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Transistor NPN, 2A, 60V - TIP110

Transistor NPN, 2A, 60V - TIP110
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Transistor NPN, 2A, 60V - TIP110. Transistor NPN, 2A, 60V. Corrente do coletor: 2A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Transistor Darlington?: sim. Material semicondutor: silício. Ganho máximo de hFE: 1000. Ganho mínimo de hFE: 500. Ic(pulso): 4A. Nota: >1000. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. RoHS: sim. Spec info: 10k Ohms (R1), 600 Ohms (R2). Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2.5V. Vebo: 5V. Produto original do fabricante Fairchild. Quantidade em estoque atualizada em 08/06/2025, 13:25.

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Transistor NPN, soldagem PCB, TO-220AB, 5A, 5A, TO-220, TO-220, 100V. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 5A. Corrente do coletor: 5A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. RoHS: sim. Família de componentes: Transistor de potência Darlington NPN. Carcaça (padrão JEDEC): TO-220AB. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: TIP122. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 100V. Frequência de corte ft [MHz]: silício. Dissipação máxima Ptot [W]: 65W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Ganho mínimo de hFE: 1000. Ic(pulso): 8A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 65W. Spec info: transistor complementar (par) TIP127. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 2V. Vebo: 5V
TIP122
Transistor NPN, soldagem PCB, TO-220AB, 5A, 5A, TO-220, TO-220, 100V. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 5A. Corrente do coletor: 5A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. RoHS: sim. Família de componentes: Transistor de potência Darlington NPN. Carcaça (padrão JEDEC): TO-220AB. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: TIP122. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 100V. Frequência de corte ft [MHz]: silício. Dissipação máxima Ptot [W]: 65W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Ganho mínimo de hFE: 1000. Ic(pulso): 8A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 65W. Spec info: transistor complementar (par) TIP127. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 2V. Vebo: 5V
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