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Transistor NPN, 0.5A, 200V - 2SC1962

Transistor NPN, 0.5A, 200V - 2SC1962
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Transistor NPN, 0.5A, 200V - 2SC1962. Transistor NPN, 0.5A, 200V. Corrente do coletor: 0.5A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 200V. Material semicondutor: silício. FT: 45 MHz. Tipo de transistor: NPN. Quantidade por caixa: 1. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 20/04/2025, 14:25.

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BF460
Transistor NPN, 0.5A, 250V. Corrente do coletor: 0.5A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 250V. Material semicondutor: silício. FT: 45 MHz. Função: VID-L. Pd (dissipação de energia, máx.): 10W. Tipo de transistor: NPN. Quantidade por caixa: 1
BF460
Transistor NPN, 0.5A, 250V. Corrente do coletor: 0.5A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 250V. Material semicondutor: silício. FT: 45 MHz. Função: VID-L. Pd (dissipação de energia, máx.): 10W. Tipo de transistor: NPN. Quantidade por caixa: 1
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Transistor NPN, soldagem PCB, SOT-32, 500mA, TO-126, 300V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Carcaça: soldag...
MJE340
Transistor NPN, soldagem PCB, SOT-32, 500mA, TO-126, 300V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: SOT-32. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 500mA. Habitação (conforme ficha técnica): TO-126. Tensão do coletor/emissor Vceo: 300V. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). RoHS: sim. Carcaça (padrão JEDEC): TO-126. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: MJE340. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 300V. Dissipação máxima Ptot [W]: 20W. Família de componentes: transistor NPN de alta tensão. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Frequência de corte ft [MHz]: 240. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 20W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 300V. Vebo: 3V. Spec info: transistor complementar (par) MJE350
MJE340
Transistor NPN, soldagem PCB, SOT-32, 500mA, TO-126, 300V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: SOT-32. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 500mA. Habitação (conforme ficha técnica): TO-126. Tensão do coletor/emissor Vceo: 300V. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). RoHS: sim. Carcaça (padrão JEDEC): TO-126. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: MJE340. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 300V. Dissipação máxima Ptot [W]: 20W. Família de componentes: transistor NPN de alta tensão. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Frequência de corte ft [MHz]: 240. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 20W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 300V. Vebo: 3V. Spec info: transistor complementar (par) MJE350
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Transistor NPN, 0.5A, TO-126F, TO-225, 300V. Corrente do coletor: 0.5A. Carcaça: TO-126F. Habitaç...
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Transistor NPN, 0.5A, TO-126F, TO-225, 300V. Corrente do coletor: 0.5A. Carcaça: TO-126F. Habitação (conforme ficha técnica): TO-225. Tensão do coletor/emissor Vceo: 300V. Custo): 30pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 10 MHz. Função: NF-L. Ganho máximo de hFE: 240. Ganho mínimo de hFE: 30. Nota: caixa de plástico. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 20.8W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 300V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.5V. Vebo: 3V. Spec info: transistor complementar (par) MJE350. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
MJE340-ST
Transistor NPN, 0.5A, TO-126F, TO-225, 300V. Corrente do coletor: 0.5A. Carcaça: TO-126F. Habitação (conforme ficha técnica): TO-225. Tensão do coletor/emissor Vceo: 300V. Custo): 30pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 10 MHz. Função: NF-L. Ganho máximo de hFE: 240. Ganho mínimo de hFE: 30. Nota: caixa de plástico. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 20.8W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 300V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.5V. Vebo: 3V. Spec info: transistor complementar (par) MJE350. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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Transistor NPN, 0.5A, 300V. Corrente do coletor: 0.5A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 300V. Material semicondutor: silício. FT: 45 MHz. Função: VID-L. Pd (dissipação de energia, máx.): 10W. Tipo de transistor: NPN. Quantidade por caixa: 1
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Transistor NPN, 0.5A, 300V. Corrente do coletor: 0.5A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 300V. Material semicondutor: silício. FT: 45 MHz. Função: VID-L. Pd (dissipação de energia, máx.): 10W. Tipo de transistor: NPN. Quantidade por caixa: 1
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