Transistor NPN, 0.5A, 30 v - MPSA13
| Quantidade (Conjunto de 5) | sem IVA | IVA incl. |
|---|---|---|
| 1 - 2 | 0.87€ | 1.07€ |
| 3 - 4 | 0.83€ | 1.02€ |
| 5 - 9 | 0.78€ | 0.96€ |
| 10 - 19 | 0.74€ | 0.91€ |
| 20 - 34 | 0.70€ | 0.86€ |
| Quantidade (Conjunto de 5) | U.P | |
|---|---|---|
| 1 - 2 | 0.87€ | 1.07€ |
| 3 - 4 | 0.83€ | 1.02€ |
| 5 - 9 | 0.78€ | 0.96€ |
| 10 - 19 | 0.74€ | 0.91€ |
| 20 - 34 | 0.70€ | 0.86€ |
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Transistor NPN, 0.5A, 30 v - MPSA13. Transistor NPN, 0.5A, 30 v. Corrente do coletor: 0.5A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 30 v. Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: uso geral. Ganho máximo de hFE: 10000. Ganho mínimo de hFE: 5000. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. Tecnologia: Transistor Darlington. Tf(min): 125 MHz. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 30 v. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1.5V. Vebo: 10V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 20/04/2025, 14:25.
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Transistor NPN, 500mA, TO-92, TO-92, 30 v. Corrente do coletor: 500mA. Carcaça: TO-92. Habitação ...
Transistor NPN, 500mA, TO-92, TO-92, 30 v. Corrente do coletor: 500mA. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 30 v. Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 125 MHz. Função: uso geral. Ganho máximo de hFE: 20000. Ganho mínimo de hFE: 10000. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Darlington. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 30 v. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1.5V. Vebo: 10V. Número de terminais: 3. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
Transistor NPN, 500mA, TO-92, TO-92, 30 v. Corrente do coletor: 500mA. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 30 v. Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 125 MHz. Função: uso geral. Ganho máximo de hFE: 20000. Ganho mínimo de hFE: 10000. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Darlington. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 30 v. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1.5V. Vebo: 10V. Número de terminais: 3. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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