Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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Transistor NPN, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 160V, 70mA - 2SC2910

Transistor NPN, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 160V, 70mA - 2SC2910
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Transistor NPN, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 160V, 70mA - 2SC2910. Transistor NPN, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 160V, 70mA. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92M ( 9mm ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 160V. Corrente do coletor: 70mA. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.9W. Spec info: transistor complementar (par) 2SA1208. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.2us. Tf(min): 0.2us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 180V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.08V. Vebo: 5V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 150 MHz. Função: Comutação de alta tensão . Ganho máximo de hFE: 400. Ganho mínimo de hFE: 100. Ic(pulso): 140mA. Produto original do fabricante Sanyo. Quantidade em estoque atualizada em 25/07/2025, 15:25.

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Transistor NPN, 0.1A, TO-92, SC-51 ( MP ), 200V. Corrente do coletor: 0.1A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): SC-51 ( MP ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 200V. BE diodo: NINCS. Custo): 1.7pF. Diodo CE: NINCS. Transistor Darlington?: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 150 MHz. Função: Video, Hi-def. Ganho máximo de hFE: 320. Ganho mínimo de hFE: 40. Ic(pulso): 0.2A. Nota: 9mm de altura. Marcação na caixa: C3467. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 1W. Spec info: VCB=30V, f=1MHz, Cob 1.7pF, Cre 1.2pF. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 200V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.6V. Vebo: 5V
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Transistor NPN, 0.1A, TO-92, SC-51 ( MP ), 200V. Corrente do coletor: 0.1A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): SC-51 ( MP ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 200V. BE diodo: NINCS. Custo): 1.7pF. Diodo CE: NINCS. Transistor Darlington?: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 150 MHz. Função: Video, Hi-def. Ganho máximo de hFE: 320. Ganho mínimo de hFE: 40. Ic(pulso): 0.2A. Nota: 9mm de altura. Marcação na caixa: C3467. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 1W. Spec info: VCB=30V, f=1MHz, Cob 1.7pF, Cre 1.2pF. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 200V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.6V. Vebo: 5V
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BF421
Transistor NPN, 50mA, TO-92, TO-92, 300V. Corrente do coletor: 50mA. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 300V. Diodo CE: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 80 MHz. Ganho mínimo de hFE: 40. Ic(pulso): 100mA. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 830mW. Spec info: transistor complementar (par) BF420 . Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Planar Triplo Difuso . Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 300V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.2V. Vebo: 5V
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Transistor NPN, 50mA, TO-92, TO-92MOD ( 2-5J1A ), 150V. Corrente do coletor: 50mA. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92MOD ( 2-5J1A ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 150V. BE diodo: NINCS. Custo): 1.8pF. Diodo CE: NINCS. Transistor Darlington?: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 200 MHz. Função: amplificador de áudio. Ganho máximo de hFE: 160. Ganho mínimo de hFE: 80. Ic(pulso): 800mA. Nota: 9mm. Marcação na caixa: C2705. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.8W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) 2SA1145. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Tipo Epitaxial (Processo PCT) . Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 150V. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Vebo: 5V
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