Transistor MOSFET IRF7343. Carcaça: SO. Cobrar: 24/26nC. Corrente de drenagem: 4.7/-3.4A. Função: par de transistores MOSFET complementares de canal N e canal P. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 2W. Polaridade: unipolar. Potência: 2W. Quantidade por caixa: 2. Resistência térmica: 62.5K/W. RoHS: sim. Spec info: 0.043 Ohms & 0.095 Ohms. Tecnologia: HEXFET®. Tensão da fonte de drenagem: 55/-55V. Tensão de fonte de porta: 20V, ±20V. Tipo de canal: N-P. Produto original do fabricante: International Rectifier. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 07:43