 125. Ganho mínimo de hFE: 60. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 25W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 150V. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) KSA940. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 1.5A, TO-220, TO-220, 150V. Corrente do coletor: 1.5A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 150V. Custo): 50pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 4 MHz. Função: Saída de deflexão vertical da TV. Ganho máximo de hFE: 125. Ganho mínimo de hFE: 40. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 25W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 150V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) KSA940. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 0.05A, TO-92, TO-92L (9mm magas), 150V. Corrente do coletor: 0.05A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92L (9mm magas). Tensão do coletor/emissor Vceo: 150V. Custo): 3.5pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Ganho máximo de hFE: 140. Ganho mínimo de hFE: 70. Marcação na caixa: C2310 O. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.8W. RoHS: NINCS. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor de Silício Epitaxial . Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 200V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.5V. Vebo: 5V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 0.05A, TO-92, TO-92L (9mm magas), 150V. Corrente do coletor: 0.05A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92L (9mm magas). Tensão do coletor/emissor Vceo: 150V. Custo): 3.5pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Ganho máximo de hFE: 240. Ganho mínimo de hFE: 120. Marcação na caixa: C2310 Y. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.8W. RoHS: NINCS. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor de Silício Epitaxial . Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 200V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.5V. Vebo: 5V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 2A, 30 v. Corrente do coletor: 2A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 30 v. Resistor B: 10. Resistor BE: 10. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 120 MHz. Pd (dissipação de energia, máx.): 1W. Tipo de transistor: NPN. Spec info: TO-92M (hauteur 9mm). BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 0.1A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 300V. Corrente do coletor: 0.1A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92M ( 9mm ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 300V. Resistor B: 10. Resistor BE: 10. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 50 MHz. Função: 0501-000367. Pd (dissipação de energia, máx.): 1W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Spec info: 9mm de altura. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 0.7A, TO-92, TO-92L ( SC-51 ) ( 9mm ), 60V. Corrente do coletor: 0.7A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92L ( SC-51 ) ( 9mm ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Custo): 60pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 50 MHz. Função: hFE 120...240. Pd (dissipação de energia, máx.): 1W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 80V

Transistor NPN, 3A, TO-220, TO-220, 800V. Corrente do coletor: 3A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Custo): 60pF. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 15 MHz. Ganho máximo de hFE: 40. Ganho mínimo de hFE: 20. Ic(pulso): 10A. Marcação na caixa: KSC5027 (O). Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.3us. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: 0...+150°C. Vcbo: 1100V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 3A, TO-220FP, TO-220F, 800V. Corrente do coletor: 3A. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Custo): 60pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 15 MHz. Ganho máximo de hFE: 30. Ganho mínimo de hFE: 15. Ic(pulso): 10A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.3us. Tf(min): 0.5us. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: 0...+150°C. Vcbo: 1100V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2V. Vebo: 7V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: sim

Transistor NPN, 0.1A, TO-126, 900V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Corrente do coletor: 0.1A. Habitação (conforme ficha técnica): TO-126. Tensão do coletor/emissor Vceo: 900V. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). Resistor BE: 10. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: Dyn Focus. Pd (dissipação de energia, máx.): 4W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Spec info: HV switch. BE diodo: NINCS. Diodo CE: sim

Transistor NPN, 8A, 800V. Corrente do coletor: 8A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Resistor BE: 10. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: Alta resolução . Nota: MONITOR. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: sim

Transistor NPN, 7A, TO-3PF, 800V, TO-3PF (SOT399). Corrente do coletor: 7A. Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PF. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Carcaça: TO-3PF (SOT399). Resistor BE: 10. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 30. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: kHz. Função: High Switching 0.1us. Ganho máximo de hFE: 22. Ganho mínimo de hFE: 8:1. Ic(pulso): 16A. Marcação na caixa: C5386. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor de silício planar triplo difuso . Tf(máx.): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão de saturação VCE(sat): 4.2V. Vebo: 6V. Spec info: VEBO 6V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: sim

Transistor NPN, 10A, TO-3PF, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corrente do coletor: 10A. Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PF. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Custo): 80pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: CRT-HA (F). Pd (dissipação de energia, máx.): 60W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Spec info: Monitor 68KHz. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 10A, TO-3PF, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corrente do coletor: 10A. Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PF. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Custo): 90pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: CRT-HA (F). Pd (dissipação de energia, máx.): 60W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Spec info: Rbe 50 Ohms, monitor 69kHz. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 12A, TO-3PF, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corrente do coletor: 12A. Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PF. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Transistor Darlington?: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: CRT-HA (F). Ganho máximo de hFE: 40. Ganho mínimo de hFE: 15. Ic(pulso): 24A. Marcação na caixa: C5803. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 70W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.3us. Tf(min): 0.1us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão de saturação VCE(sat): 3V. Spec info: For C-Monitor (85KHz). BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 0.03A, 35V. Corrente do coletor: 0.03A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 35V. Custo): 12pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 250 MHz. Função: FM-V/M/O/IF. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.25W. Tipo de transistor: NPN. Spec info: 12149301860. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 0.03A, 35V. Corrente do coletor: 0.03A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 35V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 250 MHz. Função: FM-V/M/O/IF. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.25W. Tipo de transistor: NPN. Spec info: 62137301900

Transistor NPN, 0.05A, 30 v. Corrente do coletor: 0.05A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 30 v. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Nota: hFE 350...700. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.25W. Tipo de transistor: NPN. Spec info: 0501-000394