Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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Transistor NPN, 12A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), SOT-399, 800V - BU4525AX

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Transistor NPN, 12A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), SOT-399, 800V - BU4525AX. Transistor NPN, 12A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), SOT-399, 800V. Corrente do coletor: 12A. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-399. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: CTV/Monitor. Pd (dissipação de energia, máx.): 55W. Spec info: CTV-HA (isolado). Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Produto original do fabricante Philips Semiconductors. Quantidade em estoque atualizada em 09/06/2025, 21:25.

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Transistor NPN, 14A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), ISOWATT218FX, 1500V. Corrente do coletor: 14A. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Habitação (conforme ficha técnica): ISOWATT218FX. Tensão do coletor/emissor Vceo: 1500V. BE diodo: NINCS. Custo): 1.6pF. Diodo CE: NINCS. Transistor Darlington?: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 64kHz. Função: FAST-SWITCH fh--64KHz (IC=6A). Data de produção: 2014/17. Ganho máximo de hFE: 8.5. Ganho mínimo de hFE: 6. Ic(pulso): 21A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 62W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.25us. Tf(min): 0.12us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tensão de saturação VCE(sat): 2.5V. Vebo: 9V
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Transistor NPN, 12A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 750V. Corrente do coletor: 12A. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PF. Tensão do coletor/emissor Vceo: 750V. Diodo CE: sim. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 30. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: kHz. Função: Deflexão horizontal do display colorido de alta tensão . Ganho máximo de hFE: 40. Ganho mínimo de hFE: 10. Ic(pulso): 24A. Nota: serigrafado J6812 . Marcação na caixa: J6812. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 60W. RoHS: sim. Spec info: High Switching Speed tF(typ.)=0.1uS. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão de saturação VCE(sat): 3V. Vebo: 6V
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