Par de transístores MOSFET N-P

Transistor MOSFET. Função: STripFET™ II Power MOSFET. Número de terminais: 8:1. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: 2xN-CH 20V. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Quantidade por caixa: 2

Transistor MOSFET. Tipo de canal: N-P. Função: N&P PowerTrench MOSFET. Pd (dissipação de energia, máx.): 11W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: Transistor de efeito de campo de modo de aprimoramento duplo. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252-4 ( DPAK ) ( SOT428 ). Temperatura operacional: -55...+175°C. Quantidade por caixa: 2. Número de terminais: 4. Nota: Transistor de efeito de campo de modo de aprimoramento duplo

Transistor MOSFET. Tipo de canal: N-P. Pd (dissipação de energia, máx.): 11W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: N&P PowerTrench MOSFET. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252-4 ( DPAK ) ( SOT428 ). Quantidade por caixa: 2. Número de terminais: 4

Transistor MOSFET. Função: SAMSUNG 0505-001417. Número de terminais: 8:1. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: SMD SO-8. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Quantidade por caixa: 2