Transistores bipolares NPN

Transistor NPN, 100mA, TO-92, TO-92, 40V. Corrente do coletor: 100mA. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 40V. C (pol.): 8pF. Custo): 4pF. Transistor Darlington?: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 250 MHz. Função: Transistor de comutação. Ganho máximo de hFE: 300. Ganho mínimo de hFE: 100. Ic(pulso): 200mA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Construção de matriz planar epitaxial . Tf(máx.): 75 ns. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.25V. Vebo: 5V. Spec info: hFE 100-300 (IC=10mAdc, VCE=1.0Vdc). BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Resistor B: sim. Resistor BE: soldagem PCB

Transistor NPN, TO-92, 200mA, 40V, 0.2A. Carcaça: TO-92. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 200mA. Tensão coletor-emissor VCEO: 40V. Corrente do coletor: 0.2A. Marcação do fabricante: 2N3904. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 40V. Frequência de corte ft [MHz]: 300 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.625W. Tipo de transistor: transistor NPN . Polaridade: NPN. Potência: 0.625W. Frequência máxima: 300MHz. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, 0.6A, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 40V. Corrente do coletor: 0.6A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92 ( Ammo Pack ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 40V. C (pol.): 30pF. Custo): 6.5pF. Unidade de condicionamento: 2000. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 250 MHz. Ganho máximo de hFE: 300. Ganho mínimo de hFE: 20. Ic(pulso): 0.9A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 30 ns. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.4V. Vebo: 6V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 100mA, TO-92, TO-92, 30 v. Corrente do coletor: 100mA. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 30 v. C (pol.): 10pF. Custo): 4pF. Transistor Darlington?: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 50 MHz. Ganho máximo de hFE: 900. Ganho mínimo de hFE: 300. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 625W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 35V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.5V. Função: Pré-amplificador HI-FI de baixo ruído. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 0.4A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 20V. Corrente do coletor: 0.4A. Carcaça: TO-39 ( TO-205 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-39. Tensão do coletor/emissor Vceo: 20V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 1.2GHz. Ganho máximo de hFE: 210. Ganho mínimo de hFE: 70. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 1W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Planar Epitaxial . Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+200°C. Vcbo: 40V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Vebo: 3V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 100mA, TO-92, TO-92, 50V. Corrente do coletor: 100mA. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Custo): 4pF. Unidade de condicionamento: 2000. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 30 MHz. Ganho máximo de hFE: 600. Ganho mínimo de hFE: 200. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.7V. Vebo: 4.5V. Função: Pré-amplificador HI-FI de baixo ruído. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, TO-92, 0.6A, TO-92, 160V. Carcaça: TO-92. Corrente do coletor: 0.6A. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 160V. RoHS: sim. Resistor B: sim. Resistor BE: soldagem PCB. C (pol.): TO-92. Custo): 6pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Função: Amplificador de VÍDEO.. Ganho máximo de hFE: 250. Ganho mínimo de hFE: 80. Ic(pulso): +150°C. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 180V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.15V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.2V. Vebo: 6V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-92, 600mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 600mA. RoHS: sim. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 5551. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 160V. Frequência de corte ft [MHz]: 100 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.625W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor NPN

Transistor NPN, 25A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 80V. Corrente do coletor: 25A. Carcaça: TO-3 ( TO-204 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Custo): 500pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 4 MHz. Ganho máximo de hFE: 100. Ganho mínimo de hFE: 20. Ic(pulso): 50A. Número de terminais: 2. Temperatura: +200°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 200W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.8us. Tf(min): 0.8us. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+200°C. Vcbo: 80V. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) 2N5884. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-3, 25mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-3. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 25mA. RoHS: sim. Carcaça (padrão JEDEC): TO-204AA. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 2N5886G. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 80V. Frequência de corte ft [MHz]: 4 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.2W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +200°C. Família de componentes: transistor de potência NPN

Transistor NPN, 12A, 100V. Corrente do coletor: 12A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Ganho mínimo de hFE: 750. Nota: b>750. Pd (dissipação de energia, máx.): 150W. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 5A, M135, 36V. Corrente do coletor: 5A. Habitação (conforme ficha técnica): M135. Tensão do coletor/emissor Vceo: 36V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 175 MHz. Função: VHF-O Tr. Pd (dissipação de energia, máx.): 12W. Tipo de transistor: NPN. Spec info: SD1012. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 20A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 100V. Corrente do coletor: 20A. Carcaça: TO-3 ( TO-204 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Resistor BE: 8k Ohms (R1), 60 Ohms (R2). Custo): 400pF. Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 2. Material semicondutor: silício. FT: kHz. Função: hFE 750...180000. Ganho máximo de hFE: 18000. Ganho mínimo de hFE: 750. Ic(pulso): 40A. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 160W. RoHS: sim. Peso: 11.8g. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+200°C. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 2V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) 2N6287. BE diodo: NINCS. Diodo CE: sim

Transistor NPN, 15A, TO-220, TO-220, 80V. Corrente do coletor: 15A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 5 MHz. Função: Aplicações de amplificadores e comutação. Ganho máximo de hFE: 150. Ganho mínimo de hFE: 20. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 75W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+165°C. Vcbo: 90V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.3V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 3.5V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) 2N6491. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 15A, TO-220, TO-220, 90V. Corrente do coletor: 15A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 90V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 5 MHz. Pd (dissipação de energia, máx.): 75W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Spec info: transistor complementar (par) 2N6491

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-220, 15mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 15mA. RoHS: sim. Carcaça (padrão JEDEC): TO-220. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 2N6488G. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 80V. Frequência de corte ft [MHz]: 5 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.075W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor de potência NPN

Transistor NPN, 0.5A, TO-92, TO-92, 350V. Corrente do coletor: 0.5A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 350V. Custo): 6pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 40MHz (min), 200MHz (max). Ganho máximo de hFE: 200. Ganho mínimo de hFE: 20. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor de silício epitaxial NPN. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 350V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.3V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1V. Vebo: 6V. Spec info: transistor complementar (par) 2N6520. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 0.6A, 50V. Corrente do coletor: 0.6A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 70 MHz. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.6W. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-202, 3A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-202. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 3A. RoHS: NINCS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 70V/45V. Dissipação máxima Ptot [W]: 10W

Transistor NPN, 0.1A, 210V. Corrente do coletor: 0.1A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 210V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Pd (dissipação de energia, máx.): 7.9W. Tipo de transistor: NPN. Spec info: 8-726-720-00

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-92, 700mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 700mA. RoHS: NINCS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 25V/20V. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.5W

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-92, 300mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 300mA. RoHS: NINCS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 45V/40V. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.5W

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-92, 300mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 300mA. RoHS: NINCS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 65V/60V. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.5W

Transistor NPN, soldagem PCB, D35/B, 500mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: D35/B. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 500mA. RoHS: NINCS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 35V. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.4W

Transistor NPN, 0.5A, 50V. Corrente do coletor: 0.5A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 120 MHz. Nota: hFE 100..200. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.4W. Tipo de transistor: NPN. Spec info: transistor complementar (par) 2SA673A