Transistor MOSFET FDS8962C. Carcaça: SO. Função: Q1 N-Ch 7A, 30V RDS(on)=0.030 Ohms, Vgs=10V. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 2W. Quantidade por caixa: 2. RoHS: sim. Spec info: Q2 P-Ch, 5A, 30V RDS(on)=0.052 Ohms, Vgs=10V. Tecnologia: transistor MOSFET duplo, Canais N e P, PowerTrench. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tipo de canal: N-P. Produto original do fabricante: Fairchild. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 16:41