Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos

Diodos Zener

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BZX84C24LT1G

BZX84C24LT1G

RoHS: sim. Família de componentes: diodo zener, montagem SMD, máx, 250mW. Carcaça: Soldagem PCB (...
BZX84C24LT1G
RoHS: sim. Família de componentes: diodo zener, montagem SMD, máx, 250mW. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Carcaça (padrão JEDEC): TO-236AB. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Tensão de ruptura Zener Uz [V], nom.: 24V. Corrente de fuga no fechamento Ir [A] @ Ur [V]: 0.05uA @ 16.8V. Impedância Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 70 Ohms @ 5mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.25W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C
BZX84C24LT1G
RoHS: sim. Família de componentes: diodo zener, montagem SMD, máx, 250mW. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Carcaça (padrão JEDEC): TO-236AB. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Tensão de ruptura Zener Uz [V], nom.: 24V. Corrente de fuga no fechamento Ir [A] @ Ur [V]: 0.05uA @ 16.8V. Impedância Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 70 Ohms @ 5mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.25W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C
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BZX84C27

Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: diodo Zener . RM (...
BZX84C27
Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: diodo Zener . RM (máx.): 2uA. RM (min): 0.1uA. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SOD-123. Habitação (conforme ficha técnica): SOD123 ( 2.85x1.7mm ). Tolerância: 5%. Tensão limite Vf (máx.): 0.9V. Tensão direta Vf (min): 0.9V. Tensão Zener: 27V. Número de terminais: 2. Nota: SI-Z SMD. Quantidade por caixa: 1. Temperatura operacional: +65°C...+150°C
BZX84C27
Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: diodo Zener . RM (máx.): 2uA. RM (min): 0.1uA. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SOD-123. Habitação (conforme ficha técnica): SOD123 ( 2.85x1.7mm ). Tolerância: 5%. Tensão limite Vf (máx.): 0.9V. Tensão direta Vf (min): 0.9V. Tensão Zener: 27V. Número de terminais: 2. Nota: SI-Z SMD. Quantidade por caixa: 1. Temperatura operacional: +65°C...+150°C
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Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: SMD ZENER 27V. Pd ...
BZX84C27LT1G
Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: SMD ZENER 27V. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.3W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( 2.9x1.5mm ). Tolerância: 5%. Tensão Zener: 27V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1
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Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: SMD ZENER 27V. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.3W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( 2.9x1.5mm ). Tolerância: 5%. Tensão Zener: 27V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1
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Material semicondutor: silício. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.35W. RoHS: sim. Montagem/ins...
BZX84C2V7
Material semicondutor: silício. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.35W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( 2.9x1.5mm ). VRRM: 2.7V. Tensão Zener: 2.7V. Número de terminais: 3
BZX84C2V7
Material semicondutor: silício. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.35W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( 2.9x1.5mm ). VRRM: 2.7V. Tensão Zener: 2.7V. Número de terminais: 3
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Material semicondutor: silício. Dimensões: 2.9x1.5mm. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.35W. ...
BZX84C3V3
Material semicondutor: silício. Dimensões: 2.9x1.5mm. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.35W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Tensão Zener: 3.3V. Número de terminais: 3
BZX84C3V3
Material semicondutor: silício. Dimensões: 2.9x1.5mm. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.35W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Tensão Zener: 3.3V. Número de terminais: 3
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RoHS: sim. Família de componentes: diodo zener, montagem SMD, máx, 250mW. Carcaça: Soldagem PCB (...
BZX84C3V3LT1G
RoHS: sim. Família de componentes: diodo zener, montagem SMD, máx, 250mW. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Carcaça (padrão JEDEC): TO-236AB. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Tensão de ruptura Zener Uz [V], nom.: 3.3V. Corrente de fuga no fechamento Ir [A] @ Ur [V]: 5uA @ 1V. Impedância Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 95 Ohms @ 5mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.25W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C
BZX84C3V3LT1G
RoHS: sim. Família de componentes: diodo zener, montagem SMD, máx, 250mW. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Carcaça (padrão JEDEC): TO-236AB. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Tensão de ruptura Zener Uz [V], nom.: 3.3V. Corrente de fuga no fechamento Ir [A] @ Ur [V]: 5uA @ 1V. Impedância Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 95 Ohms @ 5mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.25W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C
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Material semicondutor: silício. Dimensões: 2.9x1.3x1mm. Pd (dissipação de energia, máx.): 300mW...
BZX84C3V6
Material semicondutor: silício. Dimensões: 2.9x1.3x1mm. Pd (dissipação de energia, máx.): 300mW. RoHS: sim. Passo: 1.9mm. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23. Tolerância: 5%. Tensão Zener: 3.6V. Número de terminais: 3
BZX84C3V6
Material semicondutor: silício. Dimensões: 2.9x1.3x1mm. Pd (dissipação de energia, máx.): 300mW. RoHS: sim. Passo: 1.9mm. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23. Tolerância: 5%. Tensão Zener: 3.6V. Número de terminais: 3
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RoHS: sim. Família de componentes: diodo zener, montagem SMD, máx, 250mW. Carcaça: Soldagem PCB (...
BZX84C3V9LT1G
RoHS: sim. Família de componentes: diodo zener, montagem SMD, máx, 250mW. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Carcaça (padrão JEDEC): TO-236AB. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Tensão de ruptura Zener Uz [V], nom.: 3.9V. Corrente de fuga no fechamento Ir [A] @ Ur [V]: 3.9k Ohms. Impedância Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 90 Ohms @ 5mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.25W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C
BZX84C3V9LT1G
RoHS: sim. Família de componentes: diodo zener, montagem SMD, máx, 250mW. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Carcaça (padrão JEDEC): TO-236AB. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Tensão de ruptura Zener Uz [V], nom.: 3.9V. Corrente de fuga no fechamento Ir [A] @ Ur [V]: 3.9k Ohms. Impedância Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 90 Ohms @ 5mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.25W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C
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Material semicondutor: silício. Dimensões: 2.9x1.5mm. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.35W. ...
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Material semicondutor: silício. Dimensões: 2.9x1.5mm. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.35W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Tolerância: 5%. Tensão Zener: 4.7V. Número de terminais: 3
BZX84C4V7
Material semicondutor: silício. Dimensões: 2.9x1.5mm. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.35W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Tolerância: 5%. Tensão Zener: 4.7V. Número de terminais: 3
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BZX84C4V7LT1G

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RoHS: sim. Família de componentes: diodo zener, montagem SMD, máx, 250mW. Carcaça: Soldagem PCB (...
BZX84C4V7LT1G
RoHS: sim. Família de componentes: diodo zener, montagem SMD, máx, 250mW. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Carcaça (padrão JEDEC): TO-236AB. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Tensão de ruptura Zener Uz [V], nom.: 4.7V. Corrente de fuga no fechamento Ir [A] @ Ur [V]: 3uA @ 2V. Impedância Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 80 Ohms @ 5mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.25W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C
BZX84C4V7LT1G
RoHS: sim. Família de componentes: diodo zener, montagem SMD, máx, 250mW. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Carcaça (padrão JEDEC): TO-236AB. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Tensão de ruptura Zener Uz [V], nom.: 4.7V. Corrente de fuga no fechamento Ir [A] @ Ur [V]: 3uA @ 2V. Impedância Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 80 Ohms @ 5mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.25W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C
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Material semicondutor: silício. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.35W. Passo: 2.9x1.5mm. VRRM:...
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Material semicondutor: silício. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.35W. Passo: 2.9x1.5mm. VRRM: 5V. Número de terminais: 3. Tensão de ruptura Zener Uz [V], nom.: 5.1V. Corrente de fuga no fechamento Ir [A] @ Ur [V]: 2uA @ 2V. Impedância Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 60 Ohms @ 5mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.3W. Nota: SOT-23. Nota: SI-Z SMD. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C
BZX84C5V1
Material semicondutor: silício. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.35W. Passo: 2.9x1.5mm. VRRM: 5V. Número de terminais: 3. Tensão de ruptura Zener Uz [V], nom.: 5.1V. Corrente de fuga no fechamento Ir [A] @ Ur [V]: 2uA @ 2V. Impedância Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 60 Ohms @ 5mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.3W. Nota: SOT-23. Nota: SI-Z SMD. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C
Conjunto de 10
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Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: SI-Z SMD. Pd (diss...
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Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: SI-Z SMD. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.35W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( 2.9x1.5mm ). Tolerância: 5%. VRRM: 5.6V. Tensão Zener: 5.6V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1
BZX84C5V6
Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: SI-Z SMD. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.35W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( 2.9x1.5mm ). Tolerância: 5%. VRRM: 5.6V. Tensão Zener: 5.6V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1
Conjunto de 10
0.47€ IVA incl.
(0.38€ sem IVA)
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BZX84C6V2

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Material semicondutor: silício. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.35W. Passo: 2.9x1.5mm. VRRM:...
BZX84C6V2
Material semicondutor: silício. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.35W. Passo: 2.9x1.5mm. VRRM: 6V. Número de terminais: 3. Tensão de ruptura Zener Uz [V], nom.: 6.2V. Corrente de fuga no fechamento Ir [A] @ Ur [V]: 3uA @ 4V. Impedância Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 400 Ohms @ 1mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.25W. Nota: SOT-23. Nota: SI-Z SMD. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C
BZX84C6V2
Material semicondutor: silício. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.35W. Passo: 2.9x1.5mm. VRRM: 6V. Número de terminais: 3. Tensão de ruptura Zener Uz [V], nom.: 6.2V. Corrente de fuga no fechamento Ir [A] @ Ur [V]: 3uA @ 4V. Impedância Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 400 Ohms @ 1mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.25W. Nota: SOT-23. Nota: SI-Z SMD. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C
Conjunto de 10
0.22€ IVA incl.
(0.18€ sem IVA)
0.22€
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Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Marcação na caixa: Y61. Pd...
BZX84C6V8
Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Marcação na caixa: Y61. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.35W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( 2.9x1.5mm ). VRRM: 6.8V. Tensão Zener: 6.8V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1
BZX84C6V8
Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Marcação na caixa: Y61. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.35W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( 2.9x1.5mm ). VRRM: 6.8V. Tensão Zener: 6.8V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1
Conjunto de 10
0.47€ IVA incl.
(0.38€ sem IVA)
0.47€
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BZX84C7V5

Material semicondutor: silício. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.35W. Passo: 2.9x1.5mm. VRRM:...
BZX84C7V5
Material semicondutor: silício. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.35W. Passo: 2.9x1.5mm. VRRM: 7V. Nota: SOT-23. Nota: SI-Z SMD
BZX84C7V5
Material semicondutor: silício. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.35W. Passo: 2.9x1.5mm. VRRM: 7V. Nota: SOT-23. Nota: SI-Z SMD
Conjunto de 10
0.91€ IVA incl.
(0.74€ sem IVA)
0.91€
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BZX84C8V2

BZX84C8V2

Material semicondutor: silício. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.35W. Passo: 2.9x1.5mm. VRRM:...
BZX84C8V2
Material semicondutor: silício. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.35W. Passo: 2.9x1.5mm. VRRM: 8V. Nota: SOT-23. Nota: SI-Z SMD
BZX84C8V2
Material semicondutor: silício. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.35W. Passo: 2.9x1.5mm. VRRM: 8V. Nota: SOT-23. Nota: SI-Z SMD
Conjunto de 10
0.47€ IVA incl.
(0.38€ sem IVA)
0.47€
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BZX84C8V2LT1G

BZX84C8V2LT1G

RoHS: sim. Família de componentes: diodo zener, montagem SMD, máx, 250mW. Carcaça: Soldagem PCB (...
BZX84C8V2LT1G
RoHS: sim. Família de componentes: diodo zener, montagem SMD, máx, 250mW. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Carcaça (padrão JEDEC): TO-236AB. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Tensão de ruptura Zener Uz [V], nom.: 8.2V. Corrente de fuga no fechamento Ir [A] @ Ur [V]: 0.5uA @ 6V. Impedância Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 15 Ohms @ 5mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.25W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C
BZX84C8V2LT1G
RoHS: sim. Família de componentes: diodo zener, montagem SMD, máx, 250mW. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Carcaça (padrão JEDEC): TO-236AB. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Tensão de ruptura Zener Uz [V], nom.: 8.2V. Corrente de fuga no fechamento Ir [A] @ Ur [V]: 0.5uA @ 6V. Impedância Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 15 Ohms @ 5mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.25W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C
Conjunto de 10
1.72€ IVA incl.
(1.40€ sem IVA)
1.72€
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BZX84C9V1

Material semicondutor: silício. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.35W. RoHS: sim. Passo: 2.9x1...
BZX84C9V1
Material semicondutor: silício. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.35W. RoHS: sim. Passo: 2.9x1.5mm. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Tensão Zener: 9.1V. Número de terminais: 3. Nota: SI-Z SMD
BZX84C9V1
Material semicondutor: silício. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.35W. RoHS: sim. Passo: 2.9x1.5mm. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Tensão Zener: 9.1V. Número de terminais: 3. Nota: SI-Z SMD
Conjunto de 10
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BZX84C9V1LT1G

BZX84C9V1LT1G

RoHS: sim. Família de componentes: diodo zener, montagem SMD, máx, 250mW. Carcaça: Soldagem PCB (...
BZX84C9V1LT1G
RoHS: sim. Família de componentes: diodo zener, montagem SMD, máx, 250mW. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Carcaça (padrão JEDEC): TO-236AB. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Tensão de ruptura Zener Uz [V], nom.: 9.1V. Corrente de fuga no fechamento Ir [A] @ Ur [V]: 0.5uA @ 6V. Impedância Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 15 Ohms @ 5mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.25W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C
BZX84C9V1LT1G
RoHS: sim. Família de componentes: diodo zener, montagem SMD, máx, 250mW. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Carcaça (padrão JEDEC): TO-236AB. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Tensão de ruptura Zener Uz [V], nom.: 9.1V. Corrente de fuga no fechamento Ir [A] @ Ur [V]: 0.5uA @ 6V. Impedância Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 15 Ohms @ 5mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.25W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C
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RoHS: sim. Família de componentes: diodo zener, montagem SMD, máx, 1W. Carcaça: Soldagem PCB (SMD...
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RoHS: sim. Família de componentes: diodo zener, montagem SMD, máx, 1W. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOD-323F. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 2. Tensão de ruptura Zener Uz [V], nom.: 5.1V. Corrente de fuga no fechamento Ir [A] @ Ur [V]: 2uA @ 2V. Impedância Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 480 Ohms @ 1mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.55W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C
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RoHS: sim. Família de componentes: diodo zener, montagem SMD, máx, 1W. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOD-323F. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 2. Tensão de ruptura Zener Uz [V], nom.: 5.1V. Corrente de fuga no fechamento Ir [A] @ Ur [V]: 2uA @ 2V. Impedância Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 480 Ohms @ 1mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.55W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C
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Tipo de diodo: diodo Zener . Tensão Zener: 10V. Potência: 1.3W. Carcaça: DO-41...
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Tipo de diodo: diodo Zener . Tensão Zener: 10V. Potência: 1.3W. Carcaça: DO-41
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Tipo de diodo: diodo Zener . Tensão Zener: 10V. Potência: 1.3W. Carcaça: DO-41
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Tipo de diodo: diodo Zener . Tensão Zener: 100V. Potência: 1.3W. Carcaça: DO-41...
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Tipo de diodo: diodo Zener . Tensão Zener: 100V. Potência: 1.3W. Carcaça: DO-41
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Tipo de diodo: diodo Zener . Tensão Zener: 100V. Potência: 1.3W. Carcaça: DO-41
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RoHS: sim. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: DO-41. Carcaça (padrão JEDEC): DO-204AL. Configuraç...
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RoHS: sim. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: DO-41. Carcaça (padrão JEDEC): DO-204AL. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 2. Tensão de ruptura Zener Uz [V], nom.: 10V. Corrente de fuga no fechamento Ir [A] @ Ur [V]: 0.5uA @ 7.5V. Impedância Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 7 Ohms @ 25mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 1.3W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C. Família de componentes: Diodo Zener, potência 1,3 W (25°C), 5%
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RoHS: sim. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: DO-41. Carcaça (padrão JEDEC): DO-204AL. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 2. Tensão de ruptura Zener Uz [V], nom.: 10V. Corrente de fuga no fechamento Ir [A] @ Ur [V]: 0.5uA @ 7.5V. Impedância Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 7 Ohms @ 25mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 1.3W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C. Família de componentes: Diodo Zener, potência 1,3 W (25°C), 5%
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Tipo de diodo: diodo Zener . Tensão Zener: 12V. Potência: 1.3W. Carcaça: DO-41...
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Tipo de diodo: diodo Zener . Tensão Zener: 12V. Potência: 1.3W. Carcaça: DO-41
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Tipo de diodo: diodo Zener . Tensão Zener: 12V. Potência: 1.3W. Carcaça: DO-41
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RoHS: sim. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: DO-41. Carcaça (padrão JEDEC): DO-204AL. Configuraç...
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RoHS: sim. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: DO-41. Carcaça (padrão JEDEC): DO-204AL. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 2. Tensão de ruptura Zener Uz [V], nom.: 12V. Corrente de fuga no fechamento Ir [A] @ Ur [V]: 0.5uA @ 9.1V. Impedância Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 9 Ohms @ 20mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 1.3W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C. Família de componentes: Diodo Zener, potência 1,3 W (25°C), 5%
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RoHS: sim. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: DO-41. Carcaça (padrão JEDEC): DO-204AL. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 2. Tensão de ruptura Zener Uz [V], nom.: 12V. Corrente de fuga no fechamento Ir [A] @ Ur [V]: 0.5uA @ 9.1V. Impedância Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 9 Ohms @ 20mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 1.3W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C. Família de componentes: Diodo Zener, potência 1,3 W (25°C), 5%
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