Transistores bipolares NPN

Transistor NPN, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 260V. Corrente do coletor: 15A. Carcaça: TO-264 ( TOP-3L ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-264. Tensão do coletor/emissor Vceo: 260V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 30 MHz. Função: Transistor de potência bipolar complementar. Ganho máximo de hFE: 150. Ganho mínimo de hFE: 45. Ic(pulso): 25A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 200W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) MJL1302A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 260V. Tensão de saturação VCE(sat): 3V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 350V. Corrente do coletor: 15A. Carcaça: TO-264 ( TOP-3L ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-264. Tensão do coletor/emissor Vceo: 350V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 25. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 35 MHz. Função: Áudio potente, baixa distorção harmônica. Ganho máximo de hFE: 250. Ganho mínimo de hFE: 50. Ic(pulso): 30A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 230W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) MJL4302A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Silicon Power Bipolar Transistor. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -60...+150°C. Vcbo: 350V. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 16A, TO-247, TO-247, 400V. Corrente do coletor: 16A. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Tensão do coletor/emissor Vceo: 400V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 4 MHz. Função: Excelente linearidade de ganho. Ganho máximo de hFE: 80. Ganho mínimo de hFE: 20. Ic(pulso): 30A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 200W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) MJW21195. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 250V. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 15A, TO-247, TO-247, 230V. Corrente do coletor: 15A. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Tensão do coletor/emissor Vceo: 230V. BE diodo: NINCS. Custo): 2.8pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 30 MHz. Função: Transistor de potência bipolar complementar. Data de produção: 201444 201513. Ganho máximo de hFE: 200. Ganho mínimo de hFE: 50. Ic(pulso): 25A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 200W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) MJW1302A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor bipolar de potência. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 230V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.4V. Vebo: 5V

Transistor NPN, SOT23, 40V. Carcaça: SOT23. Tensão coletor-emissor VCEO: 40V. Tipo: transistor para aplicações de baixa potência. Polaridade: NPN. Potência: 0.25W. VCBO de tensão-base do coletor: 75V. Tipo de montagem: SMD. Largura de banda MHz: 250MHz. Colecionador DC/ganho de base hfe min.: 30. Corrente máxima 1: 0.6A

Transistor NPN, 0.6A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 75V. Corrente do coletor: 0.6A. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 75V. BE diodo: NINCS. Custo): 5pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 250 MHz. Função: UNI. Ganho mínimo de hFE: 100. Marcação na caixa: 1 P. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. RoHS: sim. Spec info: SMD 1P. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 40V

Transistor NPN, Soldagem PCB (SMD), SOT-23, 600mA. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 600mA. RoHS: sim. Família de componentes: transistor NPN . Carcaça (padrão JEDEC): TO-236. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 1P. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 40V. Frequência de corte ft [MHz]: 300 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.3W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, Soldagem PCB (SMD), SOT-23, 200mA. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 200mA. RoHS: sim. Família de componentes: transistor NPN . Carcaça (padrão JEDEC): TO-236. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 1S. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 15V. Frequência de corte ft [MHz]: 100 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.225W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, 0.6A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 60V. Corrente do coletor: 0.6A. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. BE diodo: NINCS. Custo): 1.6pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 200 MHz. Ganho máximo de hFE: 300. Ganho mínimo de hFE: 100. Ic(pulso): 1.2A. Marcação na caixa: 2F. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 225mW. RoHS: sim. Spec info: SMD '2F'. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.4V. Vebo: 5V

Transistor NPN, Soldagem PCB (SMD), SOT-23, 200mA. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 200mA. RoHS: sim. Família de componentes: transistor NPN . Carcaça (padrão JEDEC): TO-236. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 1AM. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 40V. Frequência de corte ft [MHz]: 300 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.35W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, Soldagem PCB (SMD), SOT-23, 200mA. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 200mA. RoHS: sim. Família de componentes: transistor NPN . Carcaça (padrão JEDEC): TO-236. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 1AM. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 40V. Frequência de corte ft [MHz]: 300 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.225W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, 0.6A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 40V. Corrente do coletor: 0.6A. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 40V. BE diodo: NINCS. Custo): 80pF. Diodo CE: NINCS. Condicionamento: rolo. Unidade de condicionamento: 3000. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 250 MHz. Função: Transistor de comutação. Ganho máximo de hFE: 300. Ganho mínimo de hFE: 20. Ic(pulso): 0.9A. Marcação na caixa: 2x. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 300mW. RoHS: sim. Spec info: serigrafia/código CMS 2X. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tf(máx.): 30 ns. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.4V. Vebo: 6V

Transistor NPN, Soldagem PCB (SMD), SOT-23, 600mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 150V. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 600mA. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 150V. RoHS: sim. Família de componentes: Transistor PNP . Carcaça (padrão JEDEC): TO-236. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 2L. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 150V. Frequência de corte ft [MHz]: 100 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.250W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Marcação na caixa: 2 L. Equivalentes: MMBT5401LT1G. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 300mW. Spec info: impressão de tela/código SMD (código de data 2Lx). Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 160V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.2V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 0.6A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 160V. Corrente do coletor: 0.6A. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 160V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Condicionamento: rolo. Unidade de condicionamento: 3000. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Ganho máximo de hFE: 250. Ganho mínimo de hFE: 60. Marcação na caixa: G1. Equivalentes: MMBT5551LT1G. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 300mW. RoHS: sim. Spec info: serigrafia/código SMD G1 (3S Fairchild). Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 180V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.15V. Vebo: 6V

Transistor NPN, Soldagem PCB (SMD), SOT-23, 600mA. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 600mA. RoHS: sim. Família de componentes: transistor NPN . Carcaça (padrão JEDEC): TO-236. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: G1. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 160V. Frequência de corte ft [MHz]: 100 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.225W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, Soldagem PCB (SMD), SOT-23, 500mA. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 500mA. RoHS: sim. Família de componentes: transistor NPN . Carcaça (padrão JEDEC): TO-236. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 1GM. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 80V. Frequência de corte ft [MHz]: 100 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.25W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, Soldagem PCB (SMD), SOT-23, 500mA. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 500mA. RoHS: sim. Família de componentes: transistor NPN . Carcaça (padrão JEDEC): TO-236. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 1GM. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 80V. Frequência de corte ft [MHz]: 100 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.225W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, 0.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 300V. Corrente do coletor: 0.5A. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 300V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Condicionamento: rolo. Unidade de condicionamento: 3000. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 50 MHz. Função: Transistor de amplificador de alta tensão (versão SMD do transistor MPSA42). Ganho máximo de hFE: 40. Ganho mínimo de hFE: 25. Nota: 1D. Marcação na caixa: 1D. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 240mW. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) MMBTA92. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 300V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Vebo: 6V

Transistor NPN, Soldagem PCB (SMD), SOT-23, 500mA. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 500mA. RoHS: sim. Família de componentes: transistor NPN . Carcaça (padrão JEDEC): TO-236. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 1D. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 300V. Frequência de corte ft [MHz]: 50 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.225W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, Soldagem PCB (SMD), SOT-23, 5mA. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 5mA. RoHS: NINCS. Família de componentes: transistor NPN . Carcaça (padrão JEDEC): TO-236. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 3EM. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 25V. Frequência de corte ft [MHz]: 650 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.35W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, 1.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 25V. Corrente do coletor: 1.5A. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23. Tensão do coletor/emissor Vceo: 25V. BE diodo: NINCS. Custo): 9pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Ganho máximo de hFE: 350. Ganho mínimo de hFE: 200. Marcação na caixa: Y1. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.3W. Tecnologia: Transistor de Silício Epitaxial . Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 40V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.5V. Vebo: 6V

Transistor NPN, Soldagem PCB (SMD), SOT-23, 100mA. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: sim. Família de componentes: transistor NPN . Carcaça (padrão JEDEC): TO-236. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: A8A. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 50V. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.2W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, Soldagem PCB (SMD), SOT-23, 100mA. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: sim. Família de componentes: transistor NPN . Carcaça (padrão JEDEC): TO-236. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: A8E. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 50V. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.2W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, Soldagem PCB (SMD), SOT-23, 100mA. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: sim. Família de componentes: transistor NPN . Carcaça (padrão JEDEC): TO-236. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: A8K. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 50V. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.246W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-218, 160V. Corrente do coletor: 10A. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-218. Tensão do coletor/emissor Vceo: 160V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Transistor Darlington?: sim. Material semicondutor: silício. FT: 55 MHz. Função: par de transistores complementares. Ganho mínimo de hFE: 5000. Pd (dissipação de energia, máx.): 150W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP & NPN