Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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Transistor NPN, 1.5A, TO-220, 160V - 2SC2238

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Transistor NPN, 1.5A, TO-220, 160V - 2SC2238. Transistor NPN, 1.5A, TO-220, 160V. Corrente do coletor: 1.5A. Carcaça: TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 160V. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Pd (dissipação de energia, máx.): 25W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Quantidade por caixa: 1. Spec info: transistor complementar (par) 2SA968. Quantidade em estoque atualizada em 20/04/2025, 14:25.

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Transistor NPN, 1.5A, TO-220, TO-220AB, 160V. Corrente do coletor: 1.5A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão do coletor/emissor Vceo: 160V. Custo): 30pF. Material semicondutor: silício. FT: 100MHz. Ganho máximo de hFE: 200. Ganho mínimo de hFE: 60. Ic(pulso): 3A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 25W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 180V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Vebo: 6V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Função: Comutação de alta tensão, amplificador de potência AF. Spec info: transistor complementar (par) 2SA1011. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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Transistor NPN, 1.5A, TO-220, TO-220AB, 160V. Corrente do coletor: 1.5A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão do coletor/emissor Vceo: 160V. Custo): 30pF. Material semicondutor: silício. FT: 100MHz. Ganho máximo de hFE: 200. Ganho mínimo de hFE: 60. Ic(pulso): 3A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 25W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 180V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Vebo: 6V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Função: Comutação de alta tensão, amplificador de potência AF. Spec info: transistor complementar (par) 2SA1011. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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