Transistores bipolares NPN

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-225, 4A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-225. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 4A. RoHS: NINCS. Carcaça (padrão JEDEC): TO-225. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: MJE803. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 80V. Dissipação máxima Ptot [W]: 40W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor de potência NPN

Transistor NPN, 1000V, 5A, TO-220-F. Tensão coletor-emissor VCEO: 1000V. Corrente do coletor: 5A. Carcaça: TO-220-F. Tipo de transistor: Transistor de Potência . Polaridade: NPN. Potência: 35W. Frequência máxima: 13MHz

Transistor NPN, 8A, TO-220FP, TO-220F, 450V. Corrente do coletor: 8A. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão do coletor/emissor Vceo: 450V. Custo): 80pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: (F). Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1000V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 5A, TO-220FP, TO-220F, 600V. Corrente do coletor: 5A. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Resistor BE: 50. Custo): 156pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 13 MHz. Função: circuitos de comutação . Ganho máximo de hFE: 35. Ganho mínimo de hFE: 18. Ic(pulso): 10A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 35W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 175 ns. Tf(min): 110 ns. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+175°C. Vcbo: 1200V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.83V. Vebo: 10V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: sim

Transistor NPN, 15A, 650V. Corrente do coletor: 15A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 650V. Custo): 2.3pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 4 MHz. Função: NF-L, TO-264. Pd (dissipação de energia, máx.): 170W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Spec info: TO-3PBL. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 16A, TO-264 ( TOP-3L ), TO–3PBL, 250V. Corrente do coletor: 16A. Carcaça: TO-264 ( TOP-3L ). Habitação (conforme ficha técnica): TO–3PBL. Tensão do coletor/emissor Vceo: 250V. Custo): 6pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 4 MHz. Função: hFE=25 Min @ IC=8Adc. Ganho máximo de hFE: 75. Ganho mínimo de hFE: 25. Ic(pulso): 30A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 200W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Base Epitaxial . Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 400V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.4V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) MJL21193 . BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 250V, 16A, TO-264. Tensão coletor-emissor VCEO: 250V. Corrente do coletor: 16A. Carcaça: TO-264. Tipo de transistor: transistor NPN . Polaridade: NPN. Função: Amplificador de potência HI-FI. Potência: 200W

Transistor NPN, 16A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 250V. Corrente do coletor: 16A. Carcaça: TO-264 ( TOP-3L ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-264. Tensão do coletor/emissor Vceo: 250V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 4 MHz. Função: hFE=25 Min @ IC=8Adc. Ganho máximo de hFE: 100. Ganho mínimo de hFE: 25. Ic(pulso): 30A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 200W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 400V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.4V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) MJL21195. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 260V. Corrente do coletor: 15A. Carcaça: TO-264 ( TOP-3L ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-264. Tensão do coletor/emissor Vceo: 260V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 30 MHz. Função: Transistor de potência bipolar complementar. Ganho máximo de hFE: 150. Ganho mínimo de hFE: 45. Ic(pulso): 25A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 200W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 260V. Tensão de saturação VCE(sat): 3V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) MJL1302A. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 350V. Corrente do coletor: 15A. Carcaça: TO-264 ( TOP-3L ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-264. Tensão do coletor/emissor Vceo: 350V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 25. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 35 MHz. Função: Áudio potente, baixa distorção harmônica. Ganho máximo de hFE: 250. Ganho mínimo de hFE: 50. Ic(pulso): 30A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 230W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) MJL4302A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Silicon Power Bipolar Transistor. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -60...+150°C. Vcbo: 350V. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 16A, TO-247, TO-247, 400V. Corrente do coletor: 16A. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Tensão do coletor/emissor Vceo: 400V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 4 MHz. Função: Excelente linearidade de ganho. Ganho máximo de hFE: 80. Ganho mínimo de hFE: 20. Ic(pulso): 30A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 200W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 250V. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) MJW21195. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 15A, TO-247, TO-247, 230V. Corrente do coletor: 15A. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Tensão do coletor/emissor Vceo: 230V. Custo): 2.8pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 30 MHz. Função: Transistor de potência bipolar complementar. Data de produção: 201444 201513. Ganho máximo de hFE: 200. Ganho mínimo de hFE: 50. Ic(pulso): 25A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 200W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 230V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.4V. Vebo: 5V. Tecnologia: Transistor bipolar de potência. Spec info: transistor complementar (par) MJW1302A. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 0.6A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 75V. Corrente do coletor: 0.6A. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 75V. Custo): 5pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 250 MHz. Função: UNI. Ganho mínimo de hFE: 100. Marcação na caixa: 1 P. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 40V. Spec info: SMD 1P. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, Soldagem PCB (SMD), SOT-23, 600mA. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 600mA. RoHS: sim. Carcaça (padrão JEDEC): TO-236. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 1P. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 40V. Frequência de corte ft [MHz]: 300 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.3W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor NPN

Transistor NPN, Soldagem PCB (SMD), SOT-23, 200mA. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 200mA. RoHS: sim. Carcaça (padrão JEDEC): TO-236. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 1S. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 15V. Frequência de corte ft [MHz]: 100 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.225W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor NPN

Transistor NPN, 0.6A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 60V. Corrente do coletor: 0.6A. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Custo): 1.6pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 200 MHz. Ganho máximo de hFE: 300. Ganho mínimo de hFE: 100. Ic(pulso): 1.2A. Marcação na caixa: 2F. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 225mW. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.4V. Vebo: 5V. Spec info: SMD '2F'. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, Soldagem PCB (SMD), SOT-23, 200mA. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 200mA. RoHS: sim. Carcaça (padrão JEDEC): TO-236. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 1AM. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 40V. Frequência de corte ft [MHz]: 300 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.35W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor NPN

Transistor NPN, 0.2A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 60V. Corrente do coletor: 0.2A. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. RoHS: sim. Resistor B: sim. Resistor BE: Soldagem PCB (SMD). C (pol.): SOT-23. Custo): 1.6pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 300 MHz. Função: UNI. Ganho máximo de hFE: 300. Ganho mínimo de hFE: 100. Marcação na caixa: 1AM. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.2W. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 40V. Spec info: SMD 1AM. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 0.6A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 40V. Corrente do coletor: 0.6A. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 40V. Custo): 80pF. Condicionamento: rolo. Unidade de condicionamento: 3000. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 250 MHz. Função: Transistor de comutação. Ganho máximo de hFE: 300. Ganho mínimo de hFE: 20. Ic(pulso): 0.9A. Marcação na caixa: 2x. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 300mW. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tf(máx.): 30 ns. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.4V. Vebo: 6V. Spec info: serigrafia/código CMS 2X. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, Soldagem PCB (SMD), SOT-23, 600mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 150V. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 600mA. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 150V. RoHS: sim. Carcaça (padrão JEDEC): TO-236. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 2L. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 150V. Frequência de corte ft [MHz]: 100 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.250W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: Transistor PNP . Marcação na caixa: 2 L. Equivalentes: MMBT5401LT1G. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 300mW. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 160V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.2V. Vebo: 5V. Spec info: impressão de tela/código SMD (código de data 2Lx)

Transistor NPN, 0.6A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 160V. Corrente do coletor: 0.6A. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 160V. Condicionamento: rolo. Unidade de condicionamento: 3000. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Ganho máximo de hFE: 250. Ganho mínimo de hFE: 60. Marcação na caixa: G1. Equivalentes: MMBT5551LT1G. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 300mW. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 180V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.15V. Vebo: 6V. Spec info: serigrafia/código SMD G1 (3S Fairchild). BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, Soldagem PCB (SMD), SOT-23, 600mA. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 600mA. RoHS: sim. Carcaça (padrão JEDEC): TO-236. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: G1. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 160V. Frequência de corte ft [MHz]: 100 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.225W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor NPN

Transistor NPN, Soldagem PCB (SMD), SOT-23, 500mA. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 500mA. RoHS: sim. Carcaça (padrão JEDEC): TO-236. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 1GM. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 80V. Frequência de corte ft [MHz]: 100 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.25W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor NPN

Transistor NPN, Soldagem PCB (SMD), SOT-23, 500mA. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 500mA. RoHS: sim. Carcaça (padrão JEDEC): TO-236. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 1GM. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 80V. Frequência de corte ft [MHz]: 100 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.225W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor NPN

Transistor NPN, 0.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 300V. Corrente do coletor: 0.5A. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 300V. Condicionamento: rolo. Unidade de condicionamento: 3000. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 50 MHz. Ganho máximo de hFE: 40. Ganho mínimo de hFE: 25. Nota: 1D. Marcação na caixa: 1D. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 240mW. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 300V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Vebo: 6V. Spec info: transistor complementar (par) MMBTA92. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS