Diodos Zener

Pd (dissipação de energia, máx.): 0.4W. Carcaça: DO-35 ( SOD27 ). Habitação (conforme ficha técnica): DO-35. Tensão Zener: 68V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: diodo Zener . Número de terminais: 2. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tolerância: 5%. VRRM: 68V

Tensão Zener: 6.2V. Carcaça: DO-35. Tipo de diodo: diodo Zener . Potência: 0.5W

Tensão Zener: 6.8V. Carcaça: DO-35. Tipo de diodo: diodo Zener . Potência: 0.5W

Tensão Zener: 7.5V. Carcaça: DO-35. Tipo de diodo: diodo Zener . Potência: 0.5W

Tensão Zener: 8.2V. Carcaça: DO-35. Tipo de diodo: diodo Zener . Potência: 0.5W

Tensão Zener: 9.1V. Carcaça: DO-35. Tipo de diodo: diodo Zener . Potência: 0.5W

Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: DO-35. Tensão de ruptura Zener Uz [V], nom.: 10V. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.5W. Carcaça (padrão JEDEC): 2. RoHS: sim. Família de componentes: Diodo Zener, potência 0,5 W (25°C), 5%. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 2. Corrente de fuga no fechamento Ir [A] @ Ur [V]: 0.2uA @ 7V. Impedância Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 20 Ohms @ 5mA. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +200°C

Tensão Zener: 11V. Carcaça: DO-35. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. Carcaça: DO-35 ( SOD27 ). Habitação (conforme ficha técnica): DO-35. Tipo de diodo: diodo Zener . Potência: 0.5W. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tolerância: 5%

Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. Carcaça: DO-35 ( SOD27 ). Habitação (conforme ficha técnica): DO-35. Tensão Zener: 12V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: diodo Zener . RM (máx.): 2uA. RM (min): 0.1uA. Equivalentes: 1N5242B, BZX79C12, ZPD12. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tolerância: 5%. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.5V. Tensão direta Vf (min): 1.5V. VRRM: 12V

Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. Carcaça: DO-35 ( SOD27 ). Habitação (conforme ficha técnica): DO-35. Tensão Zener: 13V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: diodo Zener . Equivalentes: 1N5243B, BZX79C13, ZPD13. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tolerância: 5%

Tensão Zener: 15V. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. Carcaça: DO-35 ( SOD27 ). Habitação (conforme ficha técnica): DO-35. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: diodo Zener . Equivalentes: 1N5245B, BZX79C15, ZPD15. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tolerância: 5%

Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. Carcaça: DO-35 ( SOD27 ). Habitação (conforme ficha técnica): DO-35. Tensão Zener: 16V. Condicionamento: rolo. Unidade de condicionamento: 10000. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: diodo Zener . Equivalentes: 1N5246B, BZX79C16, ZPD16. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tolerância: 5%

Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. Carcaça: DO-35 ( SOD27 ). Habitação (conforme ficha técnica): DO-35. Tensão Zener: 18V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: diodo Zener . Corrente direta (AV): 250mA. Equivalentes: 1N5248B, BZX55C15, ZPD18. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tolerância: 5%. Temperatura operacional: -65...+200°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.9V. Tensão direta Vf (min): 0.9V

Tensão Zener: 20V. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. Carcaça: DO-35 ( SOD27 ). Habitação (conforme ficha técnica): DO-35. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Equivalentes: 1N968BRL, 1N5250B, BZX79C20, ZPD20. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tolerância: 5%

Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. Carcaça: DO-35 ( SOD27 ). Habitação (conforme ficha técnica): DO-35. Tensão Zener: 22V. Unidade de condicionamento: 10000. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: diodo Zener . RM (máx.): 2uA. RM (min): 0.1uA. Equivalentes: 1N5251B, BZX79C22, ZPD22. Número de terminais: 2. Temperatura: +175°C. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tolerância: 5%. Tensão limite Vf (máx.): 1.5V. Tensão direta Vf (min): 1.5V

Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. Carcaça: DO-35 ( SOD27 ). Habitação (conforme ficha técnica): DO-35. Tensão Zener: 24V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Equivalentes: 1N5252B, BZX55C24, ZPD24. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tolerância: 5%

Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. Carcaça: DO-35 ( SOD27 ). Habitação (conforme ficha técnica): DO-35. Tensão Zener: 27V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: Diodo Zener de Silício de Vidro . RM (máx.): 0.1uA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tolerância: 5%. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1V

Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. Carcaça: DO-35 ( SOD27 ). Habitação (conforme ficha técnica): DO-35. Tensão Zener: 2.4V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Equivalentes: 1N5221B, BZX79C2V4, ZPD2.4. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tolerância: 5%

Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. Carcaça: DO-35 ( SOD27 ). Habitação (conforme ficha técnica): DO-35. Tensão Zener: 2.7V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tolerância: 5%

Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. Carcaça: DO-35 ( SOD27 ). Habitação (conforme ficha técnica): DO-35. Tensão Zener: 30 v. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: diodo Zener . Equivalentes: 1N5256B, BZX55C30, ZPD30. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tolerância: 5%

Tensão Zener: 33V. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. Carcaça: DO-35 ( SOD27 ). Habitação (conforme ficha técnica): DO-35. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: diodo Zener . Equivalentes: 1N5257B, BZX79C33, ZPD33. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tolerância: 5%

Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. Carcaça: DO-35 ( SOD27 ). Habitação (conforme ficha técnica): DO-35. Tensão Zener: 36V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: diodo Zener . Equivalentes: BZX79-C36, ZPD36, BZX55C36. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tolerância: 5%

Tensão Zener: 39V. Carcaça: DO-35. Tipo de diodo: diodo Zener . Potência: 0.5W

Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. Carcaça: DO-35 ( SOD27 ). Habitação (conforme ficha técnica): DO-35. Tensão Zener: 3V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: diodo Zener . Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tolerância: 5%

Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. Carcaça: DO-35 ( SOD27 ). Habitação (conforme ficha técnica): DO-35. Tensão Zener: 3.3V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: diodo Zener . Equivalentes: 1N5226B, BZX79C3V3, ZPD3.3. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tolerância: 5%