Transistor NPN, 12A, 100V - 2N6059
| Quantidade | sem IVA | IVA incl. |
|---|---|---|
| 1 - 1 | 5.47€ | 6.73€ |
| 2 - 2 | 5.20€ | 6.40€ |
| 3 - 4 | 5.03€ | 6.19€ |
| 5 - 9 | 4.92€ | 6.05€ |
| 10 - 19 | 4.82€ | 5.93€ |
| 20 - 29 | 4.65€ | 5.72€ |
| 30+ | 4.49€ | 5.52€ |
| Quantidade | U.P | |
|---|---|---|
| 1 - 1 | 5.47€ | 6.73€ |
| 2 - 2 | 5.20€ | 6.40€ |
| 3 - 4 | 5.03€ | 6.19€ |
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| 10 - 19 | 4.82€ | 5.93€ |
| 20 - 29 | 4.65€ | 5.72€ |
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Transistor NPN, 12A, 100V - 2N6059. Transistor NPN, 12A, 100V. Corrente do coletor: 12A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Ganho mínimo de hFE: 750. Nota: b>750. Pd (dissipação de energia, máx.): 150W. Tipo de transistor: NPN. Produto original do fabricante Stmicroelectronics. Quantidade em estoque atualizada em 08/06/2025, 07:25.
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Transistor NPN, 20A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 100V. Corrente do coletor: 20A. Carcaça: TO-3 ( TO-204 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. BE diodo: NINCS. Resistor BE: 8k Ohms (R1), 60 Ohms (R2). Custo): 400pF. Diodo CE: sim. Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 2. Material semicondutor: silício. FT: kHz. Função: hFE 750...180000. Ganho máximo de hFE: 18000. Ganho mínimo de hFE: 750. Ic(pulso): 40A. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 160W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) 2N6287. Peso: 11.8g. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+200°C. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 2V. Vebo: 5V
Transistor NPN, 20A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 100V. Corrente do coletor: 20A. Carcaça: TO-3 ( TO-204 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. BE diodo: NINCS. Resistor BE: 8k Ohms (R1), 60 Ohms (R2). Custo): 400pF. Diodo CE: sim. Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 2. Material semicondutor: silício. FT: kHz. Função: hFE 750...180000. Ganho máximo de hFE: 18000. Ganho mínimo de hFE: 750. Ic(pulso): 40A. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 160W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) 2N6287. Peso: 11.8g. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+200°C. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 2V. Vebo: 5V
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