Transistores bipolares NPN

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-92, 30mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 30mA. RoHS: NINCS. Família de componentes: Transistor bipolar NPN. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 50V. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.2W

Transistor NPN, 0.05A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 200V. Corrente do coletor: 0.05A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92M ( 9mm ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 200V. BE diodo: NINCS. Custo): 3pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 130 MHz. Função: Saída de vídeo. Ganho máximo de hFE: 300. Ganho mínimo de hFE: 30. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.6W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Tripla Difusão . Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 250V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 0.5A, 200V. Corrente do coletor: 0.5A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 200V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 45 MHz. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 2A, 35V. Corrente do coletor: 2A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 35V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 470 MHz. Função: UHF-L. Pd (dissipação de energia, máx.): 8W. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 0.6A, TO-220, 40V. Corrente do coletor: 0.6A. Carcaça: TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 40V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 175 MHz. Função: VHF-Tr/E. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.3W. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-92, 300mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 300mA. RoHS: NINCS. Família de componentes: Transistor bipolar NPN. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 80V. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.6W

Transistor NPN, 0.1A, 35V. Corrente do coletor: 0.1A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 35V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 550 MHz. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 2A, TO-220, TO-220, 300V. Corrente do coletor: 2A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 300V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 10 MHz. Função: S-L. Ganho mínimo de hFE: 30. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 1us. Tf(min): 1us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 300V. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Vebo: 6V

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-92, 50mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 50mA. RoHS: NINCS. Família de componentes: Transistor bipolar NPN. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 40V/25V. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.25W

Transistor NPN, soldagem PCB, D18/C, 700mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: D18/C. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 700mA. RoHS: NINCS. Família de componentes: Transistor bipolar NPN. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 40V/32V. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.75W

Transistor NPN, soldagem PCB, E-33, 50mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: E-33. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 50mA. RoHS: NINCS. Família de componentes: Transistor bipolar NPN. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 40V/25V. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.25W

Transistor NPN, 1.5A, TO-220, TO-220, 150V. Corrente do coletor: 1.5A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 150V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 4 MHz. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 25W. Spec info: transistor complementar (par) 2SA940. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 4A, TO-220, TO-220, 75V. Corrente do coletor: 4A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 75V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 27 MHz. Pd (dissipação de energia, máx.): 6W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-92, 30mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 30mA. RoHS: NINCS. Família de componentes: Transistor bipolar NPN. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 30V/20V. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.25W

Transistor NPN, 1.5A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 30 v. Corrente do coletor: 1.5A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92M ( 9mm ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 30 v. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 120MHz. Ganho máximo de hFE: 320. Ganho mínimo de hFE: 100. Pd (dissipação de energia, máx.): 900mW. Spec info: transistor complementar (par) 2SA966. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 30 v. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 1.5A, TO-220, 160V. Corrente do coletor: 1.5A. Carcaça: TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 160V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Pd (dissipação de energia, máx.): 25W. Spec info: transistor complementar (par) 2SA968. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 0.1A, TO-92, TO-92, 120V. Corrente do coletor: 0.1A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 120V. BE diodo: NINCS. Custo): 3pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Função: Baixo ruído, amplificador de áudio. Ganho máximo de hFE: 700. Ganho mínimo de hFE: 350. Marcação na caixa: C2240BL. Número de terminais: 3. Temperatura: +125°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.3W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) 2SA970BL. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Tipo Epitaxial (Processo PCT) . Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+125°C. Vcbo: 120V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.3V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 0.1A, TO-92, TO-92, 120V. Corrente do coletor: 0.1A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 120V. BE diodo: NINCS. Custo): 3pF. Diodo CE: NINCS. Transistor Darlington?: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Ganho máximo de hFE: 400. Ganho mínimo de hFE: 200. Marcação na caixa: C224GR. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.3W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) 2SA970GR. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Tipo Epitaxial (Processo PCT) . Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+125°C. Vcbo: 120V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.3V. Vebo: 5V

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-92, 500mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 500mA. RoHS: NINCS. Família de componentes: Transistor bipolar NPN. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 60V/50V. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.6W

Transistor NPN, 1.5A, TO-220, TO-220, 120V. Corrente do coletor: 1.5A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 120V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 200 MHz. Ganho máximo de hFE: 320. Ganho mínimo de hFE: 35. Ic(pulso): 3A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 25W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 120V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.3V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 0.1A, 300V. Corrente do coletor: 0.1A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 300V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 80 MHz. Função: VID-L. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-236, 30mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-236. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 30mA. RoHS: NINCS. Família de componentes: Transistor bipolar NPN. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 30V/20V. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.2W

Transistor NPN, 1.5A, TO-220, TO-220AB, 160V. Corrente do coletor: 1.5A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão do coletor/emissor Vceo: 160V. BE diodo: NINCS. Custo): 30pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100MHz. Função: Comutação de alta tensão, amplificador de potência AF. Ganho máximo de hFE: 200. Ganho mínimo de hFE: 60. Ic(pulso): 3A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 25W. Spec info: transistor complementar (par) 2SA1011. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 180V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Vebo: 6V

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-92, 30mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 30mA. RoHS: NINCS. Família de componentes: Transistor bipolar NPN. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 30V/20V. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.25W

Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 160V. Corrente do coletor: 1A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92M ( 9mm ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 160V. BE diodo: NINCS. Custo): 20pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 20 MHz. Função: CTV-NF/VA. Ganho máximo de hFE: 320. Ganho mínimo de hFE: 160. Marcação na caixa: C2383 Y. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.9W. Spec info: transistor complementar (par) 2SA1013. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 160V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.5V. Vebo: 6V