Transistor MOSFET IRF7309. Carcaça: SO. DI (T=25°C): 4.7A & 3.5A. Função: 0.05R & 0.1R. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.4W. Quantidade por caixa: 2. RoHS: sim. Tecnologia: MOSFET de potência HEXFET. Tensão Vds(máx.): 30 v. Tipo de canal: N-P. Produto original do fabricante: International Rectifier. Quantidade em estoque atualizada em 18/12/2025, 19:08