Transistor NPN, 5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-225, 40V - MJE200G

Transistor NPN, 5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-225, 40V - MJE200G. Transistor NPN, 5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-225, 40V. Corrente do coletor: 5A. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). Habitação (conforme ficha técnica): TO-225. Tensão do coletor/emissor Vceo: 40V. BE diodo: NINCS. Custo): 80pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 65MHz. Ganho máximo de hFE: 180. Ganho mínimo de hFE: 45. Pd (dissipação de energia, máx.): 15W. Spec info: transistor complementar (par) MJE210. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 25V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.3V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1.8V. Vebo: 8V. Produto original do fabricante ON Semiconductor. Quantidade em estoque atualizada em 09/06/2025, 02:25.