Transistor MOSFET HGTG30N60B3D. Carcaça: TO-247. Diodo CE: não. Diodo de germânio: não. Função: Ic 30A @ 25°C, 25A @ 110°C, Icm 220A (pulsed). Habitação (conforme ficha técnica): TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 208W. RoHS: sim. Td(desligado): 137 ns. Td(ligado): 36ns. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.45V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 4.2V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 6V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tipo de canal: N-P. Produto original do fabricante: Fairchild. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 20:19