Transistores bipolares NPN

Transistor NPN, 0.5A, 25V. Corrente do coletor: 0.5A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 25V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 150 MHz. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.6W. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 0.15A, TO-92, TO-92, 50V. Corrente do coletor: 0.15A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Condicionamento: rolo. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 80 MHz. Ganho máximo de hFE: 240. Ganho mínimo de hFE: 120. Marcação na caixa: C1815Y. Número de terminais: 3. Temperatura: +120°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.4W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Tipo Epitaxial . Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.1V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) 2SA1015Y . BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 0.05A, TO-92, TO-92, 120V. Corrente do coletor: 0.05A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 120V. Custo): 1.6pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Função: uso geral. Ganho máximo de hFE: 1200. Ganho mínimo de hFE: 200. Marcação na caixa: C1841. Número de terminais: 3. Temperatura: +125°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -...+125°C. Vcbo: 120V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.07V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.3V. Vebo: 5V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-92, 100mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: NINCS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 60V/50V. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.25W

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-92, 100mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: NINCS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 60V. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.5W

Transistor NPN, 50mA, TO-92, TO-92, 120V. Corrente do coletor: 50mA. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 120V. Custo): 1.6pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 110 MHz. Função: Amplificador de áudio HI-FI. Ganho máximo de hFE: 580. Ganho mínimo de hFE: 150. Marcação na caixa: C1845. Equivalentes: KSC1845. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+125°C. Vcbo: 120V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.07V. Vebo: 5V. Spec info: Samsung--0501-000354. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 1A, TO-126B-A1, 35V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Corrente do coletor: 1A. Habitação (conforme ficha técnica): TO-126B-A1. Tensão do coletor/emissor Vceo: 35V. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). Custo): 20pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 200 MHz. Ganho máximo de hFE: 340. Ganho mínimo de hFE: 85. Ic(pulso): 1.5A. Pd (dissipação de energia, máx.): 5W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Tipo plano epitaxial . Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 45V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.5V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-92, 20mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 20mA. RoHS: NINCS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 20V. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.25W

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-3, 3.5A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-3. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 3.5A. RoHS: NINCS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 2SC1875. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 500V. Dissipação máxima Ptot [W]: 50W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor de potência NPN

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-220AB, 3A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 3A. RoHS: NINCS. Família de componentes: Transistor de potência Darlington NPN. Carcaça (padrão JEDEC): TO-220AB. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: C1881. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 60V. Dissipação máxima Ptot [W]: 30W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-92, 30mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 30mA. RoHS: NINCS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 50V. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.2W

Transistor NPN, 0.05A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 200V. Corrente do coletor: 0.05A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92M ( 9mm ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 200V. Custo): 3pF. Material semicondutor: silício. FT: 130 MHz. Função: Saída de vídeo. Ganho máximo de hFE: 300. Ganho mínimo de hFE: 30. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.6W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Tripla Difusão . Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 250V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1V. Vebo: 5V. Quantidade por caixa: 1. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 0.5A, 200V. Corrente do coletor: 0.5A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 200V. Material semicondutor: silício. FT: 45 MHz. Tipo de transistor: NPN. Quantidade por caixa: 1. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 2A, 35V. Corrente do coletor: 2A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 35V. Material semicondutor: silício. FT: 470 MHz. Função: UHF-L. Pd (dissipação de energia, máx.): 8W. Tipo de transistor: NPN. Quantidade por caixa: 1

Transistor NPN, 0.6A, TO-220, 40V. Corrente do coletor: 0.6A. Carcaça: TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 40V. Material semicondutor: silício. FT: 175 MHz. Função: VHF-Tr/E. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.3W. Tipo de transistor: NPN. Quantidade por caixa: 1

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-92, 300mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 300mA. RoHS: NINCS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 60V. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.6W

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-92, 300mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 300mA. RoHS: NINCS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 80V. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.6W

Transistor NPN, 0.1A, 35V. Corrente do coletor: 0.1A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 35V. Material semicondutor: silício. FT: 550 MHz. Tipo de transistor: NPN. Quantidade por caixa: 1

Transistor NPN, 2A, TO-220, TO-220, 300V. Corrente do coletor: 2A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 300V. Material semicondutor: silício. FT: 10 MHz. Função: S-L. Ganho mínimo de hFE: 30. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 1us. Tf(min): 1us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 300V. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Vebo: 6V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-92, 50mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 50mA. RoHS: NINCS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 40V/25V. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.25W

Transistor NPN, soldagem PCB, D18/C, 700mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: D18/C. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 700mA. RoHS: NINCS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 40V/32V. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.75W

Transistor NPN, soldagem PCB, E-33, 50mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: E-33. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 50mA. RoHS: NINCS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 40V/25V. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.25W

Transistor NPN, 1.5A, TO-220, TO-220, 150V. Corrente do coletor: 1.5A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 150V. Material semicondutor: silício. FT: 4 MHz. Pd (dissipação de energia, máx.): 25W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Spec info: transistor complementar (par) 2SA940. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 4A, TO-220, TO-220, 75V. Corrente do coletor: 4A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 75V. Material semicondutor: silício. FT: 27 MHz. Pd (dissipação de energia, máx.): 6W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Quantidade por caixa: 1

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-92, 30mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 30mA. RoHS: NINCS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 30V/20V. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.25W