Transistores bipolares NPN

Transistor NPN, 14A, ISOWATT218FX, 1500V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corrente do coletor: 14A. Habitação (conforme ficha técnica): ISOWATT218FX. Tensão do coletor/emissor Vceo: 1500V. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Custo): 1.6pF. Transistor Darlington?: NINCS. Material semicondutor: silício. FT: 64kHz. Função: FAST-SWITCH fh--64KHz (IC=6A). Data de produção: 2014/17. Ganho máximo de hFE: 8.5. Ganho mínimo de hFE: 6. Ic(pulso): 21A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 62W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.25us. Tf(min): 0.12us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tensão de saturação VCE(sat): 2.5V. Vebo: 9V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 20A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO–204AE ), 450V. Corrente do coletor: 20A. Carcaça: TO-3 ( TO-204 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3 ( TO–204AE ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 450V. Custo): 2.5pF. Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: kHz. Ganho máximo de hFE: 400. Ganho mínimo de hFE: 40. Ic(pulso): 30A. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 175W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.6us. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+200°C. Vcbo: 650V. Tensão de saturação VCE(sat): 2V. Vebo: 8V. Spec info: Q1 BE 100 Ohms, Q2 BE 15 Ohms. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 50A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO–204AE ), 400V. Corrente do coletor: 50A. Carcaça: TO-3 ( TO-204 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3 ( TO–204AE ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 400V. Custo): 4pF. Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: hFE 25. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 60A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO–204AE ), 250V. Corrente do coletor: 60A. Carcaça: TO-3 ( TO-204 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3 ( TO–204AE ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 250V. Custo): 7pF. Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: hFE 75...1000. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 30A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO-204 ), 120V. Corrente do coletor: 30A. Carcaça: TO-3 ( TO-204 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3 ( TO-204 ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 120V. RoHS: sim. Resistor B: sim. Resistor BE: soldagem PCB. C (pol.): 4pF. Custo): TO-204AA. Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 4 MHz. Ganho mínimo de hFE: 1000. Ic(pulso): +200°C. Nota: hFE 1000 (IC=20Adc, VCE=5Vdc). Nota: 8k Ohms (R1), 40 Ohms (R2). Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 200W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+200°C. Vcbo: 120V. Tensão de saturação VCE(sat): 3V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) MJ11015. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 50A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO-204 ), 120V. Corrente do coletor: 50A. Carcaça: TO-3 ( TO-204 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3 ( TO-204 ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 120V. Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: hFE 1000 (IC=25Adc, VCE=5Vdc, RBE=1K). Ganho máximo de hFE: 18000. Ganho mínimo de hFE: 1000. Ic(pulso): 100A. Pd (dissipação de energia, máx.): 300W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 120V. Tensão de saturação VCE(sat): 2.5V. Spec info: transistor complementar (par) MJ11033

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-3, 50A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-3. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 50A. RoHS: sim. Família de componentes: Transistor de potência Darlington NPN. Carcaça (padrão JEDEC): TO-204AA. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: MJ11032G. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 120V. Dissipação máxima Ptot [W]: 300W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +200°C

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-3, 20A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 140V. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-3. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 20A. Carcaça: TO-3 ( TO-204 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3. Tensão do coletor/emissor Vceo: 140V. RoHS: sim. Carcaça (padrão JEDEC): TO-204AA. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: MJ15003G. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 140V. Frequência de corte ft [MHz]: 2 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 250W. Família de componentes: transistor NPN de alta tensão. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +200°C. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 250W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+200°C. Vcbo: 140V. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) MJ15004

Transistor NPN, 15A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 120V. Corrente do coletor: 15A. Carcaça: TO-3 ( TO-204 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3. Tensão do coletor/emissor Vceo: 120V. Resistor BE: 70. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 0.8 MHz. Pd (dissipação de energia, máx.): 180W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 200V. Spec info: Motorola. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 15A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 120V. Corrente do coletor: 15A. Carcaça: TO-3 ( TO-204 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3. Tensão do coletor/emissor Vceo: 120V. Resistor BE: 70. Transistor Darlington?: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 0.8 MHz. Ganho máximo de hFE: 70. Ganho mínimo de hFE: 10. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 180W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 6us. Tf(min): 4us. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+200°C. Vcbo: 200V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.1V. Vebo: 7V. Spec info: transistor complementar (par) MJ15016. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-3, 15A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-3. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 15A. RoHS: sim. Carcaça (padrão JEDEC): TO-204AA. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: MJ15015G. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 120V. Frequência de corte ft [MHz]: 6 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 180W. Família de componentes: transistor NPN de alta tensão. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +200°C

Transistor NPN, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 200V. Corrente do coletor: 16A. Carcaça: TO-3 ( TO-204 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3. Tensão do coletor/emissor Vceo: 200V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 4 MHz. Pd (dissipação de energia, máx.): 250W. Spec info: transistor complementar (par) MJ15023. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 350V

Transistor NPN, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 200V. Corrente do coletor: 16A. Carcaça: TO-3 ( TO-204 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3. Tensão do coletor/emissor Vceo: 200V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 4 MHz. Função: Áudio de alta potência. Ganho máximo de hFE: 60. Ganho mínimo de hFE: 15. Ic(pulso): 30A. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 250W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+200°C. Vcbo: 350V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.4V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) MJ15023. BE diodo: NINCS. Diodo CE: sim

Transistor NPN, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 250V. Corrente do coletor: 16A. Carcaça: TO-3 ( TO-204 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3. Tensão do coletor/emissor Vceo: 250V. Custo): 1.6pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 4 MHz. Função: Áudio de alta potência. Ganho máximo de hFE: 60. Ganho mínimo de hFE: 15. Ic(pulso): 30A. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 250W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+200°C. Vcbo: 400V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.4V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) MJ15025. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-3, 16A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-3. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 16A. RoHS: sim. Carcaça (padrão JEDEC): TO-204AA. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: MJ15024G. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 250V. Frequência de corte ft [MHz]: 4 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 250W. Família de componentes: transistor NPN de alta tensão. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +200°C

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-3, 16A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-3. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 16A. RoHS: sim. Carcaça (padrão JEDEC): TO-204AA. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: MJ21194G. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 250V. Frequência de corte ft [MHz]: 4 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 250W. Família de componentes: transistor NPN de alta tensão. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +200°C

Transistor NPN, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO-204AA ), 250V. Corrente do coletor: 16A. Carcaça: TO-3 ( TO-204 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3 ( TO-204AA ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 250V. Custo): 2pF. Transistor Darlington?: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 4 MHz. Ganho máximo de hFE: 75. Ganho mínimo de hFE: 25. Ic(pulso): 30A. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 250W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 400V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.4V. Spec info: transistor complementar (par) MJ21195. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 30A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 100V. Corrente do coletor: 30A. Carcaça: TO-3 ( TO-204 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. C (pol.): 30pF. Custo): 8.5pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 2 MHz. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 200W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-3, 30A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-3. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 30A. RoHS: sim. Carcaça (padrão JEDEC): TO-204AA. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: MJ802G. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 90V. Frequência de corte ft [MHz]: 2 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 200W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +200°C. Família de componentes: transistor de potência NPN

Transistor NPN, Soldagem PCB (SMD), D-PAK, 8A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: D-PAK. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 8A. RoHS: sim. Carcaça (padrão JEDEC): TO-252. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: J44H11. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 80V. Frequência de corte ft [MHz]: 85 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 20W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor de potência NPN

Transistor NPN, Soldagem PCB (SMD), D-PAK, 8A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: D-PAK. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 8A. RoHS: sim. Carcaça (padrão JEDEC): TO-252. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: J44H11. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 80V. Frequência de corte ft [MHz]: 85 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 20W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor de potência NPN

Transistor NPN, 8A, D-PAK ( TO-252 ), DPAK CASE 369C, 80V. Corrente do coletor: 8A. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): DPAK CASE 369C. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Custo): 45pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 85 MHz. Função: Transistores de potência complementares. Ganho máximo de hFE: 40. Ganho mínimo de hFE: 60. Ic(pulso): 16A. Marcação na caixa: 44H11G. Equivalentes: MJD44H11G, MJD44H11J. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 20W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: Transistor de Silício Epitaxial . Tf (tipo): 140 ns. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 80V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) MJD45H11T4G. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 8A, D-PAK ( TO-252 ), DPAK CASE 369C, 80V. Corrente do coletor: 8A. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): DPAK CASE 369C. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Custo): 45pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 85 MHz. Função: Transistores de potência complementares. Ganho máximo de hFE: 40. Ganho mínimo de hFE: 60. Ic(pulso): 16A. Marcação na caixa: 45H11G. Equivalentes: MJD45H11G, MJD45H11J. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 20W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: Transistor de Silício Epitaxial . Tf (tipo): 140 ns. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 80V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) MJD45H11T4G. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 4A, TO-220, TO-220AB, 400V. Corrente do coletor: 4A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão do coletor/emissor Vceo: 400V. Custo): 3pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 4 MHz. Função: S-L. Pd (dissipação de energia, máx.): 75W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 700V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220AB, 400V. Corrente do coletor: 8A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão do coletor/emissor Vceo: 400V. Custo): 80pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 14 MHz. Função: circuitos de comutação . Ganho máximo de hFE: 40. Ganho mínimo de hFE: 8:1. Ic(pulso): 16A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 80W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor de potência bipolar . Tf(máx.): 0.7us. Tf(min): 0.23us. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 700V. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Vebo: 9V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS