Transistor NPN, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 120V - 2SC2713-GR

Transistor NPN, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 120V - 2SC2713-GR. Transistor NPN, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 120V. Corrente do coletor: 0.1A. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 120V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Ganho máximo de hFE: 700. Ganho mínimo de hFE: 200. Nota: serigrafia/código SMD DG. Marcação na caixa: DG. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 150mW. Spec info: transistor complementar (par) 2SA1163. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 120V. Tensão de saturação VCE(sat): 300mV. Produto original do fabricante Toshiba. Quantidade em estoque atualizada em 08/06/2025, 13:25.