Quantidade (Conjunto de 10) | sem IVA | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 0.53€ | 0.65€ |
5 - 9 | 0.50€ | 0.62€ |
10 - 24 | 0.48€ | 0.59€ |
25 - 49 | 0.47€ | 0.58€ |
50 - 99 | 0.45€ | 0.55€ |
100 - 106 | 0.42€ | 0.52€ |
Quantidade (Conjunto de 10) | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 0.53€ | 0.65€ |
5 - 9 | 0.50€ | 0.62€ |
10 - 24 | 0.48€ | 0.59€ |
25 - 49 | 0.47€ | 0.58€ |
50 - 99 | 0.45€ | 0.55€ |
100 - 106 | 0.42€ | 0.52€ |
Transistor NPN, 0.6A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 60V - MMBT2907ALT1G. Transistor NPN, 0.6A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 60V. Corrente do coletor: 0.6A. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. BE diodo: NINCS. Custo): 1.6pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 200 MHz. Ganho máximo de hFE: 300. Ganho mínimo de hFE: 100. Ic(pulso): 1.2A. Marcação na caixa: 2F. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 225mW. RoHS: sim. Spec info: SMD '2F'. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.4V. Vebo: 5V. Produto original do fabricante ON Semiconductor. Quantidade em estoque atualizada em 08/06/2025, 20:25.
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