Transistor MOSFET SI9945AEY. Carcaça: SO. DI (T=100°C): 3.7A. Diodo Trr (mín.): 45 ns. Função: 9.31k Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. IDss (min): 1uA. Idss (máx.): 3.2A. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 1uA. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 2. Tecnologia: 2xN-CH 60V. Produto original do fabricante: Vishay. Quantidade em estoque atualizada em 18/12/2025, 17:37