Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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Transistor NPN, 10A, TO-3PF, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A) - KSD5703

Transistor NPN, 10A, TO-3PF, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A) - KSD5703
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Transistor NPN, 10A, TO-3PF, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A) - KSD5703. Transistor NPN, 10A, TO-3PF, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corrente do coletor: 10A. Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PF. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Custo): 500pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: kHz. Função: Deflexão horizontal do display colorido de alta tensão . Ganho máximo de hFE: 40. Ganho mínimo de hFE: 15. Ic(pulso): 30A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 70W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.3us. Tf(min): 1us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão de saturação VCE(sat): 5V. Vebo: 6V. Spec info: 0.1...0.3us. Quantidade em estoque atualizada em 21/04/2025, 00:25.

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MD2310FX
Transistor NPN, 14A, ISOWATT218FX, 1500V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corrente do coletor: 14A. Habitação (conforme ficha técnica): ISOWATT218FX. Tensão do coletor/emissor Vceo: 1500V. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Custo): 1.6pF. Transistor Darlington?: NINCS. Material semicondutor: silício. FT: 64kHz. Função: FAST-SWITCH fh--64KHz (IC=6A). Data de produção: 2014/17. Ganho máximo de hFE: 8.5. Ganho mínimo de hFE: 6. Ic(pulso): 21A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 62W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.25us. Tf(min): 0.12us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tensão de saturação VCE(sat): 2.5V. Vebo: 9V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
MD2310FX
Transistor NPN, 14A, ISOWATT218FX, 1500V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corrente do coletor: 14A. Habitação (conforme ficha técnica): ISOWATT218FX. Tensão do coletor/emissor Vceo: 1500V. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Custo): 1.6pF. Transistor Darlington?: NINCS. Material semicondutor: silício. FT: 64kHz. Função: FAST-SWITCH fh--64KHz (IC=6A). Data de produção: 2014/17. Ganho máximo de hFE: 8.5. Ganho mínimo de hFE: 6. Ic(pulso): 21A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 62W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.25us. Tf(min): 0.12us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tensão de saturação VCE(sat): 2.5V. Vebo: 9V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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Transistor NPN, 10A, TO-3PF, 750V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corrente do coletor: 10A. Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PF. Tensão do coletor/emissor Vceo: 750V. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Condicionamento: tubo de plástico. Material semicondutor: silício. FT: kHz. Função: Deflexão horizontal do display colorido de alta tensão . Ganho máximo de hFE: 8:1. Ganho mínimo de hFE: 5. Ic(pulso): 20A. Marcação na caixa: J6810. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 60W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão de saturação VCE(sat): 3V. Vebo: 6V. Número de terminais: 3. Nota: serigrafia . Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 30. Spec info: High Switching Speed tF(typ.)=0.1uS
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Transistor NPN, 10A, TO-3PF, 750V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corrente do coletor: 10A. Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PF. Tensão do coletor/emissor Vceo: 750V. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Material semicondutor: silício. Ganho máximo de hFE: 10. Ganho mínimo de hFE: 5. Ic(pulso): 20A. Marcação na caixa: J6810A. Pd (dissipação de energia, máx.): 60W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf (tipo): 0.2us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1550V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 3V. Vebo: 6V. Quantidade por caixa: 1. Função: Comutação de alta velocidade . BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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Transistor NPN, 10A, TO-3PF, 750V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corrente do coletor: 10A. Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PF. Tensão do coletor/emissor Vceo: 750V. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Material semicondutor: silício. Ganho máximo de hFE: 10. Ganho mínimo de hFE: 5. Ic(pulso): 20A. Marcação na caixa: J6810A. Pd (dissipação de energia, máx.): 60W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf (tipo): 0.2us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1550V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 3V. Vebo: 6V. Quantidade por caixa: 1. Função: Comutação de alta velocidade . BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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