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Transistor NPN, 5A, TO-220FP, TO-220F ( SOT186A ), 450V - BUT11APX

Transistor NPN, 5A, TO-220FP, TO-220F ( SOT186A ), 450V - BUT11APX
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Transistor NPN, 5A, TO-220FP, TO-220F ( SOT186A ), 450V - BUT11APX. Transistor NPN, 5A, TO-220FP, TO-220F ( SOT186A ), 450V. Corrente do coletor: 5A. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F ( SOT186A ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 450V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Ganho máximo de hFE: 35. Ganho mínimo de hFE: 10. Ic(pulso): 10A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 32W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor de Potência . Tf(máx.): 160 ns. Tf(min): 145 ns. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -...+150°C. Vcbo: 1000V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.25V. Produto original do fabricante Philips Semiconductors. Quantidade em estoque atualizada em 09/06/2025, 17:25.

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Transistor NPN, 5A, TO-220FP, TO-220F, 450V. Corrente do coletor: 5A. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão do coletor/emissor Vceo: 450V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: S-L. Pd (dissipação de energia, máx.): 32W. Spec info: Tf 170ns. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1000V
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Transistor NPN, 5A, TO-220FP, TO-220F, 450V. Corrente do coletor: 5A. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão do coletor/emissor Vceo: 450V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: S-L. Pd (dissipação de energia, máx.): 32W. Spec info: Tf 170ns. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1000V
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