Par de transístores MOSFET N-P

Transistor MOSFET. Tipo de canal: N-P. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 2W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: transistor MOSFET duplo, Canais N e P, PowerTrench . Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Temperatura operacional: -55...+150°C. Quantidade por caixa: 2. Função: Q1 N-Ch 7A, 30V RDS(on)=0.030 Ohms, Vgs=10V. Spec info: Q2 P-Ch, 5A, 30V RDS(on)=0.052 Ohms, Vgs=10V

Transistor MOSFET. Tipo de canal: N-P. Função: Y4. Marcação na caixa: Y4. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Habitação (conforme ficha técnica): SMT5. Quantidade por caixa: 2

Transistor MOSFET. Tipo de canal: N-P. Função: Ic 30A @ 25°C, 25A @ 110°C, Icm 220A (pulsed). Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 208W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 137 ns. Td(ligado): 36ns. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.45V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 4.2V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 6V. Diodo CE: NINCS. Diodo de germânio: NINCS

Transistor MOSFET. Tipo de canal: N-P. Função: Ic 70A @ 25°C, 40A @ 110°C, Icm 330A (pulsed). Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 290W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 170 ns. Td(ligado): 47 ns. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.4V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 3V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 6V. Diodo CE: NINCS. Diodo de germânio: NINCS

Transistor MOSFET. Função: 2xN-CH 20V, Fast Switching. Número de terminais: 8:1. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Quantidade por caixa: 2

Transistor MOSFET. Tipo de canal: N-P. Função: 0.05R & 0.1R. DI (T=25°C): 4.7A & 3.5A. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.4W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: MOSFET de potência HEXFET. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Tensão Vds(máx.): 30 v. Quantidade por caixa: 2

Transistor MOSFET. C (pol.): 780pF. Custo): 430pF. Tipo de canal: N-P. Diodo Trr (mín.): 47 ns. Função: 0.029R & 0.58R. Número de terminais: 8:1. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: N&P-HEXFET Power MOSFET. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Quantidade por caixa: 2. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Transistor MOSFET. Tipo de canal: N-P. Marcação na caixa: F7319. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 2W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: N&P-HEXFET Power MOSFET. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Quantidade por caixa: 2. Nota: ( = P23AF 4532 SMD ). Nota: Rds-on 0.029 Ohms / 0.058 Ohms

Transistor MOSFET. Tipo de canal: N-P. Função: par de transistores MOSFET complementares de canal N e canal P. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 2W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Quantidade por caixa: 2. Spec info: 0.043 Ohms & 0.095 Ohms

Transistor MOSFET. Tipo de canal: N-P. Função: par de transistores MOSFET complementares de canal N e canal P. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 2.5W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Quantidade por caixa: 2. Spec info: 0.029 Ohms & 0.058 Ohms

Transistor MOSFET. Tipo de canal: N-P. Função: 28 & 65m Ohms). Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 2W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: par de transistores MOSFET complementares de canal N e canal P. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SOP-8. Quantidade por caixa: 2

Transistor MOSFET. Tipo de canal: N-P. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.2W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: D-S-MOSFET. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Quantidade por caixa: 2. Função: IDM--20App, td(on)--12&8nS, td(off)--23&21nS

Transistor MOSFET. C (pol.): 340pF. Custo): 67pF. Tipo de canal: N-P. Diodo Trr (mín.): 30 ns. IDss (min): 1uA. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 1uA. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: D-S-MOSFET. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Quantidade por caixa: 2. Função: IDM--24&15App, td(on)--7.5&5.5nS, td(off)--14&17nS. Proteção contra fonte de drenagem: NINCS. Proteção GS: NINCS

Transistor MOSFET. Tipo de canal: N-P. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 2W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: D-S-MOSFET. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Quantidade por caixa: 2. Função: IDM--30&30App, td(on)--6&7nS, td(off)--30&40nS

Transistor MOSFET. Tipo de canal: N-P. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 2W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: D-S-MOSFET. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Quantidade por caixa: 2. Função: IDM--20&20App, td(on)--6&13nS, td(off)--18&47nS

Transistor MOSFET. Número de terminais: 8:1. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: (G-S) MOSFET. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Quantidade por caixa: 2

Transistor MOSFET. Função: 9.31k Ohms. Número de terminais: 8:1. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: 2xN-CH 30V. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Quantidade por caixa: 2

Transistor MOSFET. Número de terminais: 8:1. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: SMD. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Quantidade por caixa: 2

Transistor MOSFET. Diodo Trr (mín.): 45 ns. Função: 9.31k Ohms. DI (T=100°C): 3.7A. Idss (máx.): 3.2A. IDss (min): 1uA. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 1uA. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: 2xN-CH 60V. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Quantidade por caixa: 2. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Transistor MOSFET. Função: 9.31k Ohms. Número de terminais: 8:1. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: 2xN-CH 20V. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Quantidade por caixa: 2

Transistor MOSFET. RoHS: sim. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: módulo. Configuração: Parafusado. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: SK85MH10. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 80A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0135 Ohms @ 80A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 3.3V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 120ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 570 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 9100pF. Família de componentes: ponte MOSFET completa, NMOS. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -40°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +125°C

Transistor MOSFET. Tipo de canal: N-P. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 2W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Quantidade por caixa: 2. Função: Rds-on 0.059 Ohms / 0.065 Ohms

Transistor MOSFET. Tipo de canal: N-P. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 2W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Quantidade por caixa: 2. Função: Rds-on 0.052 Ohms / 0.057 Ohms

Transistor MOSFET. Tipo de canal: N-P. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 2W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: SP8M4FU6TB. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Quantidade por caixa: 2. Função: Rds-on 0.012 Ohms / 0.020 Ohms

Transistor MOSFET. Função: STripFET™ Power MOSFET. Número de terminais: 8:1. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: 2xN-CH 30V. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Quantidade por caixa: 2