Transistores bipolares NPN

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-202, 2A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-202. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 2A. RoHS: NINCS. Família de componentes: Transistor bipolar NPN. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 40V/20V. Dissipação máxima Ptot [W]: 10W

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-92, 100mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: NINCS. Família de componentes: Transistor bipolar NPN. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 50V. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.2W

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-92, 500mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 500mA. RoHS: NINCS. Família de componentes: Transistor bipolar NPN. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 30V/25V. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.4W

Transistor NPN, soldagem PCB, D35/B, 30mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: D35/B. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 30mA. RoHS: NINCS. Família de componentes: Transistor bipolar NPN. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 30V/20V. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.1W

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-92, 30mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 30mA. RoHS: NINCS. Família de componentes: Transistor bipolar NPN. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 30V/20V. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.25W

Transistor NPN, 0.05A, 50V. Corrente do coletor: 0.05A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 300 MHz. Função: TV-IF. Pd (dissipação de energia, máx.): 1W. Spec info: 9mm de altura. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-92, 50mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 50mA. RoHS: NINCS. Família de componentes: Transistor bipolar NPN. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 20V. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.2W

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-220AB, 2A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 2A. RoHS: NINCS. Família de componentes: Transistor bipolar NPN. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 70V/50V. Dissipação máxima Ptot [W]: 15W

Transistor NPN, 5A, 500V. Corrente do coletor: 5A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 500V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: TV-HA. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 0.05A, TO-92, TO-92, 150V. Corrente do coletor: 0.05A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 150V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 130 MHz. Função: Amplificador de VÍDEO.. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 8A, 400V. Corrente do coletor: 8A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 400V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 7 MHz. Pd (dissipação de energia, máx.): 80W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 500V

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-92, 30mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 30mA. RoHS: NINCS. Família de componentes: Transistor bipolar NPN. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 50V/40V. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.25W

Transistor NPN, TO-92, soldagem PCB, 100mA. Carcaça: TO-92. Carcaça: soldagem PCB. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: NINCS. Família de componentes: Transistor bipolar NPN. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 30V/25V. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.25W

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-92, 30mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 30mA. RoHS: NINCS. Família de componentes: Transistor bipolar NPN. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 50V/40V. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.4W

Transistor NPN, 0.15A, TO-92, TO-92S ( SPT SC-72 ), 50V. Corrente do coletor: 0.15A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92S ( SPT SC-72 ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. BE diodo: NINCS. Custo): 3.5pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 180 MHz. Ganho máximo de hFE: 560. Ganho mínimo de hFE: 120. Marcação na caixa: C1710. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.3W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.4V. Vebo: 7V

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-220C, 200mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220C. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 200mA. RoHS: NINCS. Família de componentes: Transistor bipolar NPN. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 300V. Dissipação máxima Ptot [W]: 15W

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-92, 15mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 15mA. RoHS: NINCS. Família de componentes: Transistor bipolar NPN. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 25V/20V. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.15W

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-18, 500mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-18. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 500mA. RoHS: NINCS. Família de componentes: Transistor bipolar NPN. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 70V/50V. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.35W

Transistor NPN, 0.5A, 25V. Corrente do coletor: 0.5A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 25V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 150 MHz. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.6W. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 0.15A, TO-92, TO-92, 50V. Corrente do coletor: 0.15A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Condicionamento: rolo. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 80 MHz. Ganho máximo de hFE: 240. Ganho mínimo de hFE: 120. Marcação na caixa: C1815Y. Número de terminais: 3. Temperatura: +120°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.4W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) 2SA1015Y . Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Tipo Epitaxial . Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.1V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 0.05A, TO-92, TO-92, 120V. Corrente do coletor: 0.05A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 120V. BE diodo: NINCS. Custo): 1.6pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Função: uso geral. Ganho máximo de hFE: 1200. Ganho mínimo de hFE: 200. Marcação na caixa: C1841. Número de terminais: 3. Temperatura: +125°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -...+125°C. Vcbo: 120V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.07V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.3V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 50mA, TO-92, TO-92, 120V. Corrente do coletor: 50mA. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 120V. BE diodo: NINCS. Custo): 1.6pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 110 MHz. Função: Amplificador de áudio HI-FI. Ganho máximo de hFE: 580. Ganho mínimo de hFE: 150. Marcação na caixa: C1845. Equivalentes: KSC1845. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. RoHS: sim. Spec info: Samsung--0501-000354. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+125°C. Vcbo: 120V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.07V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 1A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126B-A1, 35V. Corrente do coletor: 1A. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). Habitação (conforme ficha técnica): TO-126B-A1. Tensão do coletor/emissor Vceo: 35V. BE diodo: NINCS. Custo): 20pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 200 MHz. Ganho máximo de hFE: 340. Ganho mínimo de hFE: 85. Ic(pulso): 1.5A. Pd (dissipação de energia, máx.): 5W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Tipo plano epitaxial . Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 45V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.5V

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-92, 20mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 20mA. RoHS: NINCS. Família de componentes: Transistor bipolar NPN. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 20V. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.25W

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-3, 3.5A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-3. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 3.5A. RoHS: NINCS. Família de componentes: transistor de potência NPN . Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 2SC1875. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 500V. Dissipação máxima Ptot [W]: 50W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C